【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种带有位线、字线和板线的集成存储器以及相应于该存储器的工作方法。在IEEE固态电路杂志，第32卷，第5号，1997年5月，第655及其后页中，H.Fujisawa等人所著文章“用于高速低功耗铁电存储器的带电荷共享修改(CSM)的预充电电平结构(The Charge-ShareModified(CSM)Precharge-Level Architecture for High-Speed andLow-Power Ferroelectric Memory)”曾讲述过一种FeRAM或FRAM型的铁电存储器。这种存储器的构造近似于DRAM(动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memories))，但DRAM的存储单元带有具备铁电介质的存储电容器。这些存储单元排列在字线与位线的交叉点上。存储电容器的一个电极与一个固定的板电位相连。该固定板电位位于FRAM供电电位的中点位置。在FRAM中，板电位不保持恒定，而是脉冲形式的(所谓的“脉冲板方案”)，与此相反，上述文章讲述的方案则带有一个恒定的板电位，并被统称为“VDD/2-方案...
【技术保护点】
一种集成存储器，－它带有存储单元（ＭＣ），该存储单元（ＭＣ）均至少带有一个选择晶体管（Ｔ）和一个存储电容器（Ｃ），－它带有位线（ＢＬｉ）、字线（ＷＬｋ）及板线（ＰＬｉ），在这些线的交叉点上排列有存储单元（ＭＣ），－其中，在每个存储单元（ＭＣ）中，存储电容器（Ｃ）的一个电极通过选择晶体管（Ｔ）与一根位线（ＢＬｉ）相连，另一个电极则接在板线（ＰＬｉ）上，晶体管（Ｔ）的控制端接在一根字线（ＷＬｋ）上，－它具有第一种工作方式，－在该方式下，板线（ＰＬｉ）带有一个恒定的板电位（ＶＰＬ），－在该方式下，如果不对一个存储单元（ＭＣ）进行访问，位线（ＢＬｉ）同样也为板电位（ＶＰＬ），－且在...
【技术特征摘要】
DE 1999-4-28 19919360.61.一种集成存储器，-它带有存储单元(MC)，该存储单元(MC)均至少带有一个选择晶体管(T)和一个存储电容器(C)，-它带有位线(BLi)、字线(WLk)及板线(PLi)，在这些线的交叉点上排列有存储单元(MC)，-其中，在每个存储单元(MC)中，存储电容器(C)的一个电极通过选择晶体管(T)与一根位线(BLi)相连，另一个电极则接在板线(PLi)上，晶体管(T)的控制端接在一根字线(WLk)上，-它具有第一种工作方式，-在该方式下，板线(PLi)带有一个恒定的板电位(VPL)，-在该方式下，如果不对一个存储单元(MC)进行访问，位线(BLi)同样也为板电位(VPL)，-且在该方式下，在访问一个存储单元(MC)时，与该存储单元(MC)相连的位线(BLi)若接到一个比板电位(VPL)低的第一电位(GND)，则写入第一种逻辑状态，若接到一个比板电位高的第二电位(VDD)，则写入第二种逻辑状态，-它还具有第二种工作方式，-在该方式下，位线(BLi)为板电位(VPL)，-且在该方式下进行写访问时，至少有一根板线(PLi)接到一个与板电位(VPL)不相同的确定电位(VF)。2.根据权利要求1的集成存储器，其特征在于，在第二种工作方式下进行写访问时，多根板线(PLi)同时接到确定电位(VF)。3.根据权利要求1或2的集成存储器，其特征在于，确定电位(VF)为第一电位(GND)或第二电位(VDD)。4.根据权利要求1或2的集成存储器，其特征在于，确定电位(VF)位于板电位(VPL)与第一电位(GND)或第二电位(VDD)之间。5.根据上述权利要求之一的集成存储器，其特征在于，它带有一种连接面(A)，用来从存储器外部导入确定电位(VF)。6.根据权利要求1的集成存储器，其特征在于，-它带有字线解码器(RDEC)，根据其输出的字地址(RADR)来对字线(WLk)进行寻址，-它带有字线驱动器(D)，用来将字线解码器(RDEC)的输出口分别同一根字线(WLk)连接起来，-它带有电压发生器(2)，以在第一种工作方式下给字线驱动器(D)生成一个第一供电电压(VPP)，-它还带有连接面(E)，以在第二种工作方式下给字线驱动器(D)导入一个第二供电电压(Vext)。7.根据权利要求1的集成存储器，其特征在于-其字线(WLk)与位线(BLi)同与之相连的存储单元(MC)一起至少形成一个单元区，-其中，在第一种工作方式下进行写访问时，每个单元区同时只有一根字线(WLk)被激...
【专利技术属性】
技术研发人员：H赫尼格施米德，G布劳恩，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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