利用连续数据变化检测存储器的方法技术

本发明专利技术涉及一种利用连续数据变化检测存储器的方法，尤指一种对存储器的输出、输入接脚进行连续不断的数据输出、输入动作，用于检测存储器是否弱化或损坏，其中该用于检测存储器的输出、输入数据，至少具备有７５％的数据变化率，从而可确实筛检出已呈现弱化的存储器。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，为一种通过对存储器的输出、入接脚进行至少75％数据变化率的运作，借以确实检测出弱化存储器的测试方法。请参考图8所示，是为一CMOS结构的反相器，主要由一级反相器(11)及一级缓冲器(13)所构成，该CMOS反相器的供给电源VDD、VSS以及输出、入电压关系如图9所示，由图中可知无论供给电源VDD或VSS其中一者有噪声信号产生时，该CMOS反相器的输出波形即受到干扰而有错误的输出状态产生，此种不正常的错误输出，极易导致存储器损坏或弱化。针对存储器弱化或不稳定的问题，以现今存储器测试方式而论，一般存储器测试程序为通过对存储器的指令接脚、位址接脚、输出、输入接脚进行复杂的状态设定及复杂的数据存取，借以检测出存储器各元件的好坏。以下仅提出目前常见的几种存储器测试方法，附图说明图10所示是在单一存储库(bank)的例子中，依照时钟脉冲的先后顺序，依序送入启动存储库(bank active)、输入读写指令(write or read)以及预充电(pre-charge)等控制指令的步骤。又请参考图11及图12所示，是显示启动多个存储库进行指令输出、输入动作，在图10中是启动两个存储库(Bank#0，Bank#1)进行指令输出、输入，而在图12则显示启动及交错存取四个存储库的方法，虽然启动较多的存储库进行测试，相较于图9所示的测试方式可获得较高的准确率，但依据此种方式可测出弱化存储器的比率仍然偏低。本专利技术的另一目的在于提供一种，此检测方法除可应用于一般DRAM之外，也可通用于DDR-DRAM、RDRAM、SRAM及FLASH等，以提供一较宽广的应用领域。为达成前述目的，本专利技术的，其主要是针对存储器的输出、输入(I/O)接脚进行连续性的输出、入动作，且输出、入的数据变化率须高达75％以上以确实检测出弱化存储器。为进一步了解本专利技术的方法、特征及其他目的，配合附图详细说明如后。图8是一CMOS结构电路图；图9是图8所示CMOS的输出、输入波形图；图10是一常用的存储器测试方法时序图；图11是另一常用的存储器测试方法时序图；图12是又一常用的存储器测试方法时序图。有关本专利技术的具体实施方式，请参考图1，其为本专利技术的一实施例的时序动作图，是仅启动单一存储库(bank#0)的状态下，对存储器的输出、输入接脚(I/O#0-#3)进行连续不断地输出、入动作，在本实施例中仅以四支输出、输入接脚作为说明，其中接脚I/O#0-#2的输出、输入数据都相同，即各接脚是跟随时钟脉冲变动而连续地呈现高、低不同电压的数据变化，在图面上所示的“0”、“1”即为二进制的表式方法，分别代表低电位与高电位。而接脚I/O#3则是无任何数据变化，即固定维持在“0”。由上述说明中可知，本实施例是具有四支输出、输入接脚，但仅需针对其中三支接脚进行连续不断地数据输出、输入测试，其整体数据变化率高达75％，故符合本专利技术存储器测试方法的基本概念，从而确实可提高筛选出弱化存储器的比率。请参考图2所示，为本专利技术的另一实施例，本实施例大致与图1所示雷同，两者相异之处在于输出、输入接脚上的数据状态，本实施例虽然仍是仅对接脚I/O#0-#2进行数据输出、输入，而接脚I/O#3仍是维持不变，然而接脚I/O#1的数据型态恰与接脚I/O#0、I/O#2的数据型态互补，即当I/O#1的数据状态为“1”时，I/O#0、I/O#2的数据状态即为“0”。然而就整体上来看，此实施例仍具有四分之三的输出、输入接脚持续不断地进行数据变化，故仍旧保有75％的数据变化率。又请参阅图3所示，为本技术的又一实施例，在此实施例中输出、输入接脚I/O#0-#3都具有数据输入的动作，整体的输出、输入数据虽无一定顺序，然而就任一区段来看，数据的变化率仍至少保有75％的变化率。举例而言，在区段“a”中，接脚I/O#0-#3的数据状态首先是由“0100”转换为“1010”，并再次由“1010”转换为“0001”。在首次转换时，第1至第3接脚I/O#-#2改变了数据状态，而第4接脚I/O#3维持不变；而在第二次转换时，接脚I/O#0、I/O#2-#3产生数据状态改变，而I/O#1则是保持不变，所以，任何时候，仍具有四分之三的输出、输入接脚进行数据的变换，使得数据变化率仍然具有75％的变动比率。同理，于区段“b”及“c”中仍是可看出数据变化率至少在75％。本专利技术可配合同时启动多个存储库进行数据检测的动作，请参阅图4所示本专利技术的再一实施例，同时启动两个存储库(Bank#0、Bank#1)进行数据的输出、输入检测动作。也可如图5所示，将各个存储库(Bank #0-Bank #3)都启动而进行输出、输入检测动作。请参考图6-1、图6-2所示，为本专利技术应用于RDRAM的时序图，其分别显示进行写入及读出的动作，不同处仅在于是以“封包”(PACKET)为单位进行数据的输出、输入作业，让至少75％的数据封包(DATA PACKET)进行数据变换。请参阅图7所示，是依据本专利技术其测试结果曲线图，图面的x轴方向是代表输出、输入的数据变化率，而y轴方向则代表弱化存储器的检出比率，由曲线图上可知数据变化率与检出比率几乎在75％为一临界点，一旦数据变化率高于75％时，弱化存储器的检出比率即大幅上升，而确实达到检测目的。综上所述，本专利技术较佳实施例的具体说明非用于限制本专利技术的申请专利范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用连续数据变化检测存储器的方法，其特征在于，它包括： 一为使存储器呈连续存取数据的步骤，其中该连续性的数据至少具有７５％的变化率。

【技术特征摘要】
1.一种利用连续数据变化检测存储器的方法，其特征在于，它包括一为使存储器呈连续存取数据的步骤，其中该连续性的数据至少具有75％的变化率。2.如权利要求1所述的利用连续数据变化检测存储器的方法，其特征在于所述的连续性的数据呈高、低不同电位的变化。3.如权利要求1所述的利用连续数据变化检测存储器的方法，其特征在于所述的连续存取为针对存储器的输入接脚。4.如权利要求1所述的利用连续数据变化检测存储器的方法，其特征在于所述的连续存取为针对存储器的输出接脚。5.如权利要求1所述的利用连续数据变化检测存储器的方法，其特征在于所述的连续存取为针对存储器的输出及输入接脚。6.如权利要求2、3、4或5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李成材，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]