【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种,为一种通过对存储器的输出、入接脚进行至少75%数据变化率的运作,借以确实检测出弱化存储器的测试方法。请参考图8所示,是为一CMOS结构的反相器,主要由一级反相器(11)及一级缓冲器(13)所构成,该CMOS反相器的供给电源VDD、VSS以及输出、入电压关系如图9所示,由图中可知无论供给电源VDD或VSS其中一者有噪声信号产生时,该CMOS反相器的输出波形即受到干扰而有错误的输出状态产生,此种不正常的错误输出,极易导致存储器损坏或弱化。针对存储器弱化或不稳定的问题,以现今存储器测试方式而论,一般存储器测试程序为通过对存储器的指令接脚、位址接脚、输出、输入接脚进行复杂的状态设定及复杂的数据存取,借以检测出存储器各元件的好坏。以下仅提出目前常见的几种存储器测试方法,附图说明图10所示是在单一存储库(bank)的例子中,依照时钟脉冲的先后顺序,依序送入启动存储库(bank active)、输入读写指令(write or read)以及预充电(pre-charge)等控制指令的步骤。又请参考图11及图12所示,是显示启动多个存储库进行指令输出、输入 ...
【技术保护点】
一种利用连续数据变化检测存储器的方法,其特征在于,它包括: 一为使存储器呈连续存取数据的步骤,其中该连续性的数据至少具有75%的变化率。
【技术特征摘要】
1.一种利用连续数据变化检测存储器的方法,其特征在于,它包括一为使存储器呈连续存取数据的步骤,其中该连续性的数据至少具有75%的变化率。2.如权利要求1所述的利用连续数据变化检测存储器的方法,其特征在于所述的连续性的数据呈高、低不同电位的变化。3.如权利要求1所述的利用连续数据变化检测存储器的方法,其特征在于所述的连续存取为针对存储器的输入接脚。4.如权利要求1所述的利用连续数据变化检测存储器的方法,其特征在于所述的连续存取为针对存储器的输出接脚。5.如权利要求1所述的利用连续数据变化检测存储器的方法,其特征在于所述的连续存取为针对存储器的输出及输入接脚。6.如权利要求2、3、4或5所...
【专利技术属性】
技术研发人员:李成材,
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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