一种等离子体蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置包括腔体；进气口，进气口设于腔体的一侧，用于供目标气体通入腔体；排气口，排气口设于腔体远离进气口的一侧，用于排气；第一电极组件，第一电极组件设于腔体远离进气口的一侧，第一电极组件的不同区域相独立，能够接入不同的电压；第二电极组件，第二电极组件设于腔体远离第一电极组件的一侧，且与第一电极组件相对。通过第一电极组件的不同区域可接入不同的电压，能够实现差异化的电压控制，在一些蚀刻过程中，通过上述等离子体蚀刻装置能够达到改善蚀刻均一性的效果。能够达到改善蚀刻均一性的效果。能够达到改善蚀刻均一性的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体蚀刻装置


[0001]本技术涉及等离子体蚀刻领域，尤其涉及一种等离子体蚀刻装置。

技术介绍

[0002]在目前发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)、半导体等中的等离子体干法蚀刻制造
中，干法蚀刻蚀刻机台通过进气口将制程气体通入干法蚀刻腔室，通过电极的偏压使得离子轰击达到物理性蚀刻的效果，同时，还通过排气口向外排气以提供真空环境并维持蚀刻腔室中的稳定压力。
[0003]然而，在等离子体干法蚀刻机中进行蚀刻时，不同区域的蚀刻速率很容易存在差异，导致蚀刻的均一性不好，从而影响蚀刻的品质。
[0004]因此，如何保证离子体干法蚀刻过程中的蚀刻均一性是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供等离子体蚀刻装置，旨在解决离子体干法蚀刻过程中蚀刻的均一性不好的问题。
[0006]一种等离子体蚀刻装置，包括：
[0007]腔体；
[0008]进气口，所述进气口设于所述腔体的一侧，用于供目标气体通入所述腔体；
[0009]排气口，所述排气口设于所述腔体远离所述进气口的一侧，用于排气；
[0010]第一电极组件，所述第一电极组件设于所述腔体远离所述进气口的一侧，所述第一电极组件的不同区域相独立，能够接入不同的电压；
[0011]第二电极组件，所述第二电极组件设于所述腔体远离所述第一电极组件的一侧，且与所述第一电极组件相对。
[0012]上述等离子体蚀刻装置结构简单，通过第一电极组件的不同区域可接入不同的电压，能够实现差异化的电压控制，从而可以实现差异化的离子物理轰击能量控制，在偏压较高的区域，离子物理轰击能量相对较高，对于离子浓度较低的区域，可以通过提高对应区域的偏压提升其蚀刻的速率，相应的，在偏压较低的区域，离子物理轰击能量相对较低，可以通过降低对应区域的偏压减缓对应区域的蚀刻速率，因此，在一些蚀刻过程中，通过上述等离子体蚀刻装置能够达到改善蚀刻均一性的效果。
[0013]可选地，所述第一电极组件包括：
[0014]电极底板，所述电极底板绝缘；
[0015]至少两个电极片，所述电极片设置于所述电极底板之中，各所述电极片对应不同区域，各所述电极片相互独立。
[0016]通过在电极底板中设置不止一个相互独立的电极片的方式，在一些蚀刻过程中能够简单且低成本的实现电压的分区域控制。
[0017]可选的，所述等离子体蚀刻装置还包括电源装置，所述电源装置包括至少两个直
流供电单元，每个所述直流供电单元相互独立且能够提供不同的电压，每个所述直流供电单元分别与不同的所述电极片相连接，向对应的电极片供电。
[0018]通过具有至少两个相互独立的直流供电单元的电源装置为电极片供电，在一些蚀刻过程中能够使得第一电极组件的不同区域形成差异化的电压控制。
[0019]可选地，还包括托盘，所述托盘设置于所述第一电极组件远离所述腔体的内壁的一侧，所述托盘用于承载待蚀刻物体。
[0020]上述等离子体蚀刻装置通过将托盘与第一电极组件设置于腔体的同一侧，一些蚀刻过程中能够更精准的对于托盘上的待蚀刻物体的蚀刻速率进行调整。
[0021]可选的，所述等离子体蚀刻装置包括多个所述进气口，所述进气口均匀排列为与所述托盘的轮廓一致的图形。
[0022]通过正对着托盘均匀排列的进气口，实现均匀的进气，在一些蚀刻过程中进一步保证蚀刻速率的均一性。
[0023]可选的，所述第一电极组件包括第一区域，所述第一区域的形状为与所述托盘形状相同的中空图形，以及包括一个位于所述托盘中心点且与所述托盘形状相同的第二区域，所述第二区域设于所述第一区域的中空部分内。
[0024]通过逐层嵌套的区域划分，在一些蚀刻过程中能够实现托盘中心到托盘边缘的偏压的差异化控制，保证托盘的中心与托盘的边缘的蚀刻的均一性。
[0025]可选的，所述第一电极组件包括至少两个第一区域，其中，较小的所述第一区域设于较大的所述第一区域的中空部分内，所述第二区域设于最小的所述第一区域的中空部分内。
[0026]通过多层的第一区域的嵌套，在一些蚀刻过程中能够实现更多层级的偏压的差异化控制。
[0027]可选的，所述托盘为圆形托盘，所述第一区域为环形，所述第二区域为圆形。
[0028]通过与托盘形状相匹配的区域划分形式，在一些蚀刻过程中能够实现较好的蚀刻均一性效果。
[0029]可选的，所述第一电极组件包括多个第三区域，所述第三区域呈阵列排布。
[0030]通过阵列排布的区域划分形式，在一些蚀刻过程中，能够实现灵活的偏压的差异化控制，更为精准的提升蚀刻均一性，且能够适应更多的蚀刻需求。
[0031]可选的，所述等离子体蚀刻装置包括多个所述排气口，所述排气口环绕所述第一电极组件均匀设置。
[0032]均匀设置的排气口利于均匀的排除气体，进一步保证蚀刻的均一性。
附图说明
[0033]图1为本技术实施例提供的一种第一电极组件的结构示意图一；
[0034]图2为本技术实施例提供的一种第一电极组件的连接电源装置的示意图；
[0035]图3为本技术实施例提供的一种进气口的排布示意图一；
[0036]图4为本技术实施例提供的一种进气口的排布示意图二；
[0037]图5为本技术实施例提供的一种第一电极组件的结构示意图二；
[0038]图6为本技术实施例提供的一种第一电极组件的结构示意图三；
[0039]图7为本技术实施例提供的一种第一电极组件的结构示意图四；
[0040]图8为本技术实施例提供的一种第一电极组件的结构示意图五；
[0041]图9为本技术实施例提供的一种第一电极组件的结构示意图六；
[0042]图10为本技术实施例提供的一种等离子体蚀刻装置的结构示意图；
[0043]附图标记说明：
[0044]1‑
电极片；10
‑
电极底板；11
‑
第一电极片；12
‑
第二电极片；2
‑
电源装置；21
‑
第一直流供电单元；22
‑
第二直流供电单元；3
‑
托盘；4
‑
进气口；5
‑
腔体；6
‑
排气口；7
‑
待蚀刻物体。
具体实施方式
[0045]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0046]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体蚀刻装置，其特征在于，包括：腔体；进气口，所述进气口设于所述腔体的一侧，用于供目标气体通入所述腔体；排气口，所述排气口设于所述腔体远离所述进气口的一侧，用于排气；第一电极组件，所述第一电极组件设于所述腔体远离所述进气口的一侧，所述第一电极组件的不同区域相独立，能够接入不同的电压；第二电极组件，所述第二电极组件设于所述腔体远离所述第一电极组件的一侧，且与所述第一电极组件相对。2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，所述第一电极组件包括：电极底板，所述电极底板绝缘；至少两个电极片，所述电极片设置于所述电极底板之中，各所述电极片对应不同区域，各所述电极片相互独立。3.如权利要求2所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，所述等离子体蚀刻装置还包括电源装置，所述电源装置包括至少两个直流供电单元，每个所述直流供电单元相互独立且能够提供不同的电压，每个所述直流供电单元分别与不同的所述电极片相连接，向对应的电极片供电。4.如权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于，还包括托盘，所述托盘设置于所述第一电极组件远离所述腔体的内壁的一侧，所述托盘用于承载待蚀刻物体。5.如权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张彬彬，苏财钰，张涛，苟先华，肖峰，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：