读取电路、参考电路和半导体存储装置制造方法及图纸

一种用于从多个存储单元中的一个存储单元中读取数据的读取电路，该读取电路包括： 多个分割读出电路，多个分割读出电路中的每一个通过多个读出线中对应的读出线，与所述的一个存储单元连接；以及 电流电压转换电路，电流电压转换电路用于将流经多条读出线中的每一条的电流转换为用于表示多条读出线的每一条的电位的读出电压， 其中： 多个分割读出电路中的每一个包括：电流负载电路，电流负载电路用于通过多条读出线中的对应读出线，向所述的一个存储单元提供电流；以及读出放大器，读出放大器用于读出在对应的读出线的电位和多条参考线中对应的参考线的电位之间的电位差，以及 在多个分割读出电路中的至少一个分割读出电路中包括的电流负载电路具有与在多个分割读出电路中的另一分割读出电路中包括的电流负载电路的电流提供能力不同的电流提供能力。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种读出电路、参考电路、以及包括这样的读取电路和这样的参考电路的半导体存储装置。
技术介绍
通常，从包括多个存储单元的存储单元阵列中读取数据的读取电路向其中存储有数据的存储单元提供电流，并且将流经存储单元的电流(单元电流)与参考电流进行比较，以便确定单元电流的值(level)是否大于或者小于参考电流的值。因而读取在存储单元中所写入的数据。这样的读取数据的系统被称为“电流读取系统”。例如，如以下参考图9B所述，可以从其中一个存储单元能够存储一位数据的所谓的双电平存储单元中读取数据。预先设置了第一状态和第二状态，在第一状态中，单元电流的值大于参考电流的值(与数据“1”对应)，以及在第二状态中，单元电流的值小于参考电流的值(与数据“0”对应)。将参考电流值设置为在第一状态和第二状态之间的中间值。然后，将存储单元中的单元电流值与参考电流值相比较，因而可以读取在存储单元中存储的1比特的数据。实际上，单元电流和参考电流要经过电流电压转换，并且将单元电流流过的读出线的电位与参考电流流过的参考线的电位进行比较。除了这样的双值存储单元之外，最近还对其中一个存储单元可以存储2比特或者更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于从多个存储单元中的一个存储单元中读取数据的读取电路，该读取电路包括多个分割读出电路，多个分割读出电路中的每一个通过多个读出线中对应的读出线，与所述的一个存储单元连接；以及电流电压转换电路，电流电压转换电路用于将流经多条读出线中的每一条的电流转换为用于表示多条读出线的每一条的电位的读出电压，其中多个分割读出电路中的每一个包括电流负载电路，电流负载电路用于通过多条读出线中的对应读出线，向所述的一个存储单元提供电流；以及读出放大器，读出放大器用于读出在对应的读出线的电位和多条参考线中对应的参考线的电位之间的电位差，以及在多个分割读出电路中的至少一个分割读出电路中包括的电流负载电路具有与在多个分割读出电路中的另一分割读出电路中包括的电流负载电路的电流提供能力不同的电流提供能力。2.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于电流电压转换电路包括单元电流分割部分，所述的单元电流分割部分用于将多条读出线连接到所述的一个存储单元、或者将多条读出线与所述的一个存储单元分开。3.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于还包括第一参考电路，第一参考电路用于将表示在多条参考线中的一条参考线的电位的第一类型的参考电压施加到与多个读出放大器中的所述的一条参考线对应的读出放大器。4.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于由用于表示在多条参考线中对应的一条参考线的电位的第一类型的参考电压来控制多个电流负载电路中的每一个的电流提供能力。5.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于多个电流负载电路中的每一个包括PMOS晶体管，所述的PMOS晶体管具有通过多条参考线中对应的一条参考线将参考电压施加到其上的栅极。6.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于还包括第二参考电路，第二参考电路用于施加第二类型的参考电压，以便控制多个电流负载电路中的每一个的电流提供能力。7.根据权利要求6所述的读取电路，其特征在于多个电流负载电路中的每一个包括具有与第二参考电路连接的栅极的PMOS晶体管。8.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于还包括第一参考电路，第一参考电路用于将表示多条参考线中的一条参考线的电位的第一类型的参考电压施加到与多个读出放大器中的所述的一条参考线对应的读出放大器；以及第二参考电路，用于施加第二类型的参考电压，以便控制多个电流负载电路中的每一个的电流提供能力，其中，第一参考电路与第二参考电路进行电连接。9.根据权利要求2所述的读取电路，其特征在于单元电流分割部分包括多个NMOS晶体管，以及多个NMOS晶体管中的每一个包括栅极、以及与栅极连接的源极。10.根据权利要求9所述的读取电路，其特征在于多个NMOS晶体管中的每一个与多个电流负载电路中对应的电流负载电路连接，以及依据与对应的NMOS晶体管连接的电流负载电路的电流提供能力，多个NMOS晶体管中的每一个的电流提供能力是不同的。11.根据权利要求10所述的读取电路，其特征在于当多个NMOS晶体管中的每一个电流提供能力越高时，与所述的NMOS晶体管连接的电流负载电路的电流提供能力越低；并且当多个NMOS晶体管中的每一个的电流提供能力越低时，与所述的NMOS晶体管连接的电流负载电路的电流提供能力越高。12.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于多个分割读取电路并行操作。13.根据权利要求1所述的读取电路，其特征在于多个存储单元中的每一个是多值存储单元。14.根据权利要求3所述的读取电路，其特征在于第一参考电路包括多个参考电压设置电路，多个参考电压设置电路中的每一个包括多个电流负载电路中的每一个通过在多条子参考线中对应的一条子参考线，与参考元件连接，以及电流电压转换电路，电流电压转换电路将流经多条子参考线中的一条子参考线的电流转换为用于表示所述的一条子参考线的电位的参考电压，以及其中，由多个参考电压设置电路中的一个参考电压设置电路中输出的参考电压控制在多个参考电压设置电路中的另一参考电压设置电路中包括的、多个电流负载电路中的至少一个的电流提供能力。15.根据权利要求8所述的读取电路，其特征在于第二参考电路包括多个参考电压设置电路，多个参考电压设置电路中的每一个包括多个电流负载电路，多个电流负载电路中的每一个通过多条子参考线中对应的一条子参考线，与参考元件连接，以及电流电压转换电路，电流电压转换电路将流经多条子参考线中的一条子参考线的电流转换为用于表示所述的一条子参考线的电位，以及其中，由从第一参考电路中输出的参考电压控制在多个参考电压设置电路中的一个参考电压设置电路中包括的、多个电流负载电路中的至少一个的电流提供能力。16.一种产生用于从多个存储单元中的一个存储单元中读取数据的参考电压的参考电路，所述的参考电路包括多个参考电压设置电路，多个参考电压设置电路中的每一个包括多个电流负载电路，多个电流负载电路中的每一个通过多条子参考线中对应的一条子参考线，与参考元件连接，以及电流电压转换电路，电流电压转换电路将流...

【专利技术属性】
技术研发人员：森康通，吉本贵彦，安西伸介，野岛武，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：