用于非易失性存储器的自升压技术制造技术

以避免编程干扰的方式来编程非易失性半导体存储系统（或其它类型的存储系统）。在包括使用ＮＡＮＤ结构的闪存系统的一个实施例中，通过在编程处理期间增加ＮＡＮＤ串的源极端的沟道电位来避免编程干扰。一个示例性实施包括将电压（例如Ｖｄｄ）施加于源极触点以及导通对应于被禁止的单元的ＮＡＮＤ串的源极端选择晶体管。另一实施包括在施加编程电压之前将预充电电压施加于对应于被禁止的单元的ＮＡＮＤ串的未被选择的字线。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及用于对存储器件编程的技术。在一个实施例中，本专利技术涉及利用自升压(selfboosting)技术对非易失性存储器(例如闪存器件)的编程。
技术介绍
半导体存储器件已经非常普遍地被用在各种电子设备中。例如，非易失性半导体存储器被用在蜂窝电话、数字相机、个人数字处理、移动计算设备、非移动计算设备和其它设备中。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪存是最普遍的非易失性半导体存储器。闪存系统的一个例子采用NAND(与非)结构，它包括串联布置在两个选择门(select gate)之间的多个晶体管。串联的晶体管和选择门被称为NAND串。图1是示出一个NAND串的俯视图。图2是其等效电路。在图1和2中描述的NAND串包括夹在第一选择门120和第二选择门122之间的串联的四个晶体管100、102、104和106。选择门120将NAND串连接至位线126。选择门122将NAND串连接至源线128。通过将适当的电压施加于选择门120的控制栅极(control gate)120CG来控制选择门120。通过将适当的电压施加于选择门122的控制栅极122CG来控制选择门122。晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对存储系统编程的方法，包括步骤：提升一组存储元件的源极端沟道区的电压电位，所述存储元件组包括要被禁止的存储元件；将编程电压施加于被选择用于编程的存储元件和所述要被禁止的存储元件；和将通过电压施加于至少一个所述存储 元件组的子集，除了所述升压步骤之外，执行所述施加通过电压的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-3-5 10/379,6081.一种对存储系统编程的方法，包括步骤提升一组存储元件的源极端沟道区的电压电位，所述存储元件组包括要被禁止的存储元件；将编程电压施加于被选择用于编程的存储元件和所述要被禁止的存储元件；和将通过电压施加于至少一个所述存储元件组的子集，除了所述升压步骤之外，执行所述施加通过电压的步骤。2.如权利要求1所述的方法，其中所述被选择用于编程的存储元件是作为NAND单元的第一串的部分的NAND单元；所述存储元件组包括NAND单元的第二串；所述被选择用于编程的存储元件和要被禁止的存储元件两者都连接到第一字线；和所述施加编程电压的步骤包括将所述编程电压施加于所述第一字线。3.如权利要求1所述的方法，其中所述被选择用于编程的存储元件是作为NAND单元的第一串的部分的NAND单元；所述存储元件组包括NAND单元的第二串；所述被选择用于编程的存储元件和要被禁止的存储元件两者都连接到第一字线；附加字线连接到NAND单元的所述第一串和NAND单元的所述第二串的其他NAND单元；和所述施加通过电压的步骤包括将所述通过电压施加于所述其他字线的至少一个子集。4.如权利要求1所述的方法，其中所述被选择用于编程的存储元件是作为NAND单元的第一串的部分的NAND单元；所述存储元件组包括NAND单元的第二串；所述被选择用于编程的存储元件和要被禁止的存储元件两者都连接到第一字线；附加字线连接到NAND单元的所述第一串和NAND单元的所述第二串的其他NAND单元；所述附加字线包括一源极端相邻字线和其他多条源极端字线；和所述施加通过电压的步骤包括将所述通过电压施加于所述其他源极端字线和将0伏施加于所述源极端相邻字线。5.如权利要求1所述的方法，其中所述升压步骤包括将预充电电压施加于与所述要被禁止的存储元件对应的字线的源极端上的一条或多条字线。6.如权利要求1所述的方法，其中所述被选择用于编程的存储元件是作为NAND单元的第一串的部分的NAND单元；所述存储元件组包括NAND单元的第二串；所述被选择用于编程的存储元件和要被禁止的存储元件两者都连接到第一字线；附加字线连接到NAND单元的所述第一串和NAND单元的所述第二串的其他NAND单元；所述附加字线包括源极端字线；和所述升压步骤包括将预充电电压施加于一条或多条所述源极端字线。7.如权利要求6所述的方法，其中所述施加预充电电压的步骤在所述施加通过电压的步骤之前开始。8.如权利要求6所述的方法，其中所述预充电电压小于所述编程电压。9.如权利要求6所述的方法，其中所述预充电电压小于所述通过电压。10.如权利要求1所述的方法，其中所述被选择用于编程的存储元件是作为NAND单元的第一串的部分的NAND单元；所述存储元件组包括NAND单元的第二串；所述被选择用于编程的存储元件和要被禁止的存储元件两者都连接到第一字线；附加字线连接到NAND单元的所述第一串和NAND单元的所述第二串的其他NAND单元；所述附加字线包括源极端字线；和所述升压步骤包括将预充电电压施加于所有的所述源极端字线。11.如权利要求1所述的方法，其中所述被选择用于编程的存储元件是作为NAND单元的第一串的部分的闪存单元；所述存储元件组是包括NAND单元的第二串的闪存单元；所述被选择用于编程的存储元件和要被禁止的存储元件两者都连接到第一字线；附加字线连接到NAND单元的所述第一串和NAND单元的所述第二串的其他闪存单元；所述附加字线包括一源极端相邻字线和多条其他源极端字线；所述升压步骤包括将预充电电压施加于所述源极端相邻字线和一条或多条所述其他源极端字线；所述施加预充电电压的步骤在所述施加通过电压的步骤之前开始；所述施加通过电压的步骤包括将所述通过电压施加于所述其他源极端字线；所述施加编程电压的步骤包括将所述编程电压施加于所述第一字线；和所述方法还包括步骤将第一电压施加于与所述NAND单元的第一串对应的第一位线，和将第二电压施加于与NAND单元的第二串对应的第二位线。12.如权利要求1所述的方法，其中所述升压步骤包括步骤将第一预充电电压施加于对应于所述要被禁止的存储元件的源极线；和将所述源极线电连接到所述存储元件组。13.如权利要求12所述的方法，其中所述升压步骤还包括步骤将第二预充电电压施加于与所述被选择以禁止的存储元件对应的字线的源极端上的一条或多条字线。14.如权利要求12所述的方法，其中所述存储元件组包括NAND串；和所述电连接步骤包括操作选择器件以将所述源极线电连接到所述NAND串。15.如权利要求12所述的方法，其中所述存储元件组包括NAND串；所述NAND串包括连接到所述源极线的选择晶体管；和所述电连接的步骤包括施加电压以导通所述选择晶体管。16.如权利要求15所述的方法，其中所述升压步骤还包括步骤将第二预充电电压施加于与所述被选择以禁止的存储元件对应的字线的源极端上的一条或多条字线。17.如权利要求1所述的方法，其中所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里W卢茨，陈健，李严，东谷正彰，
申请(专利权)人：桑迪斯克公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]