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以避免编程干扰的方式来编程非易失性半导体存储系统（或其它类型的存储系统）。在包括使用ＮＡＮＤ结构的闪存系统的一个实施例中，通过在编程处理期间增加ＮＡＮＤ串的源极端的沟道电位来避免编程干扰。一个示例性实施包括将电压（例如Ｖｄｄ）施加于源极触点...
该专利属于桑迪斯克公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪斯克公司授权不得商用。

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