【技术实现步骤摘要】
原子层沉积装置
[0001]本技术关于一种原子层沉积装置，尤其指一种透过载盘与挡件形成反应空间以调节制程流体(例如，前驱物或涤洗气体)的流场的原子层沉积装置。
技术介绍
[0002]集成电路技术的发展已经成熟，且目前电子产品朝向轻薄短小、高性能、高可靠性与智能化的趋势发展。电子产品中的晶体管的微缩技术至关重要，小尺寸的晶体管会对电子产品的性能产生重要影响，当晶体管的尺寸愈小，可减少电流传输时间并降低耗能，以达到快速运算并节能的效果。在现今微小的晶体管中，部分关键的薄膜层几乎仅有几个原子的厚度，而发展这些微量结构的技术之一为原子层沉积制程(atomic layer deposition process,ALD process)。
[0003]原子层沉积制程是一种将物质以单原子的形式一层一层地镀于基材表面的技术，其中于制程中，系使反应的前驱物与基材或前一层膜的材料表面进行化学吸附，以生产既薄且均匀的薄膜。于原子层沉积制程中，均匀的沉积薄膜是晶体管微缩的重要基础，如何有效的控制薄膜均匀度为现今的晶体管发展的重要课题。
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积装置，其特征在于，所述原子层沉积装置包括：一腔体，具有容置空间；一喷头，流体连通所述腔体的所述容置空间，用以输送至少一前驱物到所述容置空间；一加热台，设置于所述腔体的所述容置空间内，且具有顶表面；一载盘，位于所述加热台的所述顶表面，并用以承载基材，其中所述载盘为圆盘；至少一中空部件，流体连通所述容置空间且高于所述载盘，并具有至少一抽气孔；及一挡件，高于所述载盘并围绕所述中空部件，且所述挡件连接所述腔体或所述中空部件，而所述挡件具有阻挡部与接触部；一升降装置，连接所述加热台，其中所述升降装置驱动所述加热台与所述载盘靠近所述中空部件，而所述载盘接触所述挡件的所述接触部并带动所述挡件垂直位移，以使所述挡件与所述载盘围绕出反应空间。2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，其中在所述挡件受到重力向下位移时，所述挡件的所述阻挡部用以将所述挡件限制在所述腔体或所述中空部件。3.一种原子层沉积装置，其特征在于，所述原子层沉积装置包括：一腔体，具有容置空间；一喷头，流体连通所述腔体的所述容置空间，用以输送至少一前驱物到所述容置空间；一加热台，设置于所述腔体的所述容置空间内，且具有顶表面；一载盘，位于所述加热台的所述顶表面，并用以承载基材，其中所述载盘为圆盘；至少一中空部件，流体连通所述容置空间且高于所述载盘，并具有至少一抽气孔；一挡件，高于所述载盘并围绕所述中空部件，且具有阻挡部与接触部；及一马达，连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈明胜，吴志清，郭进忠，
申请(专利权)人：鑫天虹厦门科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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