用于含钼或钨薄膜的ALD的前体的合成和用途制造技术

本申请涉及用于含钼或钨薄膜的ALD的前体的合成和用途。提供了用于形成例如MoS2、WS2、MoSe2和WSe2薄膜等含Mo和W薄膜的方法。还提供了用于合成Mo或Wβ

【技术实现步骤摘要】
用于含钼或钨薄膜的ALD的前体的合成和用途
[0001]本申请是分案申请，原申请的申请日为2016年5月24日，申请号为201680029962.7，专利技术名称为“用于含钼或钨薄膜的ALD的前体的合成和用途”。
[0002]相关申请的交叉引用
[0003]依据35 U.S.C.
§
119(e)本申请要求2015年5月27日提交的美国临时专利申请第62/167,220号和2015年6月17日提交的美国临时专利申请第62/167,220号的优先权，所述临时专利申请全文以引用的方式并入本文中。
[0004]联合研究协议的合作对象
[0005]本文中要求的本专利技术是根据或代表和/或结合赫尔辛基大学(the University of Helsinki)与ASM微量化学公司(ASM Microchemistry Oy.)之间的联合研究协议进行的。所述协议在作出所要求的本专利技术的日期当天和之前有效，并且所要求的本专利技术是作为在所述协议的范围内进行的活动的结果而作出。


[0006]本申请大体上涉及用于通过原子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.用于制备Mo或Wβ
‑
二酮化物前体的方法，所述方法包含：提供具有式MX3(R)
n
的第一反应物，其中n是0到4的数字，M是Mo或W，X是卤化物，并且R是溶剂；通过使碱金属化合物与β
‑
二酮化合物反应来形成第一产物；以及随后将所述第一产物加入所述第一反应物，因此形成具有式ML3的Mo或Wβ
‑
二酮化物前体，其中M是Mo或W并且L是β
‑
二酮基配体。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述Mo或Wβ
‑
二酮化物前体是Mo(thd)3。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述碱金属化合物选自BuLi、MeLi、NaH和KH。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述β
‑
二酮化合物包含Hthd；Hacac；Hhfac；Htfac，其中tfac是三氟乙酰丙酮；或Hfod，其中fod是2,2
‑
二甲基
‑
6,6,7,7,8,8,8
‑
七氟
‑
3,5
‑
辛二酮。5.根据权利要求1所述的方法，其中形成第一产物包括将在己烷中的丁基锂加入THF以形成溶液，以及然后将Hthd加入所述溶液以形成Lithd。6.根据权利要求1所述的方法，其中提供第一反应物包括∶通过用还原剂还原Mo或W卤化物来形成第一中间产物；以及通过随后将溶剂加入所述第一产物，形成第二中间产物，因此形成所述第一反应物。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述Mo或W卤化物是无水Mo或W卤化物。8.根据权利要求6所述的方法，其中所述Mo或W卤化物具有式MX5，其中M是Mo或W并且X是卤化物。9.根据权利要求6所述的方法，其中所述Mo或W卤化物是式MX4或MX6的Mo卤化物，其中X是卤化物。10.根据权利要求6所述的方法，其中所述还原剂包含金属。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述还原剂是金属Sn。12.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：ASMIP控股有限公司，
类型：发明
国别省市：