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本申请涉及用于含钼或钨薄膜的ALD的前体的合成和用途。提供了用于形成例如MoS2、WS2、MoSe2和WSe2薄膜等含Mo和W薄膜的方法。还提供了用于合成Mo或Wβ
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该专利属于ASMIP控股有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过ASMIP控股有限公司授权不得商用。

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