向多态磁随机访问存储器单元进行写入的方法技术

一种切换可调节的磁致电阻存储器单元的方法，包括步骤：提供磁致电阻存储器器件（１２），其具有夹在字线（１４）和位线（１６）之间的两个位（１８）和（２０），从而电流波形（１０４）和（１０６）能够在不同的时刻施加在字线和位线上，以产生磁场通量Ｈ↓［Ｗ］和Ｈ↓［Ｄ］，以将设备（１２）的有效磁瞬间向量（８６）和（９４）旋转１８０°。每一位包括Ｎ层铁磁体层（３２），以及（３４，４２），以及（４４，６０），以及（６２，７２和７４），它们通过反铁磁体层耦合。可以对Ｎ调整，以改变位的磁切换量。通过调整字线和／或位线上的电流，可以对一个或两个位编程。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及磁随机访问存储器(MRAM)存储器。尤其是，本专利技术涉及向多态MRAM单元进行写入的方法。
技术介绍
非易失性存储器器件是电子系统中一种非常重要的组件。FLASH是目前使用的一种重要的非易失性存储器器件。典型的非易失性存储器器件使用在悬浮氧化层中捕捉到的电荷来存储信息。FLASH的缺点包括高电压需求以及慢速的编程和擦除时间。而且，FLASH存储器在失效之前只能耐受写104-106次。此外，为了保持合理地保存数据，栅氧化的尺寸受到电子碰到的隧道势垒的限制。因此，FLASH存储器受到可以被缩放的尺度的限制。为了克服这些缺点，下面评价一下磁性存储器器件。一个这样的器件是MRAM单元。但是，为了商业实践，MRAM相对当前的存储器技术必须具有可比较的存储器密度，将来可构造，在低电压下操作，具有低功能耗，具有可竞争的读/写速度。对于MRAM器件，非易失性存储器状态的稳定性，读/写循环的可重复性，以及存储器元件至元件切换场的一致性，是其设计性能的三个最重要的方面。MRAM中的存储器状态不是由电源保持，而是由磁瞬间向量的方向保持。通过施加磁场，以及使MRAM器件中的磁性材料被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对具有位于两个电流导体之间的两个位的存储器单元进行编程的方法，包括：触发两个位的逻辑状态；以及触发两个位之一的逻辑状态。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-8-25 10/647,9761.一种对具有位于两个电流导体之间的两个位的存储器单元进行编程的方法，包括触发两个位的逻辑状态；以及触发两个位之一的逻辑状态。2.根据权利要求1所述的对存储器单元进行编程的方法，还包括读所述两个位，以获得存储的信息；以及在触发该两个位之前将存储的信息与要写入的编程信息比较。3.一种对具有位于两个电流导体之间的两个位的存储器单元进行编程的方法，包括分别触发每一个位的逻辑状态。4.根据权利要求3所述的对存储器单元进行编程的方法，还包括读所述两个位，以获得存储的信息；以及在触发该两个位的每一个之前将所述存储的信息与要写入的编程信息比较。5.一种对具有位于第一和第二电流导体之间的两个位的存储器单元进行编程的方法，包括决定下述一个或两个步骤，包括对每一个导体施加电流，从而设置所述两个位的逻辑状态；以及对每一个导体施加较小的电流，从而仅设置两个位中的一个的逻辑状态。6.根据权利要求5所述的对存储器单元进行编程的方法，还包括读所述两个位，以获得存储的信息；以及在设置该两个位的逻辑状态之前将所...

【专利技术属性】
技术研发人员：布雷德利N恩格尔，埃里奇J萨尔特，约恩M斯劳特，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]