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一种切换可调节的磁致电阻存储器单元的方法，包括步骤：提供磁致电阻存储器器件（１２），其具有夹在字线（１４）和位线（１６）之间的两个位（１８）和（２０），从而电流波形（１０４）和（１０６）能够在不同的时刻施加在字线和位线上，以产生磁场通量Ｈ↓...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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