具有升压读取方案的阈值电压设置制造技术

本发明专利技术描述了用于使用具有多晶硅沟道和p型掺杂源极线的NAND串来减少读取干扰的方法。在NAND串中的选定存储器单元晶体管的升压读取操作期间，可将背栅偏置或位线电压施加到连接到NAND串的位线，并且可将大于该位线电压的源极线电压施加到连接到NAND串的源极线；利用这些偏置条件，可在读取操作期间从位线注入电子并且在源极线中将其根除。为了避免通过未选存储器块中的NAND串的泄漏电流，NAND串的源极侧选择栅极晶体管的阈值电压可被设置为负阈值电压，该负阈值电压的绝对电压值大于在读取操作期间施加的源极线电压。操作期间施加的源极线电压。操作期间施加的源极线电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有升压读取方案的阈值电压设置

技术介绍

[0001]半导体存储器广泛用于各种电子设备，例如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子设备、移动计算设备和非移动计算设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。即使当非易失性存储器未连接至电源(例如，电池)时，非易失性存储器也允许存储和保留信息。非易失性存储器的示例包括闪存(例如，NAND型闪存和NOR型闪存)和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
[0002]闪存和EEPROM都使用浮栅晶体管。对于每个浮栅晶体管，浮栅位于浮栅晶体管的沟道区上方并与之绝缘。沟道区位于浮栅晶体管的源极区和漏极区之间。控制栅位于浮栅上方并与浮栅绝缘。浮栅晶体管的阈值电压可以通过设置存储在浮栅上的电荷量来控制。浮栅上的电荷量通常使用福勒
‑
诺德海姆(F
‑
N)隧穿或热电子注入来控制。调节阈值电压的能力允许浮栅晶体管能够充当非易失性存储元件或存储器单元。在一些情况下，通过编程和读取多个阈值电压或阈值电压范围，可以提供每个存储器单元(即，多电平或多态存储器单元)一个以上的数据位。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种非易失性存储系统，所述非易失性存储系统包括：NAND串，所述NAND串包括连接到位线的漏极侧选择栅极晶体管和连接到源极线的源极侧选择栅极晶体管；和一个或多个控制电路，所述一个或多个控制电路与所述位线和所述源极线通信，所述一个或多个控制电路被配置为确定在读取操作期间要施加到所述源极线的源极线电压以及基于所述源极线电压来确定所述源极侧选择栅极晶体管的阈值电压电平，所述一个或多个控制电路被配置为在所述读取操作之前将所述源极侧选择栅极晶体管的阈值电压设置为所述阈值电压电平，以及被配置为将所述位线设置为小于在所述读取操作期间施加到所述源极线的所述源极线电压的位线电压。2.根据权利要求1所述的非易失性存储系统，其中：所述位线包括n型掺杂位线，并且所述源极线包括p型掺杂源极线。3.根据权利要求1至2中任一项所述的非易失性存储系统，其中：所述源极侧选择栅极晶体管的所述阈值电压包括负阈值电压。4.根据权利要求1至3中任一项所述的非易失性存储系统，其中：所述源极侧选择栅极晶体管的所述阈值电压包括负阈值电压，所述负阈值电压的绝对值大于所述源极线电压。5.根据权利要求1至4中任一项所述的非易失性存储系统，还包括：基于所述源极线电压来确定所述NAND串的源极侧虚设晶体管的阈值电压，所述源极侧虚设晶体管被布置在所述NAND串的所述源极侧选择栅极晶体管和存储器单元晶体管之间；以及在所述读取操作的执行之前设置所述源极侧虚设晶体管的所述阈值电压。6.根据权利要求5所述的非易失性存储系统，其中：所述源极侧虚设晶体管的所述阈值电压包括负阈值电压，所述负阈值电压小于所述源极侧选择栅极晶体管的所述阈值电压。7.根据权利要求1至6中任一项所述的非易失性存储系统，其中：所述NAND串包括竖直NAND串。8.根据权利要求7所述的非易失性存储系统，其中：所述竖直NAND串包括多个电荷俘获晶体管。9...

【专利技术属性】
技术研发人员：榊原清彦，矢部纮贵，大和田健，东谷政昭，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：