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本发明描述了用于使用具有多晶硅沟道和p型掺杂源极线的NAND串来减少读取干扰的方法。在NAND串中的选定存储器单元晶体管的升压读取操作期间，可将背栅偏置或位线电压施加到连接到NAND串的位线，并且可将大于该位线电压的源极线电压施加到连接到N...
该专利属于桑迪士克科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克科技有限责任公司授权不得商用。

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