编程电阻存储器件的方法技术

提供编程ＲＲＡＭ器件的方法。增加的置位电流被施加到ＲＲＡＭ器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态。增加的复位电压被施加到ＲＲＡＭ器件的数据存储层图形，同时测量该数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种编程ＲＲＡＭ器件的方法，该方法包括：　　　　施加增加的置位电流到ＲＲＡＭ器件的数据存储层图形，同时测量数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的置位态；以及　　　　施加增加的复位电压到ＲＲＡＭ器件的数据存储层图形，同时测量数据存储层图形的电阻，直到该电阻表示数据存储层图形中的复位态。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：白寅圭，李将银，吴世忠，南坰兑，郑峻昊，林恩京，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[]