移位寄存器电路制造技术

技术编号:3081818 阅读:183 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
移位寄存器电路的每一级包括:连接到前级的输出的第一输入(R↓[n-i]);用于将第一时钟控制电源线电压(P↓[n])耦合到该级的输出(R↓[n])的驱动晶体管(T↓[drive]);用于补偿驱动晶体管的寄生电容的影响的补偿电容器(C-i);连接在驱动晶体管的栅极与该级的输出(R↓[n])之间的第一自举电容器(C↓[2]);以及用于对第一自举电容器(C↓[2])进行充电并由第一输入(R↓[n-i])控制的输入晶体管(T,ni)。每一级具有耦合到比该级前两级(或更多级)的那一级的输出(R↓[n-2])的输入部分(10),该输入部分包括连接在输入晶体管(T,ni)的栅极与第一输入(R↓[n-i])之间的第二自举电容器(C↓[3])。使用两个自举电容器使得该电路对于阈值电压电平或变化较不敏感,并且能够利用非晶硅工艺来实现。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】移位寄存器电路本专利技术涉及移位寄存器电路,特别用于向有源矩阵显示装置的显 示像素提供行电压。有源矩阵显示装置包括设置成行或列的像素阵列,并且每一像素 包括至少一个薄膜驱动晶体管和显示元件,例如液晶单元。每一行的 像素共享一行导体,其连接到该行中的像素的薄膜晶体管的栅极。每一列的像素共享一列导体,向其提供像素驱动信号。行导体上的信号 决定晶体管是导通还是截止,并且当(通过行导体上的高压脉冲)使 晶体管导通时,允许来自列导体的信号传送到液晶材料的区域,由此 改变材料的光传输特性。有源矩阵显示装置的帧(场)周期需要在短的时间周期内对一行 像素进行寻址,并且这又对晶体管的电流驱动能力提出了要求以便将 液晶材料充电或放电到所期望的电压电平。为了满足这些电流要求, 提供给薄膜晶体管的栅极电压需要以显著的电压摆动来波动。在非晶硅驱动晶体管的情况下,该电压摆动大约为30伏。对于行导体中的大电压摆动的要求需要使用高压部件实施行驱 动电路。已经对将行驱动电路集成到与显示像素阵列的基板相同的基板 上有非常大的兴趣。 一种可能性是使用多晶硅用于像素晶体管,因为 该技术更容易适用于行驱动电路的高压电路元件。于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括多级的移位寄存器电路,每一级包括:    连接到前级的输出的第一输入(R↓[n-1]);    用于将第一时钟控制电源线电压(P↓[n])耦合到该级的输出(R↓[n])的驱动晶体管(T↓[drive]);    用于补偿所述驱动晶体管的寄生电容的影响的补偿电容器(C↓[1]);    连接在所述驱动晶体管的栅极与该级的输出(R↓[n])之间的第一自举电容器(C↓[2]);以及    用于对所述第一自举电容器(C↓[2])进行充电并由所述第一输入(R↓[n-1])控制的输入晶体管(T↓[in1]),    其中每一级还包括耦合到比该级前两级或更多级的那一级的输出(R↓[n-2])的输入部...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2005-3-22 05102310.91、 一种包括多级的移位寄存器电路,每一级包括连接到前级的输出的第一输入(R^);用于将第一时钟控制电源线电压(Pn)耦合到该级的输出(Rn)的驱动晶体管(Tdrive);用于补偿所述驱动晶体管的寄生电容的影响的补偿电容器(C,);连接在所述驱动晶体管的栅极与该级的输出(Rn)之间的第一自举电容器(C2);以及用于对所述第一自举电容器(C2)进行充电并由所述第一输入(Rw)控制的输入晶体管(Tinl),其中每一级还包括耦合到比该级前两级或更多级的那一级的输出(Rn-2)的输入部分(10),并且其中所述输入部分包括连接在所述 输入晶体管(Tinl)的栅极与所述第一输入(Rn-,)之间的第二自举电 容器(C3)。2、 如权利要求l所述的电路,其中所述输入部分耦合到比该级 前两级的那一级的输出(Rn-2)。3、 如权利要求1或2所述的电路,其中每一级还包括连接到下 一级的输出的第二输入(Rn+1)。4、 如权利要求3所述的电路,其中所述第二输入(Rn+1)连接到 复位晶体管(TKn+1))的栅极,该复位晶体管连接在所述驱动晶体管 的栅极与低电源线(V。ff)之间。5、 如任何前述权利要求所述的电路,其中每一级的所述补偿电 容器(Q)连接在所述驱动晶体管的栅极与第二时钟控制电源线电压 (invPn)之间,该第二时钟控制电源线电压与所述第一电源线电压 (Pn)为互补时钟控制。6、 如任何前述权利要求所述的电路,其中所述输入部分(10) 包括用于将晶体管阈值电压存储在所述第二自举电容器(C3)上的电 路元件。7、 如任何前述权利要求所述的电路,其中所述输入部分还包括 第二输入晶体管(Tin2),其将比该级前两级的那一级的输出提供给所述第一输入晶体管(Tinl)的栅极;以及衰减晶体管(Tdeeay),其与所述第二自举电容器并联连接,用于 衰减所述第二自举电容器上的电压直到到达所述衰减晶体管的阈值 电压为止。8、 如权利要求7所述的电路,其中所述衰减晶体管(Tdeeay)的 尺寸基本上与所述第一输入晶体管(Tinl)相同。9、 如权利要求1至5中的任何一项所述的电路,其中所述输入 部分(10)还包括第二输入晶体管(Tin2),其将比该级前两级的那一 级的输出提供给所述第一输入晶体管(Tinl)的栅极。10、 如权利要求9所述的电路,其中所述第一输入晶体管(Tinl) 连接在输入线(L^)与所述驱动晶体管(Tdrive)的栅极之间,并且 其中在前级的输出为高时所述输入线(Ln.。为高,并且其至少紧接 在前级的输出具有从高到低的转变之后为高。11、 如权利要求io所述的电路,其中所述输入线在该电路操作期间一直为高。12、 如权利要求10或11所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:SC迪恩
申请(专利权)人:皇家飞利浦电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]

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