半导体存储器件及其操作方法技术

公开了一种半导体器件，包括存储单元阵列和命令接口，所述命令接口被配置成从半导体存储器件的外部接收命令。命令接口还被配置成解释所接收的命令，并且确定所接收的命令是否是连续操作命令。命令接口输出与命令相对应的命令信号，以及至少一个标记信号，如果命令是连续操作命令，则所述标记信号表示连续操作时间段。控制单元被配置成接收从命令接口输出的命令信号和至少一个标记信号，并且基于所接收的命令信号和至少一个标记信号来产生泵控制信号。电荷泵被配置成响应于泵控制信号，产生供存取存储单元阵列以读、写、和／或擦除数据之用的电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储器件，具体地，涉及一种可以驱动电荷 泵的非易失性半导体存储器件以及一种控制电荷泵的方法。
技术介绍
半导体存储器件包括易失性半导体存储器件和非易失性半导体存 储器件。易失性半导体存储器件包括动态随机存取存储器和静态随机存 取存储器。易失性半导体存储器件可以以快速的读和写速度为特征，但 是当去除或失去外部电源时可能丢失所存储的内容。非易失性半导体存 储器件包括掩模只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、可 擦除可编程只读存储器(EPROM)以及电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)。非易失性半导体存储器件即使当去除或失去外部电源时也保 持其内容。因此，可以将非易失性半导体存储器件用于存储与是否施加 电源无关地必须保持的内容。然而，MROM、 PR0M、和/或EPROM可能使用户不易于更新存储器的 内容，因为系统不能自由地做出擦除和写入。相反，EEPROM可以电学地 擦除和写入，以便日益应用于要求连续更新的系统编程或辅助存储器件。 具体地，闪速EEPROM (下文中称作闪速存储器件)可以有利于高容量辅 助存储器件应用，因为其与传统的EEPR本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：　　　　存储单元阵列；　　　　命令接口，被配置成从半导体存储器件的外部接收命令，解释所接收的命令，以确定所接收的命令是否是连续操作命令，并输出与所述命令相对应的命令信号以及至少一个标记信号，如果所述命令是连续操作命令则所述标记信号表示连续操作时间段；　　　　控制单元，被配置成接收从命令接口输出的所述命令信号和所述至少一个标记信号，并且基于所接收的命令信号和至少一个标记信号来产生泵控制信号；以及　　　　电荷泵，被配置成响应于泵控制信号，产生供存取存储单元阵列以读、写、和／或擦除数据之用的电压。

【技术特征摘要】
KR 2006-10-2 10-2006-00971941.一种半导体存储器件，包括存储单元阵列；命令接口，被配置成从半导体存储器件的外部接收命令，解释所接收的命令，以确定所接收的命令是否是连续操作命令，并输出与所述命令相对应的命令信号以及至少一个标记信号，如果所述命令是连续操作命令则所述标记信号表示连续操作时间段；控制单元，被配置成接收从命令接口输出的所述命令信号和所述至少一个标记信号，并且基于所接收的命令信号和至少一个标记信号来产生泵控制信号；以及电荷泵，被配置成响应于泵控制信号，产生供存取存储单元阵列以读、写、和/或擦除数据之用的电压。2. 如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述命令接口包括命令解码器，被配置成接收所述命令，解释所接收的命令，并且向 控制单元输出与所述命令相对应的命令信号；以及标记信号产生单元，被配置成接收由命令解码器解释的命令，并且 向控制单元输出所述至少一个标记信号，所述标记信号表示所述命令是 否是连续操作命令，并且如果所述命令是连续操作命令则表示连续操作 时间段。3. 如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述标记信号产 生单元包括命令寄存器，被配置成接收和存储命令信号；连续操作命令存储单元，被配置成存储关于连续操作命令的信息； 比较单元，被配置成针对存储在命令寄存器中的命令信号，在连续操作命令存储单元中所存储的关于连续操作命令的信息中进行搜索，并且基于搜索结果产生所述至少一个标记信号。4. 如权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述标记信号产生单元被配置成当连续操作命令的第一操作时间段开始时，产生具有第 一逻辑电平的第一标记信号。5. 如权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑龙泽，姜相喆，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]