存储器及存储器数据读取电路制造技术

本发明专利技术为一种存储器及存储器数据读取电路，特别涉及一种存储器数据的读取电路，利用存储器的低工作电压特性，在存储器中的位线组之间耦接一二极管，利用二极管所产生的压降约为工作电压的二分之一的现象，用以取代原先复杂的预先充电电路。本发明专利技术所提供的存储器及存储器数据读取电路，可减少预先充电电路。

【技术实现步骤摘要】
存储器及存储器数据读取电路技术领城本专利技术为 一种存储器数据读取电路，特别是一种可减少预先 充电电路的存储器数据读取电路。
技术介绍
已知的存储器数据读取电路会利用 一预先充电电路来对被读 取的存储单元所耦接的位线进行预先充电，以加快存储器读取的 速度。请参考图l。图l为已知利用预先充电电路的存储器数据读取电路。在附图说明图1中，放大器会根据位线w与^Z的电压差来得知存储 器中储存的数据。 一般来说，若存储器的工作电压为VDD，那预 先充电电路10则会将位线m与豆充电至* V D D ，以得到 一 最佳的 工作点，因此预先充电电路10的作用即为提供一电压为备VDD的 电压源。由于目前的趋势为将存储器的工作电压设计的越来越低， 因此预先充电电路10所要产生的电压也越来越小，而要产生稳定 的定电压又可能使得预先充电电路10的电路变得复杂，因此如何 能提供一种可减少预先充电电路的存储器数据读取电路是研究人 员思考的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的为提供一种可减少预先充电电路的存储器数据 读取电路。本专利技术提供一种存储器数据读取电路，包括一第一位线、一 第二位线、 一第一开关，耦接该第一位线、 一第二开关，耦接该 第二位线、 一数据储存单元、 一字线、 一第一晶体管、 一第二晶 体管、 一放大器以及一二极管。该放大器，具有一第一输入端，耦接该第一位线、 一第二输入端，耦接该第二位线、以及一输出 端，该放大器是用以根据该第一输入端及该第二输入端所接收的 数据于该输出端输出一输出数据。该二极管，具有一阳极，耦接 一电压源与 一 阴极耦接该第 一 开关与该第二开关。该第 一 晶体管， 具有一第一源极、一第一漏极以及一第一栅极，其中该第一源极耦接该第一位线，该第一漏极耦接该数据储存单元，该第一栅极 耦接该字线。该第二晶体管，具有一第二源极、 一第二漏极以及 一第二栅^及，其中该第二源极耦接该第二位线，该第二漏极耦接 该数据储存单元，该第二栅极耦接该字线。本专利技术所述的存储器数据读取电路，其中该电压源所提供的 电压约为该二极管提供的压降的两倍。本专利技术所述的存储器数据读取电路，其中该二极管提供一0.6V至0.8V的压降。本专利技术所述的存储器数据读取电路，其中该电压源所提供的 电压约为1.2V至1.6V。本专利技术所述的存储器数据读取电路，其中该二极管由一 NMOS晶体管组成。本专利技术所述的存储器数据读取电路，其中该二极管由一 PMOS晶体管组成。本专利技术更提供一种存储器，包括多条字线、多组位线、多个 存储单元、多个放大器、多个二极管以及一电压源。所述存储单 元以矩阵方式排列，其中每一存储单元可由对应的该字线与对应 的该组位线存取数据。所述多个放大器耦接所述多组位线，用以 读取并放大存储单元中的数据。所述二极管，耦接所述多组位线。 该电压源，透过所述二极管对所述多组位线进行预先充电。本专利技术所述的存储器，其中每一该组位线包括一第一位线以 及一第二位线，每一对应该组位线的该二极管透过一第一开关以及一 第二开关摔禹4妄该第 一位线以及该第二位线。本专利技术所述的存储器，其中该二极管提供一0.6V至0.8V的压降。本专利技术所述的存储器，其中该电压源所提供的电压约为1.2V 至1.6V。本专利技术所述的存储器，其中该二极管由一 N M 0 S晶体管组成。 本专利技术所述的存储器，其中该二极管由一 P M 0 S晶体管组成。 本专利技术所提供的存储器及存储器数据读取电路，可减少预先 充电电if各。附困说明图l为已知利用预先充电电路的存储器数据读取电路。 图2为根据本专利技术的存储器数据读取电路的一实施例的电路图。图3为根据本专利技术的存储器数据读取电路的另 一 实施例的电 路图。图4为根据本专利技术的存储器数据读取电路的另 一 实施例的电 路图。具体实施方式图2为根据本专利技术的存储器数据读取电路的一实施例的电路 图。放大器21具有两个输入端，分别耦接第一位线^与第二位线 ^。第一开关23耦接第一位线第二开关24耦接第二位线瓦。 二极管22的极耦接电压源VDD,其阴极耦接第一开关23与第二 开关24,且利用第一开关23与第二开关24的导通使得电压源VDD 分别对第 一位线见与第二位线^进行预先充电。第 一 晶体管25具 有一第一源极、 一第一漏极以及一第一栅极，其中该第一源极耦接该第一位线BL，该第一漏极耦接一数据储存单元27，该第一栅 极耦接一字线WL。第二晶体管26具有一第二源极、 一第二漏极以 及一第二栅极，其中该第二源极耦接该第二位线^Z,该第二漏极 耦接该数据储存单元27,该第二栅极耦接该字线WL。当数据储存 单元27被选择到时，字线WL会传送一高电压信号，用以导通第一 晶体管25与第二晶体管26，使得数据储存单元27中储存的数据透 过第一位线厄与第二位线豆传送至放大器21，放大器21是用以根 据第一输入端及第二输入端所接收的数据于其输出端输出 一输出 数据。数据储存单元27更包括一第一反相器28，其输出端耦接该 第一晶体管25的第一漏极， 一第二反相器29,其输入端耦接该第 一反相器28的输出端，其输出端耦接该第二晶体管26的第二漏极。在本实施例中，存储器的操作电压VDD的电压值约为1.2V到 1.6V,且二极管22所产生的压降约为0.6V至0.8V。图3为根据本专利技术的存储器数据读取电路的另 一实施例的电 路图。放大器31具有两个输入端，分别耦接第一位线^与第二位 线E。第一开关33耦接第一位线第二开关34耦接第二位线^。 在图3中，二极管由一NMOS晶体管所形成，该NMOS晶体管的栅 极漏极耦接，用以形成一PN结的二极管。NMOS晶体管32的源极 耦接电压源VDD,其漏极耦接第一开关33与第二开关34,且利用 第 一 开关33与第二开关34的导通使得电压源VDD分别对第 一位 线w与第二位线瓦进行预先充电。第 一 晶体管35具有 一 第 一 源极、 一第 一漏极以及一 第 一栅极，其中该第 一 源极耦接该第 一位线5丄， 该第 一 漏极耦接一数据储存单元37,该第 一栅极耦接一 字线WL。 第二晶体管36具有一第二源极、 一第二漏极以及一第二栅极，其 中该第二源极耦接该第二位线M,该第二漏极耦接该数据储存单元37，该第二栅极耦接该字线WL。当数据储存单元37被选择到时， 字线WL会传送一高电压信号，用以导通第一晶体管35与第二晶体管36，使得数据储存单元37中储存的数据透过第 一位线^与第二 位线豆传送至放大器31的输出端输出 一输出数据。数据储存单元 37更包括一第一反相器38，其输出端耦接该第一晶体管35的第一 漏极， 一第二反相器39,其输入端耦接该第一反相器38的输出端， 其输出端耦接该第二晶体管36的第二漏极。在本实施例中，存储器的操作电压VDD的电压值约为1.2V到 1.6V，且NMOS晶体管32所形成的二极管所产生的压降约为0.6V 至0.8V。图4为根据本专利技术的存储器数据读取电路的另 一实施例的电 路图。放大器41具有两个输入端，分别耦接第一位线^与第二位 线^Z。第一开关43耦接第一位线^，第二开关44耦接第二位线^。 在图4中，二极管由一PMOS晶体管所形成，该PMOS晶体管的栅 极漏极耦接，用以形成一PN结的二极管。PMOS晶体管42的源极 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器数据读取电路，其特征在于，该存储器数据读取电路包括：一第一位线；一第二位线；一放大器，具有一第一输入端、一第二输入端以及一输出端，该第一输入端耦接该第一位线、该第二输入端耦接该第二位线，该放大器是用以根据该第一输入端及该第二输入端所接收的数据于该输出端输出一输出数据；一第一开关，耦接该第一位线；一第二开关，耦接该第二位线；一二极管，具有一阳极，耦接一电压源与一阴极耦接该第一开关与该第二开关；一数据储存单元；一字线；一第一晶体管，具有一第一源极、一第一漏极以及一第一栅极，其中该第一源极耦接该第一位线，该第一漏极耦接该数据储存单元，该第一栅极耦接该字线；以及一第二晶体管，具有一第二源极、一第二漏极以及一第二栅极，其中该第二源极耦接该第二位线，该第二漏极耦接该数据储存单元，该第二栅极耦接该字线。

【技术特征摘要】
1. 一种存储器数据读取电路，其特征在于，该存储器数据读取电路包括一第一位线；一第二位线；一放大器，具有一第一输入端、一第二输入端以及一输出端，该第一输入端耦接该第一位线、该第二输入端耦接该第二位线，该放大器是用以根据该第一输入端及该第二输入端所接收的数据于该输出端输出一输出数据；一第一开关，耦接该第一位线；一第二开关，耦接该第二位线；一二极管，具有一阳极，耦接一电压源与一阴极耦接该第一开关与该第二开关；一数据储存单元；一字线；一第一晶体管，具有一第一源极、一第一漏极以及一第一栅极，其中该第一源极耦接该第一位线，该第一漏极耦接该数据储存单元，该第一栅极耦接该字线；以及一第二晶体管，具有一第二源极、一第二漏极以及一第二栅极，其中该第二源极耦接该第二位线，该第二漏极耦接该数据储存单元，该第二栅极耦接该字线。2. 根据权利要求l所述的存储器数据读取电路，其特征在于， 该电压源所提供的电压为该二极管提供的压降的两倍。3. 根据权利要求l所述的存储器数据读取电路，其特征在于， 该二极管提供一0.6V至0.8V的压降。4. 根据权利要求3所述的存储器数据读取电路，其特征在于， 该电压源所提供的电压为1.2V至1.6V。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈彦文，周彦云，
申请(专利权)人：普诚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[]