磁记录介质的制造方法和制造装置制造方法及图纸

提供能高效率制造可以阻止介质的翘起和分割记录要素的磁性能劣化、加工形状偏差并具有良好磁特性的磁记录介质的方法等和制造装置。同时加工被加工体（１０）的两面。另外用离子束蚀刻作为连续记录层（２０）的干蚀刻方法。在连续记录层（２０）的干蚀刻前除去抗蚀剂层（２６）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在基板两面形成分割记录层的磁记录介质的制造方法和制造装置。
技术介绍
以前，硬盘等磁记录介质试图通过构成记录层的磁性粒子的微细化，材料的变更，磁头加工的微细化等来显著地提高面记录密度，今后也期待进一步提高面记录密度。另外，磁记录介质一般在两面具有记录层。然而，由于磁头的加工极限、由磁场的展宽而引起的侧散乱边纹和交调干扰等问题变得严重，用从来的改进方法提高面记录密度已达到极限，所以作为能实现进一步提高面记录密度的磁记录介质的候补方法有人建议将连续记录层分割成多个分割记录层构成的分立型磁记录介质(参照例如特开平9-97419号公报)。作为实现连续记录层的微细的分割的加工技术可以利用离子束蚀刻、以添加NH3(氨)气等含氮气的CO(一氧化碳)气为反应性离子蚀刻(参照例如特开平12-322710号公报)等的干蚀刻的方法。作为用干蚀刻将所用的掩模层加工成规定的图形的方法可以利用在用抗蚀剂层的光刻等半导体制造领域中用的方法。
技术实现思路
然而，像分立型的磁记录介质那样在两面的记录层上进行加工在以前不存在，在两面的连续记录层等上实际进行干蚀刻等加工时往往在磁记录介质上发生翘起。另外，在连续记录层等成膜工序也往往发生翘起。由于磁记录介质是片状体，所以一般认为即使是非顺序的成膜或加工，因进行这些加工产生厚度方向不均匀的应力，而发生翘起。为了使磁头浮起稳定，而虽然优选的是，磁记录介质的表面是平坦的，但由于这样的翘起而往往使磁头浮起变得不稳定。即使用反应性离子蚀刻等以前的干蚀刻方法也能将连续记录层以微细的图形分割成多个分割记录层往往因磁记录介质上的位置的不同而分割的记录要素的加工精度的偏差不同，并且因分割的磁记录要素过度加热而引起磁性能劣化。另外，往往沿着分割记录要素的周缘部形成飞边那样的台阶部，同时形成侧面为锥状的分割记录要素，在所希望的加工形状与实际的加工形状之间发生一定的偏差。因为这样的磁性能劣化和分割磁记录要素的加工形状的偏差而往往不能获得所期望的磁特性。例如反应性离子蚀刻有在被加工体的端部附近等离子分布变得不稳定的倾向，并有在端部附近加工精度容易降低的倾向。另外，由于用在磁性物的加工中的以CO(一氧化碳)气体为反应性离子束蚀刻需要大的偏置功率，容易使被加工体的温度变成高温，所以往往因分割记录要素加热过度而引起磁特性劣化。另外，虽然通过设置冷却机构可以防止分割要素的过度加热，但会使制造装置的构造复杂，成本增加，同时因等离子的分布在被加工体的端部附近有不稳定的倾向，而容易使温度分布变得不均匀，使被加工的均匀冷却变为困难。为了实现磁记录介质的批生产，而希望将多个被加工体并排配置进行同时加工，但是因为冷却机构一般具有ESC(静电吸盘)和偏置施加机构，所以设置这样的冷却机构本身因空间和加工精度等事项而变为困难，并且使用必需对被加工体冷却的反应性离子蚀刻的多个同时处理的分立型的磁记录介质的批生产是困难的。与此相反，虽然如用离子束蚀刻能解决以上的问题，但在用离子束蚀刻时，存在沿分割记录要素的周缘部容易形成飞边那样的阶梯部的问题。如果更详细地说明，则如图21A所示那样，在用离子束蚀刻加工从连续记录层100的掩模102中露出的部分时，连续记录层100的除去，已被除去的粒子的一部分再附着在掩模102的侧面102A等上重复进行，虽然再附着物如果量少可以逐次被离子束除去，但当量多时，则就如图21所示那样，一部分沉积在掩模102的侧面上，结果如图21所示那样，就在分割记录要素104的周缘部形成阶梯部106。虽然这个现象不管干蚀刻的种类都会发生，但用离子束蚀刻特别显著。另外，众所周知，为了阻止该现象而可以用通过从相对被加工体的表面的法线倾斜的方向照射离子束等有效地从加工部侧面上除去再附着物的方法，但对像分立型的磁记录介质这样的图形是微细的场合，则没有效。另外，在用干蚀刻的场合，如图22A所示那样，侧面200A形成近似理想的形状的分割记录要素200是困难的，实际上如图22B所示那样，形成侧面200A为锥状的分割记录要素200。当更详细地说明时，一般认为，由于在用干蚀刻中，一部分气体从相对被加工体垂直方向若干倾斜地接近，即使蚀刻对象区域的端部从掩模202中露出，对倾斜接近的气体也变成掩模220的阴影，所以蚀刻进行得比其它部分慢，使分割记录要素200的侧面加工将锥形形状。本专利技术是鉴于以上的问题而构思的，其目的在于提供能高效率制造防止介质的翘起、分割记录要素的磁性能劣化、和加工形状的偏差。并具有良好磁特性的磁记录介质的磁记录介质的制造方法和制造装置。本专利技术通过同时加工在基板两面形成有连续记录层的被加工体的两面来保持被加工体的两面的温度分布、两面的应力均匀地平衡，并限制被加工体的翘起。另外，本专利技术通过用离子束蚀刻作为连续记录层的干蚀刻方法来限制连续记录层的加工温度，限制被加工体的翘起和分割记录要素的磁性能劣化，同时可以限制因被加工体上的部位不同引起的连续记录层的加工精度的偏差。另外，本专利技术通过在连续记录层的干蚀刻之前除去被覆连续记录层的掩模层上的抗蚀剂层使连续记录层上的被覆要素变薄，可以限止分割要素侧面的锥角、周缘部的突起的形成。另外，作为被覆连续记录层的材料，优选的是，根据相对离子束蚀刻的蚀刻速率低，从而能形成得薄的这一点和加工形状的控制比较容易这一点用金刚石类碳。在此，在本说明书中，所谓“金刚石类碳”(以下称为DLC)的术语的含意是指非晶形的结构，维氏硬度为200～8000Kgfc/mm2左右的材料。另外，在本说明书中，所谓“离子束蚀刻”的术语的含意是指例如离子蚀刻等的将离子化的气体照射在被加工体上除去的加工方法的总称。不限定于通过将离子束变细照射的加工方法。另外，在本说明书中，所谓“磁记录介质”的术语含意是不限定于只将磁用在信息的记录、读取上的硬盘、FLOPPY(注册商标)磁盘、磁带等，也包括并用磁和光的MO(Magneto Optical)等光磁记录介质、并用磁和热的热辅助型的记录介质。通过下述那样的本专利技术可以解决上述课题。(1)一种磁记录介质的制造方法，是加工在基板两面形成有连续记录层的被加工体并在上述基板两面形成以多个分割记录要素构成的分割记录层的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括同时加工上述被加工体的两面的加工工序。(2)如上述(1)的磁记录介质的制造方法，其特征在于上述被加工体作为在上述基板两面上顺次形成上述连续记录层、掩模层和抗蚀剂层而形成的结构，包括将上述抗蚀剂层加工成规定的图形形状的抗蚀剂层加工工序、根据该抗蚀剂层将上述掩模层加工成上述图形形状的掩模层加工工序、和根据该掩模层将上述连续记录层加工成上述图形形状并分割成上述多个分割记录要素的连续记录层加工工序；并且上述抗蚀剂层加工工序、上述掩模层加工工序和上述连续记录层加工工序中的至少一个工序同时加工上述被加工体的两面。(3)如上述(2)的磁记录介质的制造方法，其特征在于上述抗蚀剂层加工工序用刻印法在上述被加工体的两面的抗蚀剂层上同时复制上述图形形状。(4)如上述(2)或(3)的磁记录介质的制造方法，其特征在于上述连续记录层加工工序用离子束蚀刻同时加工上述被加工体的两面的上述连续记录层。(5)如上述(2)至(4)中任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质的制造方法，是加工在基板两面形成有连续记录层的被加工体并在上述基板两面形成以多个分割记录要素构成的分割记录层的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：同时加工上述被加工体的两面的加工工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-8-7 289191/20031.一种磁记录介质的制造方法，是加工在基板两面形成有连续记录层的被加工体并在上述基板两面形成以多个分割记录要素构成的分割记录层的磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括同时加工上述被加工体的两面的加工工序。2.如权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于上述被加工体作为在上述基板两面顺次形成上述连续记录层、掩模层和抗蚀剂层而形成的结构，包括将上述抗蚀剂层加工成规定的图形形状的抗蚀剂层加工工序、根据该抗蚀剂层将上述掩模层加工成上述图形形状的掩模层加工工序、和根据该掩模层将上述连续记录层加工成上述图形形状并分割成上述多个分割记录要素的连续记录层加工工序；并且上述抗蚀剂层加工工序、上述掩模层加工工序和上述连续记录层加工工序中的至少一个工序同时加工上述被加工体的两面。3.如权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于上述抗蚀剂层加工工序用刻印法在上述被加工体的两面的抗蚀剂层上同时复制上述图形形状。4.如权利要求2或3所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于上述连续记录层加工工序用离子束蚀刻同时加工上述被加工体的两面的上述连续记录层。5.如权利要求2至4中任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于在上述连续记录层加工工序前设置除去上述抗蚀剂层的抗蚀剂层除去工序。6.如权利要求2至5中任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于包括成膜上述连续记录层、上述掩模层和上述抗蚀剂层的成膜工序，并且该成膜工序在上述基板的两侧同时成膜上述连续记录层、上述掩模层和上述抗蚀剂层中至少一个层。7.如权利要求1至6中任意一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于同时加工多个上述被加工体。8.如权利要求1至7中任意一项所述的磁记录介质的...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部一博，高井充，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]