磁记录介质的制造方法及其制造装置制造方法及图纸

提供一种能高效率制造可以阻止分割记录要素的加工形状偏差、磁特性劣化并具有良好磁特性的磁记录介质的制造方法。用离子束蚀刻作为连续记录层（２０）的干蚀刻的技术。并且在连续记录层（２０）的干蚀刻前除去抗蚀剂层（２６）。用金刚石类碳作为被覆连续记录层的第一掩模层的材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁记录介质的制造方法及其制造装置。
技术介绍
以前，硬盘等磁记录介质随着构成记录层的磁性粒子的微细化，材料的变更，磁头加工的微细化等改进而使面记录密度显著的提高，今后仍期待面记录密度进一步提高。然而，随着因磁头的加工极限和磁场展宽而引起的侧干扰、交调失真等问题变得明显，利用以前的改进持术提高面记录密度已经达到极限，有例如像在特开平9-97419号公报中所示那样的将连续记录层分割成多个分割记录要素的分立型磁记录介质作为能实现进一步提高面密度的磁记录介质的后补那样的建议。作为实现连续记录层的分割的加工技术例如可以利用在特开平12-322710号公报中所示那样的离子束蚀刻。以添加含NH3(氨)气等氮气的CO(一氧化碳)为反应性气体的离子蚀刻等干蚀刻的技术。另外，作为把干蚀刻的掩模层加工成规定的图形的技术可以使用在用抗蚀剂层的光刻等半导体制造领域中的技术。
技术实现思路
然而，尽管用反应性离子蚀刻等现有技术的干蚀刻的技术，可以将连续记录层以微细的图形分割成多个分割记录要素，但是往往发生随着磁记录介质上的部位不同而分割记录要素的加工精度偏差不同或因分割要素的周缘部形成像凹部那样的台阶部、或者形成侧面为锥状的分割记录要素或在希望的加工形状与实际的加工形状之间发生一定的偏差等。由于这样的磁性能劣化、和分割记录要素的加工形状的偏差，而往往得不到希望的磁特性。例如反应性离子蚀刻有在被加工体的端部附近等离子体的分布变得不稳定的倾向，有在端部附近分割记录要素的加工精度容易降低的倾向。另外，因为以在磁性材料加工中用的CO(一氧化碳)气等为反应性气的反应性离子蚀刻需要大的偏置功率，被加工体容易发生高温，所以往往因分割记录要素过热而发生磁性能劣化。另外，虽然通过设置冷却机构可以防止分割记录要素的过度加热，但是因为使制造装置的构造变为复杂，使成本增加，同时有在被加工体的周缘附近等离子体的分布变成不稳定的倾向，所以容易使温度分布不均匀，使被加工体的均匀冷却困难。另外，为了提高磁记录介质的生产率，而优选的是将多个被加工体并排配置同时加工，但是因为冷却机构一般包括ESC(静电吸盘)和偏置印刷机构，所以在并排配置多个被加工体的场合，设置这样的冷却机构，本身应随着空间、加工精度等不同是困难的，用被加工体冷却所必需的反应性离子蚀刻同时处理多个被加工体，使分立型的磁记录介质批生产困难。对此，虽然用离子束蚀刻能解决以上的问题，但在用离子束蚀刻时，存在容易沿分割记录要素的周缘部形成象凹部那样的台阶部的问题。如更详细地说明，则如图22A中所示那样，在用离子束加工从连续记录层100中的掩模102中露出的部分时，反复进行连续记录层100的除去、和除去的粒子的一部分再附着在掩模102的侧面102A等上，虽然如果再附着物的量少，可以用离子束逐次除去，但是，如果量多时，则就如图22B中所示那样，一部分堆积在掩模102的侧面102A上，结果如图22C中所示那样，就会在分割要素104的周缘部形成台阶部106。虽然这个现象对干蚀不明显，但在离子束蚀特别明显。另外，为了抑制该现象而通过从相对被加工体的表面的法线倾斜的方向照射离子束等可以从加工部侧面高效率地除去再附着物，这个技术是公知的，但是如象上述那样的分立型的磁记录介质那样，在图形是微细的场合就不是有效的。另外，在用干蚀刻的场合，如图23A中所示那样，形成侧面200A为接近垂直的理想形状的分割记录要素200是困难的，实际上如图23B中所示，形成侧面200A为锥状的记录要素200。如果更详细地说明，在干蚀刻中，一部分气体从垂直方向相对被加工体倾斜一些接近，即使蚀刻对象区域的端部从掩模202露出，也相对倾斜接近的气体变成为掩模的阴影区域，所以被认为比其它部分的蚀刻进行得晚，将分割记录要素200的侧面200A加工成锥状。本专利技术是鉴于以下问题提出的，把提供能高效率制造阻止分割记录要素的加工形状的偏差，磁性能劣化并具有良好磁特性的磁记录介质的方法和制造装置作为课题。本专利技术通过用离子束蚀刻作为连续记录层的干蚀刻技术来阻止在被加工体的端部附近的连续记录层的加工精度的下降，并且限制连续记录层的加工温度、防止分割记录要素的磁性能劣化或降低。另外，本专利技术通过在连续记录层的干蚀刻之前除去被覆连续记录层的掩模层上的抗蚀剂层来通过减薄连续记录层上的被覆要素阻止周缘部的台阶部的形成，分割记录要素侧面的锥度角，使分割记录要素的加工精度提高。另外，作为被覆连续记录层的掩模层的材料，优选的是，根据蚀刻速率比离子束蚀刻低也就能形成得薄的这点和加工形状的控制是比较容易这点采用金刚石类的碳。在此，在本说明书中，金刚石类的碳(以下称为“DLC”)这个词是规定按以碳为主成分，是金刚石结构，显示用维式硬度测定200～8000kgf/mm2左右的硬度的材料这样的含义使用。另外，在本说明书中，“离子束蚀刻”这个词是例如按离子铣削等通过将离子化的气体照射在被加工体上除去的加工方法的总称的含义使用，不限定于通过集中离子束进行照射。另外，在本说明书中，“磁记录介质”一词不限于在信息的记录、读取中只使用磁的硬盘、软(登记商标)磁盘、磁带等，也包含按磁和光并用的MO(Magneto Optical)等光磁记录介质、磁和热并用的热辅助型的磁记录介质。即，通过如下所述的专利技术，打算解决上述的课题。(1)一种磁记录介质的制造方法，其特征在于包括将通过在基板表面上顺次形成连续记录层、掩模层和抗蚀剂层构成的被加工体的上述抗蚀剂层加工成规定的图形形状的抗蚀剂层加工工序、根据上述抗蚀剂层将上述掩模层加工成上述图形形状的掩模层加工工序、除去上述掩模层上的上述抗蚀剂层的抗蚀剂层除去工序、根据上述掩模层通过干蚀刻将上述连续记录层加工成上述图形形状后分割成多个分割记录要素的连续记录层加工工序、在上述连续记录层加工工序前进行上述抗蚀剂层除去的工序。(2)如(1)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于把上述掩模层作为包含上述连续记录层加工工序中的蚀刻速率比上述连续记录层低的层的结构，使该层比上述连续记录层形成得薄。(3)如(2)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于将把作为在上述连续记录加工工序中的蚀刻速率比上述连续记录层低的上述掩模层的层的厚度t设定为3≤t≤15nm。(4)如(2)所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于将把作为在上述连续记录加工工序中的蚀刻速率比上述连续记录层低的上述掩模层的层的厚度t设定为3≤t≤10nm。(5)如(2)至(4)中任何一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于把作为在上述连续记录层加工工序中的蚀刻速率比上述连续记录层低的上述掩模层的材料设定为金刚石类碳。(6)如(1)至(5)中任何一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于上述连续记录层加工工序用离子束蚀刻加工上述连续记录层。(7)如(1)至(6)中任何一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于把上述掩模层作为包含在上述连续记录层加工工序中的蚀刻速率比上述连续记录层低的第1掩模层、和在上述抗蚀剂层除去工序中蚀刻速率比上述第1掩模层低并配置在上述第1掩模层与上述抗蚀剂层之间的第2掩模层的结构，上述掩模层加工工序包括根据上述抗蚀剂层将上述第2掩模层加工成上述图形的第2掩模层加工工序，和根据该第2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：将在基板表面上顺次形成连续记录层、掩模层和抗蚀剂层构成的被加工体的上述抗蚀剂层加工成规定的图形形状的抗蚀剂层加工工序、根据上述抗蚀剂层将上述掩模层加工成上述图形形状的掩模层加工工序、除去上述掩模层上的上述抗蚀剂层的抗蚀剂层除去工序、根据上述掩模层通过干蚀刻将上述连续记录层加工成上述图形形状并分割成多个分割记录要素的连续记录层加工工序；在上述连续记录层加工工序前进行上述抗蚀剂层除去的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-7-31 283567/20031.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括将在基板表面上顺次形成连续记录层、掩模层和抗蚀剂层构成的被加工体的上述抗蚀剂层加工成规定的图形形状的抗蚀剂层加工工序、根据上述抗蚀剂层将上述掩模层加工成上述图形形状的掩模层加工工序、除去上述掩模层上的上述抗蚀剂层的抗蚀剂层除去工序、根据上述掩模层通过干蚀刻将上述连续记录层加工成上述图形形状并分割成多个分割记录要素的连续记录层加工工序；在上述连续记录层加工工序前进行上述抗蚀剂层除去的工序。2.如权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于上述掩模层包含上述连续记录层加工工序中的蚀刻速率比上述连续记录层低的层，使该层比上述连续记录层形成得薄。3.如权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于将在上述连续记录加工工序中的蚀刻速率比上述连续记录层低的上述掩模层的层的厚度t设定为3≤t≤15nm。4.如权利要求2所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于将在上述连续记录加工工序中的蚀刻速率比上述连续记录层低的上述掩模层的层的厚度t设定为3≤t≤10nm。5.如权利要求2至4中任何一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于把在上述连续记录层加工工序中的蚀刻速率比上述连续记录层低的上述掩模层的材料设定为金刚石类碳。6.如权利要求1至5中任何一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于上述连续记录层加工工序用离子束蚀刻加工上述连续记录层。7.如权利要求1至6中任何一项所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于上述掩模层包含在上述连续记录层加工工序中的蚀刻速率比上述连续记录层低的第1掩模层、和在上述抗蚀剂层除去工序中蚀刻速率比上述第1掩模层低并配置在上述第1掩模层与上述抗蚀剂层之间的第2掩模层，上述掩模层加工工序包括根据上述抗蚀剂层将上述第2掩模层加工成上述图形形状的第2掩模层加工工序，和根据该第2掩模层将上述第1掩模层加工成上述图形形状的第1掩模层加工工序。8.如权利要求7所述的磁记...

【专利技术属性】
技术研发人员：服部一博，高井充，大川秀一，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]