显示设备制造技术

提供了一种显示设备。所述显示设备包括：基底；显示单元，形成在基底上；薄膜包封层，形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层，所述无机层包括第一子无机层，所述第一子无机层包括包含铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少两种的复合氧化物。少两种的复合氧化物。少两种的复合氧化物。

【技术实现步骤摘要】
显示设备
[0001]本申请是申请日为2016年3月4日、申请号为201610124291.4的专利技术专利申请“显示设备”的分案申请。


[0002]一个或更多个示例实施例涉及一种设备和方法，更具体地说，涉及一种显示设备和制造该显示设备的设备和方法。

技术介绍

[0003]半导体装置、显示设备和其他电子装置包括多个薄膜。已经开发出形成薄膜的若干方法，在这方面的一个示例是气相沉积。
[0004]在气相沉积中，将一种或更多种气体用作用于形成薄膜的源材料。可以将气相沉积分类为化学气相沉积(CVD)、原子层沉积(ALD)等。
[0005]在ALD中，将源材料注入到ALD设备中，然后吹扫或泵送。然后，使单分子层或多分子层附于基底，将另一种材料注入到ALD设备中，并吹扫或泵送，从而按所期望地形成单原子层或多原子层。
[0006]在显示设备中，有机发光显示设备具有宽视角、良好的对比度和快速的响应速度，从而作为下一代显示设备引起关注。
[0007]有机发光显示设备包括第一电极、与第一电极相对的第二电极和位于第一电极与第二电极之间的中间层，有机发光显示设备还可以包括一个或更多个薄膜。在这种情况下，可以通过沉积来形成薄膜。
[0008]然而，由于有机发光显示设备的尺寸已经增大并且对高分辨率显示设备的需求已经增加，所以难以按所期望地沉积大的薄膜。另外，存在对于提高形成薄膜的工艺效率的限制。

技术实现思路

[0009]一个或更多个示例实施例的一个或更多个方面包括显示设备以及制造该显示设备的方法和设备。
[0010]另外的方面将在随后的描述中部分地被阐述，并且部分地，将通过所述描述变得清楚，或者可通过所提出的实施例的实践而获知。
[0011]根据一个或更多个示例实施例，显示设备包括：基底；显示单元，形成在基底上；薄膜包封层，形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层，无机层包括第一子无机层，该第一子无机层包括包含铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少两种(从铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中选择的至少两种)的复合氧化物。
[0012]无机层可以包括第二子无机层，第二子无机层包括与第一子无机层中的复合氧化物不同的复合氧化物。
[0013]第二子无机层可以堆叠在第一子无机层上。
[0014]薄膜包封层还可以包括堆叠在无机层上的有机层。
[0015]基底可以包括聚酰亚胺。
[0016]第一子无机层可以是非晶的。
[0017]第一子无机层的厚度可以小于或等于10nm。
[0018]无机层可以还可以包括第二子无机层，第二子无机层堆叠在第一子无机层上并且包括金属氧化物和金属氮化物中的一种(从金属氧化物和金属氮化物中选择的一种)。
[0019]根据一个或更多个示例实施例，显示设备包括：基底；显示单元，形成在基底上；薄膜包封层，形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层，无机层包括：第一子无机层，包括氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)和氧化铪(HfO2)中的一种；第二子无机层，包括Al2O3、ZnO、ZrO2和HfO2中的另一种。
[0020]根据一个或更多个示例实施例，用于制造显示设备的设备包括：室；喷头，安装在室中并被构造为喷射处理气体；气体供应器，被构造为向喷头供应处理气体；基底支撑体，安装在室中并被构造为支撑基底。喷头被构造为形成无机层，该无机层包括包含铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少两种的复合氧化物。
[0021]喷头可以包括：第一喷射单元；邻近于第一喷射单元布置的第二喷射单元。由第一喷射单元和第二喷射单元喷射的处理气体可以彼此不同。
[0022]第一喷射单元和第二喷射单元可以同时地(例如，同步地)喷射处理气体。
[0023]第一喷射单元和第二喷射单元可以顺序地喷射处理气体。
[0024]气体供应器可以包括：第一气体供应器，被构造为向喷头供应处理气体中的一些处理气体；第二气体供应器，与第一气体供应器分开地形成并被构造成供应处理气体中的与由第一气体供应器所供应的处理气体不同的其他处理气体。
[0025]第二气体供应器可以连接到第一气体供应器，处理气体可以被混合，然后供应到喷头。
[0026]基底支撑体可以面向喷头并且相对于喷头移动。
[0027]根据一个或更多个实施例，制造显示设备的方法包括如下步骤：将其上形成有显示单元的基底装载到室中；通过从外部装置接收处理气体经过原子层沉积(ALD)来在显示单元上形成无机层。无机层由包括铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少两种的复合氧化物形成。
[0028]无机层的形成可以包括：形成包括复合氧化物的第一子无机层；形成包括与形成第一子无机层的复合氧化物不同的复合氧化物的第二子无机层。
[0029]无机层的形成可以包括：形成包括复合氧化物的第一子无机层；形成包括金属氮化物和金属氧化物中的一种的第二子无机层。
[0030]无机层可以是非晶的。
[0031]无机层的厚度可以小于或等于10nm。
[0032]基底可以由聚酰亚胺形成。
[0033]所述方法还可以包括在无机层上堆叠有机层。
[0034]无机层可以是包括不同材料的多层。
[0035]根据一个或更多个示例实施例，制造显示设备的方法包括如下步骤：将其上形成有显示单元的基底装载到室中；通过从外部装置接收处理气体经过原子层沉积(ALD)来在
显示单元上形成无机层。所述形成方法包括如下步骤：在显示单元上形成第一子无机层，所述第一子无机层包括从由氧化铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(ZrO2)和氧化铪(HfO2)组成的组中选择的一种；在第一子无机层上堆叠第二子无机层，第二子无机层包括从由Al2O3、ZnO、ZrO2和HfO2组成的组中选择的另一种。
[0036]可以通过使用系统、方法、计算机程序或其组合来实现这些普遍的和特定的实施例。
附图说明
[0037]通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他的方面将会变得清楚和更容易理解，在附图中：
[0038]图1是用于制造根据示例实施例的显示设备的设备的概念图；
[0039]图2是示出由图1的设备制造的显示装置的示例的一部分的剖视图；
[0040]图3是用于说明图2的显示设备的性能的曲线图；
[0041]图4是用于制造根据另一示例实施例的显示设备的设备的概念图；
[0042]图5是图4的设备的喷头的一部分的概念图；
[0043]图6是示出由图4的设备制造的显示设备的示例的一部分的剖视图；
[0044]图7是示出由图4的设备制造的显示设备的另一示例的一部分的剖视图；
[0045]图8是示出由图4的设备制造的显示设备的另一示例的一部分的剖视图；
[0046]图9是用于说明图8的显示设备的性能的曲线图。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：将其上形成有显示单元的基底装载到室中；以及通过从外部装置接收处理气体经过原子层沉积来在所述显示单元上形成无机层，其中，所述无机层由包括铝、锌、锆和铪中的至少两种的复合氧化物形成。2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述无机层的步骤包括：形成包括所述复合氧化物的第一子无机层；以及形成第二子无机层，所述第二子无机层包括与形成所述第一子无机层的所述复合氧化物不同的复合氧化物。3.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述无机层的步骤包括：形成包括所述复合氧化物的第一子无机层；以及形成包括金属氮化物和金属氧化物中的一种的第二子无机层。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述无机层是非晶的。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述无机层的厚度小于或等于10nm。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述基底由聚酰亚胺形成。7.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括在所述无机层上堆叠有机层。8.如权利要求1所述的方法，其中，所述无机层是包括不同材料的多层。9.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述无机层的步骤包括：在所述室中配置基底支撑体，以支撑所述基底；配置气体供应器，以将包括所述处理气体的多种处理气体供应到所述室中的喷头；以及在所述室中配置喷头，以喷射所述处理气体。10.如权利要求9所述的方法，其中，所述喷头包括：第一喷射单元；以及第二喷射单元，邻近于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：许明洙，赵成珉，高东均，金圣哲，金仁教，卢喆来，徐祥准，徐升旴，张喆旼，
申请(专利权)人：成均馆大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：