光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构制造技术

一种光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，特点在于其结构依次包括基片、介电层、超分辨掩膜层、热保护层、磁记录层和保护层，所述的基片为玻璃，所述的介电层、热保护层及保护层由ＳｉＮ或ＳｉＯ↓［２］构成，所述的超分辨掩膜层由Ｓｉ（ｘ）Ａｇ（１－ｘ）合金组成，其中ｘ的取值范围为０＜ｘ＜１，所述的磁记录层为ＴｂＦｅＣｏ。通过使用激光波长为４０６．７纳米蓝光辅助加热，数值孔径为０．８０的物镜，外磁场为３００奥斯特进行记录。得到了１００纳米的记录磁畴。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及信息存储，特别是 一种光磁混合存储记录的超分辨薄膜 结构。
技术介绍
随着现代社会和科学技术的高速发展，信息量急剧增大，对信息存储容量的要求越来越高。目前磁记录密度每年增长60°/。以上，磁记录密 度的进一步提高受到超顺磁效应和光学衍射极限的限制。当记录位的磁存储能与热扰动能的比值-《7k7接近40的时候，热扰动将会影响记 录磁畴的稳定性，即表现出超顺磁效应[参见Schlesinger T E, Rausch T. An integrated read/write head for hybrid recording. Jap Appl Phys, 2002, 41 (Parti, 3B). 1821]。光学衍射极限是波长一定的光被 聚焦产生光斑，当光斑聚焦到一定程度时会发生光学衍射现象，使光斑无法进一步聚焦缩小。光斑衍射极限的直径 力^，式中义为激光波长，NA为物镜的数值孔径。光磁混合记录技术将光记录和磁记录的 优点相结合，是一种获得极高存储密度的记录方式。1990年，G. Bouwhuis 等首次研究了在只读式光盘中应用超分辨技术读出的可能性，并作了理 论分析[参见Gijs Bouwhuis and J. H. M. Sprui. Optical storage read-out nonlinear disk, Appl. Opt. 1990. 29 (26): 3766-3768] 。 1998 年，J. Tominaga等提出了掩膜型超分辨近场结构[参见L Tominag'a, T. Nakano, N. Atoda， An approach for recording and readout beyong the diffraction limit with an Sb thin film, Appl. Phys. Lett. 1998, 73 (15): 2078-2080]即由非线性光学掩膜材料和一层超薄介电层形成近场光源。然而，如何进一步减小记录磁畴，使磁畴的尺寸突破光 学衍射极限的限制呢？
技术实现思路
为了改善光磁混合存储记录，进一步减小光磁混合存储记录的磁畴 尺寸，使磁畴的尺寸不受光学衍射极限的限制，本专利技术提出一种光磁混 合存储记录的超分辨薄膜结构。本专利技术的技术解决方案如下一种光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，特点在于其结构依次包 括基片、介电层、超分辨掩膜层、热保护层、磁记录层和保护层，所述 的基片为玻璃，所述的介电层、热保护层及保护层由SiN或Si02构成， 所述的超分辨掩膜层由Si (x) Ag (1-x)合金组成，其中x的取值范围为 0<x<l,所述的磁记录层为TbFeCo。所述的介电层、热保护层和保护层的厚度为1.5-170纳米；所述的超 分辨掩膜层的厚度为10-50纳米;所述的磁记录层的厚度为20-100纳米。本专利技术的技术效果本专利技术光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构中的超分辨掩膜层用于 减小光斑尺寸；热保护层用于增加光程，隔离磁记录材料与超分辨掩膜 层。在激光波长为406. 7纳米、物镜数值孔径为0.80,外加磁场300奥 斯特的静态光磁混合存储装置上实现了 IOO纳米以内的磁畴记录。附图说明图1是本专利技术光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构 具体实施例方式下面结合实施例和附图对本专利技术作进一步说明，但不应以此限制本 专利技术的保护范围。先请参阅图1,图1是本专利技术光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构示意图，由图可见，本专利技术光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，依次包括基片l、介电层2、超分辨掩膜层3、热保护层4、磁记录层5和保 护层6,所述的基片l为玻璃，所述的介电层2、热保护层4和保护层6 用SiN或Si02构成；所述的超分辨掩膜层3由Si (x) Ag (1-x)合金组成， 其中x的取值范围为0<x<l，所述的磁记录层5为TbFeCo。所述的介电层2、.热保护层4和保护层6的厚度为15-170纳米；所 述的超分辨掩膜层3的厚度为10-50纳米；所述的磁记录层5的厚度为 20-100纳米。所述的热保护层4用于增加光程，隔离磁记录材料与超分辨掩膜层； 超分辨掩膜层3用于减小光斑尺寸。本专利技术光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构样品的制备过程如下 釆用射频磁控溅射方法(本底真空度3. OxlO-5Pa,工作气压O. 8Pa)， 在0.17mm厚的玻璃基片l上依次镀介电层2、超分辨掩膜层3、热保 护层4、磁记录层5和保护层6，本专利技术的具体实施例见表l采用波长为406.7纳米蓝光透过基片辅助加热,所用的物镜数值孔 径为0. 8，根据光的衍射极限公式计算得到光斑的直径620纳米。本专利技术 光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，在激光波长为406. 7纳米、物镜 数值孔径为0.80，外磁场为300奥斯特的静态光磁混合存储装置上能实 现100纳米记录磁畴。表1:<table>table see original document page 6</column></row><table>本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，特征在于：其结构依次包括基片（１）、介电层（２）、超分辨掩膜层（３）、热保护层（４）、磁记录层（５）和保护层（６），所述的基片（１）为玻璃，所述的介电层（２）、热保护层（４）和保护层（６）用ＳｉＮ或ＳｉＯ２构成；所述的超分辨掩膜层（３）由Ｓｉ（ｘ）Ａｇ（１－ｘ）合金组成，其中ｘ的取值范围为０＜ｘ＜１，所述的磁记录层（５）为ＴｂＦｅＣｏ。

【技术特征摘要】
1、一种光磁混合存储记录的超分辨薄膜结构，特征在于:其结构依次包括基片(1)、介电层(2)、超分辨掩膜层(3)、热保护层(4)、磁记录层(5)和保护层(6)，所述的基片(1)为玻璃，所述的介电层(2)、热保护层(4)和保护层(6)用SiN或SiO2构成；所述的超分辨掩膜层(3)由Si(x)Ag(1-x)合金组成，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦新兵，魏劲松，干福熹，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]