利用低磁通密度的固态扫描换能器制造技术

技术编号:3073960 阅读:218 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
磁换能装置包括具有一间隙的磁芯和磁各向异性材料的本体,在该本体中规定一信号传递区。控制磁通横过磁芯间隙并以两相反方向流经本体。通过改变相反方向的控制磁通的相对比例,可沿磁换能器宽度方向改变空区的位置从而扫描信号传递区。从磁存储媒介耦合到本体的空区中的磁通用于调制一偏置磁通,并检测该调制以再现该记录信息。在记录模式中,信息磁通减小信号传递区的磁导率,使该磁通从本体散射并被耦合到存储媒介。(*该技术在2010年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及用以在信号发生或利用设备与诸如磁带或磁盘之类磁存储媒介之间传递信息的类型的磁换能器。更准确地说,本专利技术涉及一种固态扫描换能器,其中有选择地激活部分换能器以便沿存储媒介的不同部分记录和(或)再现信息。一般说来,本专利技术所属类型的磁换能器一般包含一个在两磁极之间备有非磁性间隙的高导磁率磁性材料的磁芯。该间隙阻断了在磁芯内流通的磁通路径,从而使磁通量从磁芯间隙散射。在常规换能器中,该散射磁通量直接耦合进磁存储媒介。按照所关心信息改变或调制磁通的大小和(或)极性给磁存储媒介中磁偶极子定向,从而记录该信息。其后,将各偶极子产生的磁通耦合到由磁芯确定的磁通路径,并通过恰当定位的绕组加以检测从而再现所述记录的信息。上述按照所关心信息调制的磁通被称为“信息磁通”。在常规的磁换能器中,存储媒介与换能器间信息磁通的耦合出现在换能器的整个宽度上。在这里,换能器的“宽度”定义为与磁芯和媒介之间介面平行、并与环绕磁芯和横跨间隙的磁通方向正交的尺寸。在存储媒介上记录时变信息时,存储媒介与换能器彼此相对运动。以各种不同方式实现上述相对运动就导致若干不同的记录格式。在一种格式中,象磁带本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用以再现包含在从磁记录媒介耦合到换能装置的信息磁通形式中的磁记录信息的磁换能装置,它包含:一个包括其间具有非磁性间隙的两磁极的磁芯,一个位于磁接近所述记录媒介和所述间隙中每一个的磁性材料本体,所述磁芯和磁性材料本体共同规定一磁通 量路径,用以产生流经所述磁性材料本体中所述磁通路径的控制磁通的装置,所述控制磁通在邻近所述间隙的所述本体中规定一个具有比较小控制磁通量的第一区,并在邻近所述间隙的所述本体中至少规定一个具有较大控制磁通数量的区,在所述本体中确定的第一区耦 合在所述记录媒介和所述本体之间的信息磁通,以及用以检测由从所述记录媒介耦合到所述本体的所述第一区信息磁通引起...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1989-12-8 449,1951.一种用以再现包含在从磁记录媒介耦合到换能装置的信息磁通形式中的磁记录信息的磁换能装置,它包含一个包括其间具有非磁性间隙的两磁极的磁芯,一个位于磁接近所述记录媒介和所述间隙中每一个的磁性材料本体,所述磁芯和磁性材料本体共同规定一磁通量路径,用以产生流经所述磁性材料本体中所述磁通路径的控制磁通的装置,所述控制磁通在邻近所述间隙的所述本体中规定一个具有比较小控制磁通量的第一区,并在邻近所述间隙的所述本体中至少规定一个具有较大控制磁通数量的区,在所述本体中确定的第一区耦合在所述记录媒介和所述本体之间的信息磁通,以及用以检测由从所述记录媒介耦合到所述本体的所述第一区信息磁通引起所述磁通路径中磁阻变化的装置。2.权利要求1的换能装置,其特征在于在所述本体中确定所述第一区以与所述记录媒介形成一闭合环形磁通路径,用以耦合所述记录媒介和所述本体间的信息磁通而不流经所述磁芯。3.权利要求1和4的换能装置,其特征在于另外而包括用以调整所述控制磁通以便沿所述间隙方向改变所述第一区位置的装置。4.一种对记录媒介用以传递磁确定信息的磁换能装置,它包含一个包括其间具有非磁性间隙的两磁极的磁芯,一个具有可变磁导率并磁邻近所述间隙而安置的磁性材料本体,所述磁芯和磁性材料本体共同确定一磁通路径,以及用以产生在所述磁性材料本体中以所述磁通路径流动的控制磁通的装置,所述控制磁通在所述本体中规定一个较小磁通量的第一区和在较在磁通量所述本体中至少另一个区。5.权利要求4的磁换能器,其特征在于磁性材料本体是由具有限定可变磁导率的一易磁化轴和一难磁化轴的材料构成的,所述轴之一以对应于两磁极分开方向的方向定向,而所述磁通路径按所述一轴的方向延展。6.权利要求19的换能装置,其特征在于使所述基准磁通在所述本体中以横过流经所述本体的所述信息磁通流向的方向流动。7.权利要求6的换能装置,其特征在于所述基准磁通和所述信息磁通按基本上垂直的方向流经所述本体。8.权利要求19的换能装置,其特征在于所述基准磁通由所述控制磁通发生装置产生,并在所述本体的所述第一区中流动。9.权利要求19的换能装置,其特征在于所述本体是由有比较高磁导率的具有一易磁化轴和一难磁化轴磁性材料所构成,所述基准磁通在所述本体中基本上沿所述难轴化轴流动。10.权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员:贝弗利R古奇
申请(专利权)人:安佩克斯系统公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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