用于制造磁头的方法技术

在一种加工磁头的方法中，从薄片上切下模块，切削磁阻头元件高度或薄膜磁头间隙深度至规定值，用于监视元件高度切削的电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上，所述监视图形包括其表面积随减少元件高度方向上的切削进展以几乎线性方式减少的第一电阻图形和其表面积随减少元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少的第二电阻图形，根据电阻监视图形的电阻值在切削期间确定停止减少元件高度的切削的时刻。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造磁头的方法，包括步骤生长薄膜，用于至少包括薄片上二维布置中一个磁阻头和一个薄膜头的磁头；从薄片上切下一模块，其上直线排列着多个磁头；切削模块单元中的磁阻头元件高度(磁阻头部分的高度)或薄膜头间隙深度到所需值；以及在上述加工后通过分离模块制造单个磁头。提供用于高密度的再现磁头的公知装置是使用磁阻元件的磁阻头装置，其电阻响应磁场强度。这种头称作磁阻头(MR头)，有利用各向异性磁阻效应的AMR(各向异性)头，以及利用巨磁阻效应的GMR(巨磁阻)头。AMR头包括由如NiFeCr(镍-铁-铬)的磁化磁材料制成的软相邻层，非磁中心Ta(钽)层，由如NiFe(铁氧体)的材料制成的磁阻(MR)层，基本磁化且由反铁磁材料的FeMn(铁-锰)制成的BCS(边界控制稳定)层，以及一对用于提供检测电流的导电层，它们以对应记录轨道宽度的距离并列布置在BCS层上，这些层依此顺序层叠，制造磁阻效应元件，利用BCS层在记录轨道宽度方向上将磁偏加至磁阻层，通过软相邻层在垂直BCS层磁偏的方向上将磁偏加至磁阻层。GMR头中，利用巨磁阻效应，可取得明显高于AMR头的密度。GMR头的磁阻元件部分也具有层叠结构，其中多个磁性层与插入的非磁性层，一对用于提供检测电流的导电层层叠，这对导电层以对应记录轨道宽度的距离并列布置，安装在磁阻元件部分。上述磁阻头只能再现，不能用于记录。为此，它通常与进行记录的薄膜头混合使用，形成复合磁头。附图说明图1显示复合磁头的主件，而图2是显示图1中磁阻元件部分和导电层的平面图。上述图中，标记10表示磁记录介质上的轨道，20表示将信息记录在磁记录介质上的薄膜头形成的记录头部分，而30表示完成再现信息的磁阻头形成的再现部分。记录头部分20包括由如NiFe制成的下磁极21，相对下磁极且由如NiFe制成的上磁极22，以及激励这些磁极21和22的线圈23，记录头部分使信息记录在磁记录介质的轨道10上。在围绕线圈23的空间中，设有非磁绝缘层24，它由Al2O3或类似物制成，以便其间不剩余空间。再现头30由AMR头，GMR头或类似物形成，且在磁阻元件部分30A上，一对用于提供检测电流至磁阻元件部分30A的导电层31，其间距离对应距离轨道宽度。参照图3说明记录头部分20和再现头部分30的层叠情况。图3是截面图，它显示从磁记录介质观察磁头间隙区的层叠构造。图3中，标记25表示一陶瓷基片，其上形成Al2O3或类似物的非磁绝缘层26，NiFe或类似物的下屏蔽层27，以及Al2O3或类似物的非磁绝缘层28，依那个顺序，在该非磁绝缘层28顶上形成再现头30的磁阻元件部分30A。如果再现头30的磁阻元件部分30A由AMR头形成，软相邻层，由Ta或类似物制成的非磁中心层，由NiFe或类似物制成的磁阻层，且由FeMn或类似物制成BCS层依那个顺序形成在非磁绝缘层28上。在该磁阻元件部分30A的顶上，形成一对导电层31，用于提供至磁阻元件部分30A的检测电流，这些层间的距离对应记录轨道宽度。而且，非磁绝缘层32形成在磁阻元件部分30A和导电层31上，且在此顶上形成记录头部分20。即，顺序形成由NiFe或类似物制成的下磁极(下屏蔽层)21，线圈23(图3中未示出)，由Al2O3或类似物制成的非磁绝缘层24，以及由NiFe或类似物制成的上屏蔽层22。然后，最后在上磁极22的外侧上形成由Al2O3或类似物制成的保护层33，以便覆盖记录头部分20的表面。制造具有上述结构的磁头时，加工包括步骤在薄片上生长膜，以便多个磁头在二维布置上排列，从薄片上切割下其中以直线排列多个磁头的模块，切削模块单元中磁阻头元件高度或薄膜头间隙深度至所需值，并在上述加工后通过分离模块制造单个磁头。这样做，需要通过研磨或类似加工将磁阻头元件高度(图13中磁阻元件部分30A的上/下方向宽度)或薄膜头间隙深度(图13中间隙部分上/下方向宽度)切削至精确值，由于临界效应，这影响磁头特性。这种切削以上述步骤进行。通过研磨或类似加工将作为模块的待切削的磁阻头元件高度或薄膜头间隙深度切削至给定值的公知方法是，形成切削参考电阻图形，它随着薄片加工处模块上的切削进展而减小，并在切削参考电阻图形的电阻值达到规定值时的点处停止切削。但是，切削参考电阻图形的薄膜厚度和其电阻率变化很大。特别是薄膜厚度，即使在同一薄片内也不均匀。为此，存在即使切削参考电阻图形的电阻值达到规定值(目标值)，也无法将磁阻头元件厚度或薄膜头间隙深度切削至规定值的问题，而且在制造具有上述结构磁头的方法中，不可能精确切削磁阻头元件高度或薄膜头间隙深度。作为上述问题的解决方案，可想象每一单独模块(模块为用于切削的单元，也称作工件)的目标电阻值的设定。但是，这不现实，而且不允许加工自动化。也有不测量电阻值，而直接测量图形形状，并在其尺寸达到规定值的点处停止切削的方法。但是，在这种制造方法中，为测量图形形状，随切削进展需多次停止加工，这种加工伴随着过多去掉材料的危险，不仅使实际达到高度精确切削困难，而且阻碍加工自动化。考虑所涉及领域的上述问题，本专利技术的目的是提供一种制造磁头的方法，它不仅可将磁阻头元件厚度或薄膜头间隙深度精确切削至规定值，不受电阻图形膜厚度或其电阻率变化的影响，而且可自动化。本专利技术涉及解决上述问题，用于制造包括磁阻头的磁头的方法，它具有薄片加工，其中至少包括一个磁阻头的磁头以二维布置形成在薄片上，切割加工，其中从薄片上切下其上直线排列多个磁头的模块，切削加工，由此上述磁阻头磁阻元件部分在一个模块单元中被切削至规定值，以及分离加工，由此在上述加工后通过从上述模块分离制造单个磁头，用于监视元件高度切削的电阻监视图形包括第一电阻图形和第二电阻图形，第一电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展几乎线性减少，而第二电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少，电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上，根据此电阻监视图形的电阻值确定上述切削加工中减少元件高度的切削结束的时刻。根据本专利技术，随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展，第一电阻图形的表面积几乎线性减少，而第二电阻图形的表面积几乎以分段线性方式减少。利用第二电阻图形表面积变化显示的位置可知断点，不管是否已达到切削，通过检测电阻值变化中断点的出现可容易且精确地确定该位置，因为表面积中的断点表现为电阻值变化中的断点。这样，通过有关第二电阻图形电阻值变化中断点的出现，利用该断点出现时第一电阻图形的电阻值，根据第一电阻图形的电阻值可确定结束减少元件高度切削的时刻。这样做，不仅能精确切削磁阻头元件高度至规定值，不受膜厚度和电阻图形电阻率变化的影响，而且能使加工自动化。作为确定停止切削时刻方法的例子，有下一方法至少对多个断点确定第二电阻图形电阻值变化中出现断点时第一电阻图形的电阻值，由此多个电阻值点预测磁阻头元件高度切削位置与第一电阻图形电阻值之间的关系，并由此关系确立切削的停止时刻。更具体地，至少对三个断点确定第二电阻图形电阻值变化中出现断点时第一电阻图形的电阻值，这三个断点处的电阻值用于预测磁阻头元件高度切削位置与第一电阻图形电阻值之间关系的二阶曲线，根据所预测的二阶曲线计算目标元件高度处第一电阻图形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于加工磁头的方法，包括步骤：以二维布置在薄片上形成多个磁头，包括至少一个磁阻头；从薄片上切下一模块，其上直线排列着多个磁头；切削作为一个模块的所述磁阻头的磁阻头部分到规定高度；将已切削模块分离成单个磁头；其特征在于 ，用于监视元件高度切削的电阻监视图形包括第一电阻图形和第二电阻图形，第一电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展几乎线性减少，而第二电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少，电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上，且其特征在于，根据所述电阻监视图形的电阻值确定所述切削中减少元件高度的切削结束的时刻。

【技术特征摘要】
JP 1995-11-9 290892/951.一种用于加工磁头的方法，包括步骤以二维布置在薄片上形成多个磁头，包括至少一个磁阻头；从薄片上切下一模块，其上直线排列着多个磁头；切削作为一个模块的所述磁阻头的磁阻头部分到规定高度；将已切削模块分离成单个磁头；其特征在于，用于监视元件高度切削的电阻监视图形包括第一电阻图形和第二电阻图形，第一电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展几乎线性减少，而第二电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少，电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上，且其特征在于，根据所述电阻监视图形的电阻值确定所述切削中减少元件高度的切削结束的时刻。2.如权利要求1的用于加工磁头的方法，其特征在于，至少对多个断点确定所述第二电阻图形电阻值中出现断点时该点处所述第一电阻图形电阻值，且其特征在于，由所述多个电阻值预测所述磁阻头元件高度切削位置与所述第一电阻图形电阻值之间的关系，根据所述关系确立减少元件高度的所述切削的停止时刻。3.如权利要求1的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述磁头是复合磁头，其中薄膜记录头层叠在再现磁阻头上。4.如权利要求1的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述电阻监视图形设在模块的两端和中心部分。5.如权利要求2的用于加工磁头的方法，其特征在于，至少对三个断点确定所述第二电阻图形电阻值变化中出现断点时该点处所述第一电阻图形的电阻值，且其特征在于，预测所述磁阻头元件高度切削位置与所述第一电阻图形电阻值之间关系的二阶曲线，根据所预测的二阶曲线确定目标元件高度处所述第一电阻图形的电阻值，所述第一电阻图形的实际测量值达到所述计算电阻值时，几乎同时停止减少元件高度的所述切削步骤的切削。6.如权利要求2的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述磁头是复合磁头，其中薄膜记录头层叠在再现磁阻头上。7.如权利要求2的用于加工磁头的方法，其特征在于，所述电阻监视图形设在模块的两端和中心部分。8.一种用于加工磁头的方法，包括步骤以二维布置在薄片上形成多个磁头，包括一个薄膜头；从薄片上切下一模块，其上直线排列着多个磁头；切削作为一个模块的所述薄膜头间隙到规定深度；将已切削模块分离成单个磁头；其特征在于，用于监视间隙深度切削的电阻监视图形包括第一电阻图形和第二电阻图形，第一电阻图形的表面积随减少薄膜头间隙深度方向上的切削进展几乎线性减少，而第二电阻图形的表面积随减少磁阻头元件高度方向上的切削进展以几乎分段线性方式减少，电阻监视图形在所述薄片加工的同时形成在薄片模块上，且其特征在于，根据所述电阻监视图形的电阻值确定所述切削中减少间隙深度的切削结束的时刻。9.如权利要求8的用于加工磁头的方法，其特征在于，至少对多个断点确定所述第二电阻图形电阻值中出现断点时该点处所述第一电阻图形的电阻值，且其特征在于，由所述多个电阻值预测所述薄膜头间隙深度切削位置与所述第一电阻图形电阻值之间的关系，根据所述关系确立减少间隙深度的所述切削的停止时刻。1...

【专利技术属性】
技术研发人员：绵贯基一，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]