磁头制造方法技术

在精确测量电阻的磁头制造方法中，在测量过程监控元件的电阻值的同时加工处理磁头。在晶片上形成磁头元件和监控元件后，监控元件的电阻值与加工过程以模拟的方式一致地变化。在测量监控元件的电阻值的同时，把磁头加工到预定的高度。在形成过程中，事先决定磁头元件与监控元件的位置的差值ΔⅠ，这差值用来把监控元件的阻值转换成磁头元件的高度。这使得有可能修正掩模误差。此外，通过把监控元件设置成为与磁头的磁阻膜处在相同的位置，而能精确地形成图案。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造磁头的方法，它用于研磨磁头元件，以便在晶片上形成磁头元件后使磁头高度一致。在磁头制造工艺中，在形成磁头薄膜后，要研磨磁头薄膜。这种均匀的研磨处理间隙长度和磁头薄膜的磁阻膜。对磁阻膜和间隙长度，要求亚微米级的精确度。图27A和图27B为组合磁头的原理图。如图27A所示，组合磁头80包括在衬底81上形成的磁阻元件82和写单元85。如图27B所示，磁阻元件82包括磁阻膜83和一对导体84。磁阻元件82的阻值在磁场出现时会改变。这磁阻元件82是读元件，它输出等效于磁盘上磁道90的磁场强度的电流。磁阻元件82只用于读，要求分开地制造写单元。写单元85做成电感磁头。写单元85包括底磁极86和隔着间隙与底磁极86相对面的顶磁极88。激励这些磁极86、88的线圈87做在磁极86、88之间。在线圈87周围有非磁性的绝缘层89。在象这样的组合磁头中，磁阻元件82的磁阻膜83的阻值对每个磁头必须是恒定的。可是，在磁头薄膜制造工艺中，不可能使这些阻值一致。结果，在形成磁头薄膜后，就对磁头薄膜研磨，以便使磁阻膜83的高度(宽度)h一致，从而使阻值一致。图28A到29D是描述这种组合磁头本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造磁头的磁头制造方法，其特征在于包括： 在晶片上形成多个磁头元件和包含模拟电阻的监控元件的步骤，借助于该步骤，阻值与所述磁头元件的加工过程以模拟方式一致地改变； 从所述晶片切成毛坯的步骤，在这毛坯上所述多个磁头元件和所述监控元件排成一行； 加工所述磁头元件的高度的步骤，在此加工过程同时测量在所述毛坯上的所述监控元件的阻值，以达到预定的高度；和 在所述处理后把所述毛坯分成单个磁头的步骤； 其中，所述形成步骤包括测量这样的位置之间的差值的步骤，这些位置是所述形成后的监控元件端部和所述形成后的磁头元件端部； 所述加工步骤包括利用这些位置上的所述差值ΔＩ把...

【技术特征摘要】
JP 1997-4-10 92458/971.一种用于制造磁头的磁头制造方法，其特征在于包括在晶片上形成多个磁头元件和包含模拟电阻的监控元件的步骤，借助于该步骤，阻值与所述磁头元件的加工过程以模拟方式一致地改变；从所述晶片切成毛坯的步骤，在这毛坯上所述多个磁头元件和所述监控元件排成一行；加工所述磁头元件的高度的步骤，在此加工过程同时测量在所述毛坯上的所述监控元件的阻值，以达到预定的高度；和在所述处理后把所述毛坯分成单个磁头的步骤；其中，所述形成步骤包括测量这样的位置之间的差值的步骤，这些位置是所述形成后的监控元件端部和所述形成后的磁头元件端部；所述加工步骤包括利用这些位置上的所述差值ΔI把所述监控元件的阻值转换成所述磁头元件的高度的步骤；和当所述磁头元件的高度达到目标值时，终止所述加工处理的步骤。2.根据权利要求1的磁头制造方法，其特征在于所述形成步骤包括形成含有磁阻元件的所述磁头元件的步骤；和所述处理步骤包括把所述磁阻元件的高度加工到所述目标值的步骤。3.根据权利要求2的磁头制造方法，其特征在于所述形成步骤包括在所述晶片上形成所述磁阻元件和所述监控元件的步骤、测量所述形成后的监控元件的端部和所述形成后的磁头元件的端部位置之间的差值的步骤，以及在所述磁阻元件上形成写单元的步骤。4.根据权利要求1的磁头制造方法，其特征在于所述形成步骤包括测量所述监控元件的起始阻值的步骤，以及所述处理步骤的所述转换步骤包括决定这样的关系表达式的系数的步骤，所述关系表达式利用所述监控元件的所述起始阻值，把所述监控元件的阻值转换成所述磁头元件的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：绵贯基一，杉山友一，横井和雄，柳田芳明，须藤浩二，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]