本发明专利技术公开了一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片，其中，硅片的夹具损伤的预测方法包括：获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。本发明专利技术提供的技术方案，可降低夹具对硅片表面损伤的可能性，提高硅片质量。量。量。
【技术实现步骤摘要】
一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片
[0001]本专利技术涉及半导体芯片制造领域，尤其涉及一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片。
技术介绍
[0002]随着电子和光电行业下游技术的不断进步，对于硅片的加工精度要求越来越高，需要保证硅片在加工后具有高面型精度和表面质量，为光刻工序准备平坦化、超光滑、低损伤的衬底表面。
[0003]硅片在生产加工过程中，加工设备及测试设备自带的硅片夹持装置有接触到硅片正表面从而对硅片产生损伤的可能性，降低硅片的质量的成品率。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供了一种硅片的夹具损伤的预测方法及装置、硅片，以降低夹具对硅片表面损伤的可能性，提高硅片质量。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种硅片的夹具损伤的预测方法，包括：
[0006]获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；
[0007]若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。
[0008]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种硅片的夹具损伤的预测装置，包括：
[0009]速率获取模块，用于获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；
[0010]损伤预测模块，用于在所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间时，判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。
[0011]第三方面，本专利技术实施例提供了一种硅片，包括中心区域和围绕所述中心区域的边缘区域；
[0012]所述硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢位于安全速率区间；所述径向方向由所述中心区域指向所述边缘区域。
[0013]本专利技术中，通过获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢，来判断硅片表面在生产加工过程中，被加工设备或测试设备自带的夹具损伤的可能性，其中，所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域。夹具与硅片之间损伤大多因边缘区域中设定区域的厚度变化速率的快慢决定，本实施例可根据硅片的边缘区域中设定区域的边缘形貌的特征判断夹具接触到硅片正表面从而对硅片产生损伤的可能性，并为硅片的边缘轮廓特征提供安全速率区间，便于对硅片的设定区域的形貌进行设置，以降低后续加工及测试设备因其自带的硅片夹持装置对硅片正表面产生损伤的可能性。
附图说明
[0014]图1是本专利技术实施例提供的一种硅片边缘夹持示意图；
[0015]图2是本专利技术实施例提供的一种硅片的夹具损伤的预测方法的流程示意图；
[0016]图3是本专利技术实施例提供的一种硅片的结构示意图；
[0017]图4是本专利技术实施例提供的另一种硅片的夹具损伤的预测方法的流程示意图；
[0018]图5是本专利技术实施例提供的Z
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高度与半径之间的关系曲线图；
[0019]图6是本专利技术实施例提供的一种硅片的夹具损伤的预测装置结构示意图。
具体实施方式
[0020]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0021]硅片在生产加工过程中，加工设备及测试设备自带的硅片夹持装置有接触到硅片正表面从而对硅片产生损伤的可能性，如图1所示，图1是本专利技术实施例提供的一种硅片边缘夹持示意图，硅片11在生产加工过程中，加工设备及测试设备自带的夹具12有接触到硅片11正表面从而对硅片11产生损伤的可能性，接触区域的面积S1的大小直接决定了夹具12是否会对硅片正表面产生损伤，本实施例对硅片的边缘轮廓特征进行表征，并对边缘轮廓特征进行判断，以判断硅片产生损伤的可能性。
[0022]具体的，本专利技术实施例提供了一种硅片的夹具损伤的预测方法，如图2所示，图2是本专利技术实施例提供的一种硅片的夹具损伤的预测方法的流程示意图，包括如下步骤：
[0023]S101、获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域。
[0024]图3是本专利技术实施例提供的一种硅片的结构示意图，硅片11包括中心区域A1和围绕中心区域A1的边缘区域A2。本实施例设定径向方向X为由硅片11的中心区域A1指向边缘区域A2的方向。本实施例中，边缘区域A2中的设定区域A3在径向方向的厚度变化速率的快慢对夹具与硅片之间的损伤程度有表征意义，本实施例对设定区域A3在径向方向的厚度变化速率的快慢进行精准测量，从而对硅片11的边缘轮廓特征进行精准获取。
[0025]S102、若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。
[0026]本实施例中，当设定区域的厚度变化速率的快慢位于某个安全速率区间时，夹具对硅片表面损伤可能性比较小，当设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态，本专利技术实施例可为倒角及边缘抛光工序提供上述表征硅片边缘轮廓特征的方法使其做出对应的工艺调整，从而极大程度降低后续加工及测试设备因其自带的硅片夹持装置对硅片正表面产生损伤的可能性，提高硅片成品质量。
[0027]本专利技术实施例中，通过获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢，来判断硅片表面在生产加工过程中，被加工设备或测试设备自带的夹具损伤的可能性，其中，所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域。夹具与硅片之间损伤大多因边缘区域中设定区域的厚度变化速率的快慢决定，本实施例可根据硅片的边缘
区域中设定区域的边缘形貌的特征判断夹具接触到硅片正表面从而对硅片产生损伤的可能性，并为硅片的边缘轮廓特征提供安全速率区间，便于对硅片的设定区域的形貌进行设置，以降低后续加工及测试设备因其自带的硅片夹持装置对硅片正表面产生损伤的可能性。
[0028]以上是本专利技术的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]在上述实施例的基础上，获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢，包括：获取硅片的边缘区域的设定区域中的至少一个设定位置点沿径向方向的厚度变化速率的快慢。在一种方案中，本实施例可获取设定区域中每个位置点沿径向方向的厚度变化速率的快慢，并保证每个位置点的厚度变化速率的快慢均处于安全速率区间内，从而保证硅片表面具有较强的安全性。在另一种方案中，在实际操作中可知，根据夹具和硅片之间的接触位置关系，设定区域的某一个或某几个位置点最终能够决定夹具和硅片之间的本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，包括：获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢；所述径向方向由所述硅片的中心区域指向所述边缘区域；若所述设定区域的厚度变化速率的快慢超出安全速率区间，则判定所述硅片的表面处于易被夹具损伤的易损伤状态。2.根据权利要求1所述的硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢，包括：获取所述硅片的边缘区域的设定区域中的至少一个设定位置点沿所述径向方向的厚度变化速率的快慢。3.根据权利要求2所述的硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，获取硅片的边缘区域的设定区域在沿径向方向的厚度变化速率的快慢，包括：获取硅片的边缘区域的设定区域的至少一个设定位置点的Z
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高度双重微分的取值；R为所述硅片的半径取值；Z(R)为所述硅片的半径为R的轮廓线上的位置点与参考平面在垂直于所述硅片所在平面的方向上的距离；通过所述设定位置点的Z
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高度双重微分表征所述设定区域沿所述径向方向的厚度变化速率的快慢。4.根据权利要求3所述的硅片的夹具损伤的预测方法，其特征在于，在获取所述硅片的设定区域的至少一个设定位置点的Z
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高度双重微分的取值之前，还包括：通过机台测试装置获取所述硅片的设定区域的不同位置点的硅片半径和Z
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高度，并形成Z
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【专利技术属性】
技术研发人员：赖信，胡浩，张俊宝，宋洪伟，陈猛，
申请(专利权)人：重庆超硅半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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