光刻条件的在线监测方法及掩膜版技术

本申请公开了一种光刻条件的在线监测方法及掩膜版，涉及半导体制造领域。该光刻条件的在线监测方法包括通过光刻工艺在晶圆表面形成CD Bar和若干条状辅助结构；监测所述CD Bar的尺寸和形貌；其中，所述条状辅助结构位于所述CD Bar的四周；解决了目前在图形密度过低的层侧容易发生CD Bar区域倒胶的问题；达到了改善CD Bar区域倒胶，提高光刻条件监测结果的准确性的稳定性的效果。准确性的稳定性的效果。准确性的稳定性的效果。

【技术实现步骤摘要】
光刻条件的在线监测方法及掩膜版


[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种光刻条件的在线监测方法及掩膜版。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，对于光刻条件的在线(inline)监测主要通过量测被监测图形的某一个方向的关键尺寸来实现。目前，采用如图1所示的CD Bar作为被监测图形，通过量测CD Bar可以保证光刻图形的正常形成，也可以提供保障产品良率和稳定性的重要依据。
[0003]对于图形密度过低的层次，体现在掩膜版上就是透光区域过少，一般为掩膜版上的透光率低于0.3％，光刻形成的图形少且孤立，用于在线监测的CD Bar周围非常空旷。显影时，在晶圆的旋转作用下，CD Bar周围显影液流速加快冲击力变大，CD Bar在显影液的强烈冲击作用下容易发生倒胶现象。
[0004]针对这种由于图形密度过低导致的CD Bar区域光阻倒胶的现象，调整显影转速可以改善这一现象，但是调整显影转速也会引发显影不良等问题。

技术实现思路

[0005]为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种光刻条件的在线监测方法及掩膜版。该技术方案如下：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种光刻条件的在线监测方法，该方法包括：
[0007]通过光刻工艺在晶圆表面形成CD Bar和若干条状辅助结构；
[0008]监测CD Bar的尺寸和形貌；
[0009]其中，条状辅助结构位于CD Bar的四周。
[0010]可选的，通过光刻工艺在晶圆表面形成CD Bar和若干条状辅助结构，包括：
[0011]通过光刻工艺，在晶圆的切割道表面形成CD Bar和若干条状辅助结构。
[0012]可选的，部分条状辅助结构与切割道垂直，且垂直于切割道的条状辅助结构的长度小于切割道的宽度；
[0013]部分条状辅助结构与切割道平行。
[0014]可选的，条状辅助结构的宽度不小于CD Bar的宽度。
[0015]可选的，在进行光刻工艺时，使用包括CD Bar图案和条状辅助结构图案的掩膜版。
[0016]第二方面，本申请实施例提供了一种掩膜版，该掩膜版包括CD Bar图案和若干条状辅助结构图案；
[0017]其中，条状辅助结构图案位于CD Bar图案的四周。
[0018]可选的，条状辅助结构图案的宽度不小于CD Bar图案的宽度。
[0019]可选的，部分条状辅助结构图案与CD Bar图案的X方向平行，部分条状辅助结构图案与CD Bar图案的Y方向平行。
[0020]本申请技术方案，至少包括如下优点：
[0021]通过光刻工艺在晶圆表面形成CD Bar、位于CD Bar四周的若干条状辅助结构，监
测CD Bar的尺寸和形貌；解决了目前在图形密度过低的层侧容易发生CD Bar区域倒胶的问题；达到了改善CD Bar区域倒胶，提高光刻条件监测结果的准确性的稳定性的效果。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是一种CD Bar的示意图；
[0024]图2是本申请实施例提供的一种光刻条件的在线监测方法的流程图；
[0025]图3是一种CD Bar、特殊标记、代码的示意图
[0026]图4是本申请实施例提供的一种CD Bar和条状辅助结构的示意图；
[0027]图5是本申请实施例提供的一种SEM量测得到的CD Bar的尺寸和形貌的示意图；
[0028]图6是本申请实施例提供的另一种CD Bar和条状辅助结构的示意图；
[0029]图7是本申请实施例提供的另一种CD Bar和条状辅助结构的示意图；
[0030]图8是本申请实施例提供的另一种CD Bar和条状辅助结构的示意图；
[0031]图9是本申请实施例提供的另一种SEM量测得到的CD Bar的尺寸和形貌的示意图。
具体实施方式
[0032]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0033]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0034]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0035]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0036]请参考图2，其示出了本申请实施例提供的一种光刻条件的在线监测方法的流程图，该方法至少包括如下步骤：
[0037]步骤101，通过光刻工艺在晶圆表面形成CD Bar和若干条状辅助结构。
[0038]在需要进行光刻工艺的晶圆表面涂布光刻胶，并利用掩膜版进行曝光，显影后，在
晶圆表面形成用于形成产品的预设结构、以及用于进行在线监测的CD Bar和若干条状辅助结构。
[0039]条状辅助结构位于CD Bar的四周。
[0040]如图3所示，CD BAR 21同时具有水平的量测图形、垂直的量测图形、密集的量测图形、半密集的量测图形和孤立的量测图形。CD Bar 21的附近还形成有用于做定位和自动对焦的特殊标记23，以及用于标识CD Bar的代码24。
[0041]在一个例子中，如图4所示，CD Bar被4条条状辅助结构22围绕。
[0042]在进行光刻工艺时，使用的掩膜版包括CD Bar图案和条状辅助结构图案。在正常的显影过程中，显影溶液会先溶解条状辅助结构图案区域的光阻，当显影液流动至CD Bar图案区域时，显影液的冲洗速度减缓，冲击力显著减小，CD Bar图案区域的光阻不会出现倒胶现象。
[0043]步骤102，监测CD Bar的尺寸和形貌。
[0044]通过C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻条件的在线监测方法，其特征在于，所述方法包括：通过光刻工艺在晶圆表面形成CD Bar和若干条状辅助结构；监测所述CD Bar的尺寸和形貌；其中，所述条状辅助结构位于所述CD Bar的四周。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过光刻工艺在晶圆表面形成CD Bar和若干条状辅助结构，包括：通过光刻工艺，在所述晶圆的切割道表面形成所述CD Bar和所述若干条状辅助结构。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，部分条状辅助结构与切割道垂直，且垂直于所述切割道的条状辅助结构的长度小于所述切割道的宽度；部分条状辅助结构与所述切割道平行。4.根据权利要求1或2所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨红美，金佩，李伟峰，顾以理，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：