薄膜的检测方法技术

本发明专利技术提供一种薄膜的检测方法，通过对外围区域的待测薄膜进行光学检测，可得到所述外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率；并通过比较所述外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率之间的差值，可判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移。因此，本发明专利技术通过检测待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率，可实现检测所述待测薄膜的位置是否发生偏移，且检测精度更高，便于实时的对所述待测薄膜进行检测，从而可实时辨识薄膜的异常情况，提升产品的良率。提升产品的良率。提升产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
薄膜的检测方法


[0001]本专利技术涉及半导体工艺
，特别涉及一种薄膜的检测方法。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，通常会在衬底表面沉积薄膜，以通过沉积的薄膜制备功能层，例如，通过在衬底上沉积金属互连线实现器件之间的连接，以及实现电信号的传递。随着半导体器件的高度集成化及高性能化的进展，对薄膜的规范性也提出了越来越高的要求，例如，薄膜的类型、尺寸准确度以及所述薄膜与衬底之间的对准精度等。如果薄膜与衬底之间的对准精度较低，容易导致后续工艺的缺陷。例如导致薄膜的剥离缺陷(metal pillar peeling defect)，进而发生层间短路(bridge)的问题，降低产品的良率。
[0003]为了避免因薄膜发生偏移而造成的异常，通常会检测形成于衬底上的薄膜的位置相对薄膜的预设位置是否发生偏移(即检测薄膜与衬底之间的对准精度)。现有技术中，通常采用光谱分析仪(XRF)测量薄膜的厚度，通过测量薄膜的厚度判断薄膜的位置是否发生偏移，但由于该方法的测量精度有限，如果薄膜的位置偏移较小(参考图1，衬底10上形成于位置偏移的薄膜11，薄膜11的位置偏移较小)，通过测量薄膜的厚度无法体现出薄膜是否发生偏移。即通过该方法无法准确的检测到薄膜的位置是否发生偏移，并且该方法的反馈周期较长，因此，需要一种新的薄膜的检测方法，以检测薄膜的位置是否发生偏移。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种薄膜的检测方法，以实时、准确的检测薄膜的位置是否偏移，提升产品的良率。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供一种薄膜的检测方法，包括：
[0006]提供一衬底，所述衬底具有中心区域和外围区域，所述外围区域包围所述中心区域，且所述衬底上形成有一待测薄膜；
[0007]对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测，以得到所述外围区域的所述待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率；
[0008]比较所述最大的光反射率和所述最小的光反射率之间的差值，并根据比较结果判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移。
[0009]可选的，在所述的检测方法中，对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测的方法包括：
[0010]在所述外围区域的所述待测薄膜上预设多个检测点；
[0011]对预设的所述多个检测点进行光学检测，以得到所述多个检测点的光反射率；
[0012]比较所述多个检测点的光反射率的大小，以得到所述多个检测点的光反射率中的最大的光反射率和最小的光反射率。
[0013]可选的，在所述的检测方法中，所述多个检测点对称分布于一检测线上，所述检测线设置于所述外围区域并包围所述中心区域。
[0014]可选的，在所述的检测方法中，在对预设的所述多个检测点进行光学检测时，将检测光束以预定的入射角依次入射到所述多个检测点，并接收由所述多个检测点反射的所述检测光束，以根据所述检测光束得到所述多个检测点的光反射率。
[0015]可选的，在所述的检测方法中，所述检测光束的波长为400nm～700nm。
[0016]可选的，在所述的检测方法中，所述检测光束的入射角为10
°
～90
°
。
[0017]可选的，在所述的检测方法中，在对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测之后，所述待测薄膜的检测方法还包括：
[0018]判断所述待测薄膜的尺寸是否合格，其中，判断所述待测薄膜的尺寸是否合格的方法包括：计算所述多个检测点的光反射率的平均光反射率，并根据所述平均光反射率判断所述待测薄膜的尺寸是否合格。
[0019]可选的，在所述的检测方法中，判断所述待测薄膜的尺寸是否合格的方法包括：将所述平均光反射率的值与第一预设阈值进行比较，若所述平均光反射率的值在所述第一预设阈值内，则判断为所述待测薄膜的尺寸合格；若所述平均光反射率的值不在所述第一预设阈值内，则判断为所述待测薄膜的尺寸较所述待测薄膜的预设尺寸偏大或者偏小。
[0020]可选的，在所述的检测方法中，判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移的方法包括：
[0021]将所述待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率之间的差值与第二预设阈值进行比较，若所述差值不在所述第二预设阈值内，则判断为所述待测薄膜相对所述待测薄膜的预设位置发生偏移。
[0022]可选的，在所述的检测方法中，所述待测薄膜的材质为金属。
[0023]在本专利技术提供的薄膜的检测方法中，通过对外围区域的待测薄膜进行光学检测，可得到所述外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率；并通过比较所述最大的光反射率和所述最小的光反射率之间的差值，可判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移。因此，本专利技术通过检测外围区域的待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率，实现检测所述待测薄膜的位置是否发生偏移，且检测精度更高，便于实时的对所述待测薄膜进行检测，从而可实时辨识薄膜的异常情况，提升产品的良率。
附图说明
[0024]图1是薄膜的位置发生偏移时的结构示意图；
[0025]图2是本专利技术实施例的薄膜的检测方法的流程示意图；
[0026]图3是本专利技术实施例的薄膜的检测方法中的衬底的俯视图；
[0027]图4是本专利技术实施例的薄膜的检测方法中的待测薄膜的俯视图；
[0028]图5是本专利技术实施例的薄膜的检测方法中的待测薄膜的光反射率的曲线示意图；
[0029]其中，附图标记说明如下：
[0030]10
‑
衬底；11
‑
薄膜；
[0031]100
‑
衬底；101
‑
外围区域；102
‑
中心区域；103
‑
检测线；103a
‑
检测点；110
‑
待测薄膜。
具体实施方式
[0032]以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的薄膜的检测方法作进一步详细说明。根据下面说明，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0033]图2是本专利技术实施例提供的薄膜的检测方法的流程示意图。如图2所示，所述待测薄膜的检测方法包括如下步骤：
[0034]步骤S1：提供一衬底，所述衬底具有中心区域和外围区域，所述外围区域包围所述中心区域，且所述衬底上形成有一待测薄膜；
[0035]步骤S2：对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测，以得到所述外围区域的所述待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率；
[0036]步骤S3：比较所述最大的光反射率和所述最小的光反射率之间的差值，并根据比较结果判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移。
[0037]图3是本专利技术实施例的薄膜的检测方法中的衬底的俯视图；图4是本专利技术实施例的薄膜的检测方法中的待测薄膜的俯视图；图5是本专利技术实施例的薄膜的检测方法中的待测薄膜的光反射率的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜的检测方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底具有中心区域和外围区域，所述外围区域包围所述中心区域，且所述衬底上形成有一待测薄膜；对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测，以得到所述外围区域的所述待测薄膜的最大的光反射率和最小的光反射率；获取所述最大的光反射率和所述最小的光反射率之间的差值，并根据所述差值判断所述待测薄膜的位置是否发生偏移。2.如权利要求1所述的薄膜的检测方法，其特征在于，对所述外围区域的所述待测薄膜进行光学检测的方法包括：在所述外围区域的所述待测薄膜上预设多个检测点；对预设的所述多个检测点进行光学检测，以得到所述多个检测点的光反射率；比较所述多个检测点的光反射率的大小，以得到所述多个检测点的光反射率中的最大的光反射率和最小的光反射率。3.如权利要求2所述的薄膜的检测方法，其特征在于，所述多个检测点对称分布于一检测线上，所述检测线设置于所述外围区域并包围所述中心区域。4.如权利要求3所述的薄膜的检测方法，其特征在于，在对预设的所述多个检测点进行光学检测时，将检测光束以预定的入射角依次入射到所述多个检测点，并接收由所述多个检测点反射的所述检测光束，以根据所述检测光束得到所述多个检测点的光反射率。5.如权利要求4所述的薄膜的检测方法，其特征在于，所述检测光束的波长为400nm～700nm。6.如权利要求4所述的薄膜的检...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾硕峰，孙洪福，项贤晓，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：