【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种超高压电阻的结构和工艺方法。
技术介绍
1、bcd工艺是指将bipolar、cmos和dmos三种工艺整合在一起的系列工艺技术，也就是单片集成工艺技术。该技术最早由意法半导体（st）在1986年研发出来。bcd工艺能够把双极bipolar器件、cmos器件、dmos器件同时制造在同一芯片上。bcd工艺的优势在于，整合了双极器件bipolar的高跨导、强负载驱动能力和cmos的集成度高、低功耗的优点，还集成了dmos功率器件，让dmos在开关模式下工作，功耗极低。
2、目前在bcd工艺中的超高压电阻大多为如图1所示的结构，所示的结构中为一ldmos器件，集成在超高压器件的漂移区部分，漂移区的衬底表面具有一大块场氧locos，电阻即集成在场氧上，其中电阻的一端（high）是与漏端场板相连，包括漏端的多晶硅场板和金属场板，形成一个整体，电阻的另一端（low）形成接触端。电阻之间以多晶硅线或者金属线构成电阻结构。这样的电阻耐压结构往往受限于超高压器件的击穿电压，并且通常为locos工艺，很难...
【技术保护点】
1.一种超高压电阻的工艺方法，其特征在于：包含如下的工艺步骤：
2.如权利要求1所述的超高压电阻的工艺方法，其特征在于：在所述的半导体衬底上形成外延层，然后在所述的外延层中进行后续的工艺步骤；所述的半导体衬底包括硅衬底，或者是氮化镓、氮化硅的宽禁带半导体衬底。
3.如权利要求1所述的超高压电阻的工艺方法，其特征在于：所述的硬掩模层为氧化硅层，或者是氮化硅层。
4.如权利要求1所述的超高压电阻的工艺方法，其特征在于：所述的深沟槽采用干法刻蚀工艺，对所述的半导体衬底进行刻蚀；根据设计需要，刻蚀形成的深沟槽为一个或者两个以上。
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。