溅射靶及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种溅射靶，该溅射靶在溅射中没有裂纹或开口，不发生异常放电，而且能够稳定地进行溅射，并能够以高的生产率得到记录再现性能优异的相变化光记录媒体。由一种以上选自氧化物的物质和一种以上选自碳化物的物质构成的烧结体形成溅射靶，该烧结体中的碳化物含量在０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下，相对密度在７０％以上。特别是由含有Ｔａ氧化物和Ｓｉ碳化物的烧结体来构成溅射靶，该烧结体中Ｓｉ碳化物的含量在０．１ｗｔ％以上和２０ｗｔ％以下，而且相对密度在７０％以上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在可擦写光信息记录媒体中，在制造由激光束等使记录层发生相变化来实现信息的记录、再现或消除的相变化光记录媒体时所用的。一般，相变化型光记录光盘等相变化光记录媒体是在记录层的结晶相(处于消除状态)上，通过激光束形成无定形相的记录标志来实现记录的，并由检测结晶相和无定形相上反射率的差值来得到再现信号。并且，在记录信号时，在无定形化的强度(峰值功率)和结晶化强度(偏置功率)之间进行激光束强度的强度调制，这样就能够通过单光束和单层记录膜的组合进行光调制擦写(直接擦写DOW)，进而得到大容量且高传送速度的记录光盘。另外，伴随着相变化光记录媒体容量的进一步增加，人们追求以更高的传送速度来再现记录，比如追求以10m/sec以上的高线速度进行擦写。在现有的相变化光记录媒体中，在这样的高线速度的情况下，具有消去率降低的问题。为了解决这个问题，对接着在记录层上而形成的保护层进行了许多探讨，并且，为了在多层上分担保护记录层和促进记录层的结晶化等不同的机能，提出了在记录层和保护层之间，形成接着记录层的薄界面层的方案。可是，主要是氧化物被用作构成这样的相变化光记录媒体的保护层和界面层的材料，而形成此保护层和界面层的方法，则大多使用由构成它们的材料形成的烧结体在溅射靶上溅射的方法。本专利技术就是着眼于上述问题，不仅能够提供一种有效地形成相变化光记录媒体的保护层或记录层的溅射靶，所提供的溅射靶既能够实现高速且稳定的溅射，又能够得到记录再现性能优异的相变化光记录媒体，且生产率高，而且还提供一种能够简便地、合格率高地制造这种溅射靶的制造方法。本专利技术人为了解决上述问题进行深入研究后，结果发现将氧化物和碳化物的原料粉末混合，将得到的混合粉末在特定的条件下烧结就得到高密度的溅射靶，通过使用这种溅射靶，在进行溅射时，不会产生裂纹和开口，能够进行高速而稳定的溅射，而且能够得到记录再现性能优异的相变化光记录媒体。本专利技术就是基于上述研究的结果。即，本专利技术溅射靶是一种特征为由一种以上选自氧化物的物质和一种以上选自碳化物的物质构成的烧结体组成，适于用作制造相变化光记录媒体的保护层或界面层的溅射靶。而且，在烧结体中碳化物的含量优选为在0.1wt％以上和20wt％以下，烧结体相对密度优选为70％以上。构成上述烧结体的氧化物优选为一种以上选自Ta、Si、Al、Ti、Nb、Zr、Zn、In和Sn的氧化物，构成上述烧结体的碳化物优选为一种以上选自Si、Ta、Ti、Nb和W的碳化物。另外，当含有两种以上碳化物时，所含碳化物的总量优选是0.1wt％以上20wt％以下。构成烧结体的碳化物的特别优选是Si碳化物。当碳化物是Si碳化物时，优选为实质上不含除Si以外的其它元素的碳化物。并且，本专利技术的溅射靶的特征在于，该溅射靶是含有Ta氧化物和Si碳化物的烧结体，该烧结体中Si碳化物的含量在0.1wt％以上20wt％以下，而且由相对密度70％以上的烧结体构成。在此情况下，上述烧结体优选为实质上不含除Si以外的其它元素的碳化物。在本专利技术中，所谓“实质上不含除Si以外的其它元素的碳化物”意味着在X射线衍射峰值分布图中，不能明确地辨认出属于Si以外其它元素的衍射峰。更具体说，比如，在烧结体的X衍射峰值分布图中，除Si以外其它元素的碳化物的衍射峰强度Ic与最大衍射峰的强度是Imax的比值(Ic/Imax)小于0.01。在本专利技术中的Ta氧化物和Si碳化物可以分别使用比如Ta2O5和SiC。本专利技术溅射靶的制造方法具有将由氧化物和碳化物原料粉末混合得到的混合粉末进行烧结得到烧结体的工序，是由一种以上选自氧化物的物质和一种以上选自碳化物的物质组成的烧结体构成上述溅射靶的制造方法，其特征在于，使用平均粒径为15μm以下的混合粉末作为所述混合粉末，并使上述混合粉末中碳化物的含量在0.1wt％以上20wt％以下，在烧结温度为900℃以上，烧结温度下的保持时间为30分钟以上，并且烧结结束后的降温速度为300℃/hr以下进行烧结。本专利技术的溅射靶的制造方法具有将含有Ta氧化物和Si碳化物的混合粉末进行烧结得到烧结体的工序，是由含有Ta氧化物和Si碳化物的烧结体构成溅射靶的制造方法，其特征在于，使用平均粒径为15μm以下的混合粉末作为上述混合粉末，并使上述混合粉末中碳化物的含量为0.1以上20wt％以下，烧结温度在900℃以上，烧结温度下的保持时间为30分钟以上，并且烧结结束后的降温速度在300℃/hr以下进行烧结。烧结温度特别优选为在900℃以上1200℃以下，因为这样能够得到由实质上不含TaC等Ta碳化物的烧结体构成的溅射靶。优选使用热压法，在烧结压力100kg/cm2以上进行烧结，由此能够轻易得到密度更高的烧结体。附图说明图1表示用于实施例和比较例的烧结时温度变化和加压变化的曲线图；图2表示由实施例和比较例制造的相变化光记录媒体I和相变化光记录媒体II结构的剖面图。(a)是相变化光记录媒体I；(b)是相变化光记录媒体II；图3表示由实施例和比较例制造的相变化光记录媒体进行评价时使用的激光调制花样图；图4表示在实施例1中制造的相变化光记录媒体I的CNR功率曲线的图。符号的说明311、321基板312、322第一保护层323第一界面层313、324记录层325第二界面层314、326第二保护层315、327反射层316、328保护涂层本专利技术的溅射靶的特征在于，它是由一种以上选自氧化物的物质和一种以上选自碳化物的物质组成的烧结体构成的，在上述烧结体中碳化物的含量在0.1wt％以上20wt％以下，相对密度在70％以上。并且，本专利技术的溅射靶的特征在于，它是含有Ta氧化物和Si碳化物的烧结体，在该烧结体中Si碳化物的含量在0.1wt％以上20wt％以下，且该烧结体的相对密度在70％以上。如果烧结体中SiC等碳化物的含量超过20wt％，则由溅射得到的膜的透明性差，由于记录再现性能差而不实用，而如果不到0.1wt％，就没有提高记录灵敏度的效果。烧结体中碳化物的含量优选为0.1～15wt％，更优选为0.1～10wt％。由于烧结体的相对密度在70％以上，会急剧减少在溅射时产生裂纹和开口和异常的放电等现象的情况。烧结体的相对密度更优选为80％以上，特别优选为90％以上。作为构成上述烧结体的氧化物，例如，可以使用一种以上选自Ta、Si、Al、Ti、Nb、Zr、Zn、In和Sn的氧化物，但为了提高使用制得的溅射靶制造的相变化光记录媒体的消去率性能，优选为一种以上选自Ta、Si、Al、Ti和Nb的氧化物。但是，由于SiO2的折光率比较低，在由以SiO2为主要成分的烧结体组成的溅射靶制造相变化光记录媒体时，会有信号强度相对降低的情况。为了提高使用制得的溅射靶制造的相变化光记录媒体的记录灵敏度性能，作为构成上述烧结体的碳化物，优选为一种以上选自Si、Ta、Ti、Nb和W的碳化物。特别是从提高记录灵敏度性能的观点出发，Si碳化物是最有效的。因此，当碳化物是Si碳化物时，更优选为实质上不含除Si以外的其它元素的碳化物。由提高相变化光记录媒体的消去率性能和记录灵敏度性能的观点出发，特别优选使用由含有Ta氧化物和Si碳化物的烧结体形成的溅射靶。此时还是优选实质上不含除Si以外的其它元素的碳化物。在使用由含有生成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射靶，其特征为：由一种以上选自氧化物的物质和一种以上选自碳化物的物质组成的烧结体构成，其中所述碳化物的含量为０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下，而且所述烧结体的相对密度为７０％以上。

【技术特征摘要】
JP 2002-2-28 2002-0547381.一种溅射靶，其特征为由一种以上选自氧化物的物质和一种以上选自碳化物的物质组成的烧结体构成，其中所述碳化物的含量为0.1wt％以上20wt％以下，而且所述烧结体的相对密度为70％以上。2.如权利要求1所述的溅射靶，其特征为所述构成烧结体的氧化物是一种以上选自Ta、Si、Al、Ti、Nb、Zr、Zn、In以及Sn的氧化物。3.如权利要求1或2所述的溅射靶，其特征为所述构成烧结体的碳化物是一种以上选自Si、Ta、Ti、Nb以及W的碳化物。4.如权利要求1所述的溅射靶，其特征为所述构成烧结体的碳化物是Si的碳化物。5.如权利要求2所述的溅射靶，其特征为所述构成烧结体的碳化物是Si的碳化物。6.如权利要求4或5所述的溅射靶，其特征为所述烧结体实质上除Si碳化物以外不含其它元素的碳化物。7.一种溅射靶，其特征为它是由含有Ta氧化物和Si碳化物的烧结体构成的，所述烧结体中Si的碳化物的含量为0.1wt％以上20wt％以下，而且所述烧结体的相对密度为70％以上。8.如权利要求7所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：向后雅则，稻生俊雄，内田雅人，
申请(专利权)人：东曹株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]