碳化硅二极管及制造方法技术

本发明专利技术提供了一种碳化硅二极管及制造方法，包括：晶圆基底层、晶圆外延层、掺杂区、掺杂多晶硅、第一层金属层、正面金属层、正面护层和背面金属；晶圆基底层一侧相邻晶圆外延层一侧；晶圆基底层另一侧设置背面金属，背面金属和晶圆基底层之间设置晶背欧姆接触；晶圆外延层另一侧设置多个凹槽，凹槽底部设置为掺杂区，凹槽顶部所在平面和凹槽侧面设置掺杂多晶硅；掺杂区和掺杂多晶硅外侧设置第一层金属层，第一层金属层外侧设置正面金属层，正面金属层外侧设置正面护层。本发明专利技术由于界面特性不受高温影响，因此优化工艺流程，减少晶圆减薄后的工艺步骤。后的工艺步骤。后的工艺步骤。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅二极管及制造方法


[0001]本专利技术涉及二极管制造领域，具体地，涉及碳化硅二极管及制造方法。

技术介绍

[0002]传统SiC肖特基势垒二极管(SBD，Schottky Barrier Diode)主要由特定金属与SiC形成肖特基势垒而具有整流的特性，但是由于这个界面的特性对工艺温度非常敏感，无法承受后续晶圆背面为形成奥姆接触所需要的高温工艺，因此在肖特基势垒二极管工艺流程上需要先形成晶圆背面奥姆接触后再完成正面相关的金属工艺及护层结构，这样的流程除了增加工艺的复杂程度外更限制生产的良率。
[0003]专利文献CN110291646A涉及一种碳化硅肖特基二极管，包括N型SiC层和P型SiC层，该P型SiC层与该N型SiC层接触形成P
‑
N结。阳极与N型SiC层和P型SiC层都接触，在阳极与N型SiC层和P型SiC层之间都形成肖特基接触。P型SiC层的边缘具有电活性，并且包括P
‑
N结处的锥形负电荷密度。
[0004]专利文献CN112701165A公开了一种碳化硅二极管的制备方法，包括如下步骤：在SiC衬底上外延SiC，形成SiC外延层；热氧化所述SiC外延层表面，形成SiO2层；在所述SiO2层上沉积掩膜层；刻蚀有源区掩膜层，暴露有源区离子注入区域；部分刻蚀JTE区掩膜层，暴露JTE区离子注入区域；离子注入，形成P掺杂的JTE区和P+掺杂的有源区。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中的缺陷，本专利技术的目的是提供一种碳化硅二极管及制造方法。
[0006]根据本专利技术提供的一种碳化硅二极管，包括：晶圆基底层、晶圆外延层、掺杂区、掺杂多晶硅、第一层金属层、正面金属层、正面护层和背面金属；
[0007]所述晶圆基底层一侧相邻所述晶圆外延层一侧；
[0008]所述晶圆基底层另一侧设置所述背面金属，所述背面金属和所述晶圆基底层之间设置晶背欧姆接触；
[0009]所述晶圆外延层另一侧设置多个凹槽，所述凹槽底部设置为所述掺杂区，所述凹槽顶部所在平面和所述凹槽侧面设置所述掺杂多晶硅；
[0010]所述掺杂区和所述掺杂多晶硅外侧设置所述第一层金属层，所述第一层金属层外侧设置所述正面金属层，所述正面金属层外侧设置所述正面护层。
[0011]本专利技术还提供了一种所述碳化硅二极管的制造方法，包括以下步骤：
[0012]步骤S1，在晶圆外延层沉积SiO2层并对所述SiO2层进行光刻和刻蚀，裸露出预计形成的第一沟槽，对所述晶圆外延层设置所述第一沟槽处进行刻蚀形成第二沟槽，所述SiO2层以离子植入方式进行P型掺杂，掺杂形成掺杂区后去除所述SiO2层；
[0013]步骤S2，在所述步骤S1加工后表面形成炭膜并在回火后去除所述炭膜后，所述掺杂区通过光刻及刻蚀裸露出炭化硅区域，所述第二沟槽侧面及顶部形成掺杂多晶硅；
[0014]步骤S3，在所述步骤S2加工后表面沉积第一层金属层并进行第一次金属回火，在
所述炭化硅区域及所述掺杂多晶硅表面形成欧姆接触；
[0015]步骤S4，对所述步骤S3加工后表面沉积正面金属层并进行光刻及刻蚀，在所述正面金属层表面沉积正面护层并进行光刻及刻蚀；
[0016]步骤S5，在晶圆基底层进行晶圆厚度减薄及背面金属沉积，所述背面金属回火后形成晶背欧姆接触。
[0017]优选地，在步骤S1中，所述SiO2层采用化学气象沉积方式沉积。
[0018]优选地，在步骤S1中，所述第二沟槽刻蚀方式包括干式刻蚀方式。
[0019]优选地，在步骤S1中，所述SiO2层去除方式包括湿法刻蚀方式。
[0020]优选地，在步骤S2中，所述炭膜形成方式包括沉积和烧结光刻胶方式。
[0021]与现有技术相比，本专利技术具有如下的有益效果：
[0022]1、本专利技术由于界面特性不受高温影响，因此优化工艺流程，减少晶圆减薄后的工艺步骤；
[0023]2、由于调整多晶硅的参杂可以改变与碳化硅界面的功函数差异，本专利技术具有可调整起始电压的优点；
[0024]3、碳化硅掺杂区可以降低逆向偏压时多晶硅和碳化硅接面的漏电流，可以在大电流导通时提供空穴注入造成电导调制降低导通压降。
附图说明
[0025]通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0026]图1为加工后碳化硅二极管结构示意图；
[0027]图2为SiO2层光刻刻蚀后结构示意图；
[0028]图3为刻蚀碳化硅后结构示意图；
[0029]图4为高温离子植入并去除SiO2层后结构示意图；
[0030]图5为去除炭膜并刻蚀后结构示意图；
[0031]图6为沉积第一层金属层并形成欧姆接触后结构示意图；
[0032]图7为正面护层沉积并光刻刻蚀后结构示意图；
[0033]图中所示：
[0034]具体实施方式
[0035]下面结合具体实施例对本专利技术进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术
人员进一步理解本专利技术，但不以任何形式限制本专利技术。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本专利技术的保护范围。
[0036]实施例1
[0037]如图1所示，一种碳化硅二极管，包括：晶圆基底层1、晶圆外延层2、掺杂区3、掺杂多晶硅4、第一层金属层5、正面金属层6、正面护层7和背面金属9；晶圆基底层1一侧相邻晶圆外延层2一侧，晶圆基底层1另一侧设置背面金属9，背面金属9和晶圆基底层1之间设置晶背欧姆接触8，晶圆外延层2另一侧设置多个凹槽，凹槽底部设置为掺杂区3，凹槽顶部所在平面和凹槽侧面设置掺杂多晶硅4，掺杂区3和掺杂多晶硅4外侧设置第一层金属层5，第一层金属层5外侧设置正面金属层6，正面金属层6外侧设置正面护层7。
[0038]如图2至图7所示，一种碳化硅二极管的制造方法，包括以下步骤：
[0039]步骤S1，在晶圆外延层2沉积SiO2层10并对SiO2层10进行光刻和刻蚀，SiO2层10采用化学气象沉积方式沉积，裸露出预计形成的第一沟槽11，对晶圆外延层2设置第一沟槽11处进行刻蚀形成第二沟槽12，第二沟槽12刻蚀方式包括干式刻蚀方式，以离子植入方式进行掺杂形成掺杂区3后去除SiO2层10，SiO2层10去除方式包括湿法刻蚀方式；
[0040]步骤S2，在步骤S1加工后表面形成炭膜并在回火后去除炭膜后，掺杂区3通过光刻及刻蚀裸露出炭化硅区域，炭膜形成方式包括沉积和烧结光刻胶方式，第二沟槽12侧面及顶部形成掺杂多晶硅；
[0041]步骤S3，在步骤S2加工后表面沉积第一层金属层5并进行第一次金属回火，在炭化硅区域及掺杂多晶硅4表面形成欧姆接触；
[0042]步骤S4，对步骤S3加工后表面沉积正面金属层6并进行光刻及刻蚀，在正面金属层6表面沉积正面护层7并进行光刻及刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅二极管，其特征在于，包括：晶圆基底层(1)、晶圆外延层(2)、掺杂区(3)、掺杂多晶硅(4)、第一层金属层(5)、正面金属层(6)、正面护层(7)和背面金属(9)；所述晶圆基底层(1)一侧相邻所述晶圆外延层(2)一侧；所述晶圆基底层(1)另一侧设置所述背面金属(9)，所述背面金属(9)和所述晶圆基底层(1)之间设置晶背欧姆接触(8)；所述晶圆外延层(2)另一侧设置多个凹槽，所述凹槽底部设置为所述掺杂区(3)，所述凹槽顶部所在平面和所述凹槽侧面设置所述掺杂多晶硅(4)；所述掺杂区(3)和所述掺杂多晶硅(4)外侧设置所述第一层金属层(5)，所述第一层金属层(5)外侧设置所述正面金属层(6)，所述正面金属层(6)外侧设置所述正面护层(7)。2.一种权利要求1所述碳化硅二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，在晶圆外延层(2)沉积SiO2层(10)并对所述SiO2层(10)进行光刻和刻蚀，裸露出预计形成的第一沟槽(11)，对所述晶圆外延层(2)设置所述第一沟槽(11)处进行刻蚀形成第二沟槽(12)，所述SiO2层(10)以离子植入方式进行P型掺杂，掺杂形成掺杂区(3)后去除所述SiO2层(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊峰，廖奇泊，陈本昌，
申请(专利权)人：淄博绿能芯创电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：