差动CPP GMR磁头制造技术

本发明专利技术提供了具有非磁性高传导率引线以实现低引线电阻的差动垂直平面电流模式（ＣＰＰ）巨磁电阻（ＧＭＲ）传感器。差动ＣＰＰ　　ＧＭＲ传感器包括第一自旋阀（ＳＶ）传感器，第二ＳＶ传感器和金属间隔层，金属间隔层设置在第一和第二ＳＶ传感器之间。由于本发明专利技术ＣＰＰＧＭＲ传感器的差动操作，无需屏蔽层对传感器屏蔽寄生磁场。使用具有较厚的高传导率非磁性引线层来代替屏蔽层以减少传感器的引线电阻。适于形成引线的材料包括钨（Ｗ）、金（Ａｕ）、铑（Ｒｈ）、铜（Ｃｕ）、钽（Ｔａ），这是出于它们导电性能以及耐腐蚀、耐污性的考虑。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及用于从磁介质读取信息信号的磁转换器，具体涉及具有改进的非磁性高导引线的差动垂直平面电流模式巨磁电阻传感器。
技术介绍
计算机通常包含有辅助存储器存储设备，该辅助存储器存储设备具有在之上可写入数据并可为以后使用从中读出数据的介质。采用旋转磁盘的直接访问存储设备(磁盘驱动器)通常在盘表面以磁形式存储数据。在磁盘表面上，将数据记录在同心的径向间隔的磁道上。之后，使用包含有读传感器的磁头从磁盘表面上的轨道读取数据。在高容量磁盘驱动器中，由于与薄膜感应磁头相比，磁电阻(MR)读传感器(通常称为MR传感器)具有从更大轨道和线密度的磁盘表面读取数据的能力，其成为当前主导型的读传感器。作为MR层所探测到的磁通量强度和方向的函数，MR传感器通过其MR传感层(也称为“MR元件”)的电阻变化来探测磁场。传统MR传感器是基于各向异性磁电阻(AMR)效应来进行操作的，其中MR元件的电阻随MR元件的磁化与流过MR元件的传感电流方向之间的夹角的余弦的平方而变化。由于记录磁介质的外磁场(信号场)导致MR元件磁化方向的变化，并进而导致MR元件中电阻的变化，以及传感电流或电压的相应变化，可从磁介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种差动巨磁电阻（ＧＭＲ）传感器，包括：第一自旋阀（ＳＶ）传感器，包括：第一被栓固层，包括：第一铁磁（ＦＭ１）层；第二铁磁（ＦＭ２）层；设置在ＦＭ１和ＦＭ２层之间的反平行耦合（ＡＰＣ）层；和在 相对ＡＰＣ层一侧与ＦＭ２层相邻的第一自由层；第二自旋阀（ＳＶ）传感器，包括：第二被栓固层，包括：第三铁磁（ＦＭ３）层；第四铁磁（ＦＭ４）层；设置在ＦＭ３和ＦＭ４层之间的反平行耦合（ＡＰＣ）层；和　 　在相对ＡＰＣ层一侧与ＦＭ３...

【技术特征摘要】
US 2003-1-23 10/349,5521.一种差动巨磁电阻(GMR)传感器，包括第一自旋阀(SV)传感器，包括第一被栓固层，包括第一铁磁(FM1)层；第二铁磁(FM2)层；设置在FM1和FM2层之间的反平行耦合(APC)层；和在相对APC层一侧与FM2层相邻的第一自由层；第二自旋阀(SV)传感器，包括第二被栓固层，包括第三铁磁(FM3)层；第四铁磁(FM4)层；设置在FM3和FM4层之间的反平行耦合(APC)层；和在相对APC层一侧与FM3层相邻的第二自由层；设置在第一和第二自由层之间的金属间隔层；并且其中，第一和第二SV传感器以及金属间隔层设置在非磁性第一和第二引线层之间。2.如权利要求1中所述的差动GMR传感器，其中从包括钨(W)、金(Au)、铑(Rh)、铜(Cu)、钽(Ta)以及这些材料组合的组中选择用于第一和第二引线层的材料。3.如权利要求1中所述的差动GMR传感器，其中金属间隔层提供以等于记录的磁半位长的间隔来分隔第一和第二自由层的读间隙。4.如权利要求1中所述的差动GMR传感器，其中FM2和FM3层的磁化方向相反。5.一种差动巨磁电阻(GMR)传感器，包括第一自旋阀(SV)传感器，包括第一反铁磁层；第一自由层；和设置在第一反铁磁层和第一自由层之间的第一被栓固层；第二自旋阀(SV)传感器，包括第二反铁磁层；第二自由层；和设置在第二反铁磁层和第二自由层之间的第二被栓固层；设置在第一和第二自由层之间的金属间隔层；并且其中，第一和第二SV传感器以及金属间隔层设置在非磁性第一和第二引线层之间。6.如权利要求5中所述的差动GMR传感器，其中从包括钨(W)、金(Au)、铑(Rh)、铜(Cu)、钽(Ta)以及这些材料组合的组中选择用于第一和第二引线层的材料。7.如权利要求5中所述的差动GMR传感器，其中金属间隔层提供以等于记录的磁半位长的间隔来分隔第一和第二自由层的读间隙。8.如权利要求5中所述的差动GMR传感器，其中第一和第二被栓固层的磁化方向相反。9.一种差动巨磁电阻(GMR)传感器，包括第一自旋阀(SV)传感器，包括第一被栓固层，包括第一铁磁(FM1)层；第二铁磁(FM2)层；设置在FM1和FM2层之间的反平行耦合(APC)层；和在相对APC层一侧与FM2层相邻的第一自由层；第二自旋阀(SV)传感器，包括第二反铁磁层；第二自由层；和设置在反铁磁层和第二自由层之间的第二被栓固层；设置在第一和第二自由层之间的金属间隔层；并且其中第一和第二SV传感器以及金属间隔层设置在非磁性第一和第二引线层之间。10.如权利要求9中所述的差动GMR传感器，其中从包括钨(W)、金(Au)、铑(Rh)、铜(Cu)、钽(Ta)以及这些材料组合的组中选择用于第一和第二引线层的材料。11.如权利要求9中所述的差动GMR传感器，其中金属间隔层提供以等于记录的磁半位长的间隔来分隔第一和第二自由层的读间隙。12.如权利要求9中所述的差动GMR传感器，其中第一和第二被栓固层的磁化方向相反。13.一种读/写磁头，包括写磁头，包括至少一个线圈层和一个绝缘堆，线圈层嵌入在绝缘堆中；在后部间隙处相连并且具有与边缘形成一部分气浮表面(ABS)的极尖的第一和第二极片层；夹在第一和第二极片层之间的绝缘堆；和夹在第一和第二极片层的极尖之间并形成一部分ABS的写间隔层；读磁头包括差动巨磁电阻(GMR)传感器，GMR传感器夹在第一和第二引线层之间，GMR传感器包括第一自旋阀(SV)传感器，包括第一被栓固层，包括第一铁磁(FM1)层；第二铁磁(FM2)层；设置在FM1和FM2层之间的反平行耦合(APC)层；和在相对APC层一侧与FM2层相邻的第一自由层；第二自旋阀(SV)传感器，包括第二被栓固层，包括第三铁磁(FM3)层；第四铁磁(FM4)层；设置在FM3和FM4层之间的反平行耦合(APC)层；和在相对APC层一侧与FM3层相邻的第二自由层；设置在第一和第二自由层之间的金属间隔层；并且其中第一和第二SV传感器以及金属间隔层设置在非磁性第一和第二引线层之间；和设置在读磁头的第二引线层和写磁头的第一极片层之间的绝缘层。14.如权利要求13中所述的读/写磁头，其中从包括钨(W)、金(Au)、铑(Rh)、铜(Cu)、钽(Ta)以及这些材料组合的组中选择用于第一和第二引线层的材料。15.如权利要求13中所述的读/写磁头，其中金属间隔层提...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈代亚尔S吉尔，
申请(专利权)人：日立环球储存科技荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]