制造磁阻磁头的方法技术

为了控制旋转阀膜中的晶粒尺寸，需要展示高生产率并能够形成大约１０ｎｍ的构图的光刻技术。将包含聚苯乙烯（ＰＳ）和聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）的二嵌段共聚物４应用到下间隙层１（图２（ａ））。当涂敷通过混和ＰＳ和ＰＭＭＡ形成的液态附加剂时，获得了包括海状ＰＳ组织部分５和岛状ＰＭＭＡ组织部分６的膜结构。通过向膜结构施加臭氧ＲＩＥ处理，海状ＰＳ组织部分５被蚀刻，以形成岛状ＰＭＭＡ组织部分６的构图（图２（ｂ））。通过使用岛状ＰＭＭＡ组织部分作为抗蚀剂蚀刻下间隙层１，然后去除抗蚀剂，能够形成在下间隙层１上有规律地排列的不均匀性构图２（图２（ｃ）、图２（ｄ））。在经受了不均匀性制作的下间隙层１上形成旋转阀膜７。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，具体地，本专利技术涉及使用旋转阀装置。
技术介绍
利用巨磁阻效应(GMR)的旋转阀装置已用作用于磁盘驱动器的读取装置。被称作底部类型的堆叠铁型旋转阀装置包括底层，其形成在下间隙层之上；旋转阀膜，在所述旋转阀膜中，在底层上堆叠反铁磁层/第一铁磁层/反铁磁耦合层/第二铁磁层/Cu中间层/自由层；以及保护层，其形成在自由层之上。为了增加旋转阀装置的输出，有必要增加旋转阀膜的磁阻效应。随着旋转阀膜的晶粒尺寸增加，旋转阀膜的电阻减少，导致旋转阀膜的磁阻效应的增加。进而，通过增加读出电流，即使在使用具有同样的磁阻效应的旋转阀膜的情况下，也能够获得更高的输出。然而，当读出电流增加时，由于热生成量增加，所以热量恶化了旋转阀膜的特性。为了防止热量恶化旋转阀膜的特性，扩大旋转阀膜的晶粒尺寸是有效的。考虑到上述需要，已进行了旋转阀膜的晶粒尺寸的生长，并且普通溅射方法形成的旋转阀膜的晶粒尺寸具有10nm或以上的直径，并且在更大的情况下具有大约20nm的直径。另一方面，随同磁盘设备的记录密度的增加，磁头的磁道宽度已逐年变窄。在再现装置中，旋转阀装置的装置宽度对应于磁道宽度。在100Gbit本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造磁阻磁头的方法，包括以下步骤：向下间隙层应用自组织二嵌段共聚物，以造成在相分离状态下依次排列的岛状组织部分和海状组织部分；选择性去除所述岛状组织部分或所述海状组织部分；使用未去除的组织部分作为抗蚀剂蚀刻所述下间隙层；去除所述抗蚀剂；以及在表面已经受了不均匀制作的所述下间隙层上形成旋转阀膜。

【技术特征摘要】
JP 2005-1-25 2005-0163771.一种制造磁阻磁头的方法，包括以下步骤向下间隙层应用自组织二嵌段共聚物，以造成在相分离状态下依次排列的岛状组织部分和海状组织部分；选择性去除所述岛状组织部分或所述海状组织部分；使用未去除的组织部分作为抗蚀剂蚀刻所述下间隙层；去除所述抗蚀剂；以及在表面已经受了不均匀制作的所述下间隙层上形成旋转阀膜。2.如权利要求1所述的制造磁阻磁头的方法，其中，所述二嵌段共聚物是通过混和聚苯乙烯(PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)形成的液态附加剂。3.如权利要求1所述的制造磁阻磁头的方法，其中，选择性去除所述岛状组织部分或所述海状组织部分的所述步骤包括臭氧RIE处理。4.如权利要求1所述的制造磁阻磁头的方法，其中，所述不均匀性的台阶具有1到5的高度。5.如权利要求4所述的制造磁阻磁头的方法，其中，所述不均匀性的台阶具有3到20nm的宽度。6.如权利要求1所述的制造磁阻磁头的方法，其中，形成所述旋转阀膜的所述步骤是溅射步骤。7.如权利要求1所述的制造磁阻磁头的方法，其中，形成所述旋转阀膜的所述步骤是通过溅射连续堆叠反铁磁层、第一铁磁层、反铁磁耦合层、第二铁磁层、非磁性导体中间层和自由层的步骤。8.如权利要求7所述的制造磁阻磁头的方法，其中，所述反铁磁层包含MnPt或MnIr，所述第一铁磁层包含CoFe，所述反铁磁耦合层包含Ru，所述第二铁磁层包含CoFe，所述非磁性导体中间层包含Cu，而所述自由层包含CoFe和NiFe的堆叠。9.如权利要求1所述的制造磁阻磁头的方法，其中，形成所述旋转阀膜的所述步骤是通...

【专利技术属性】
技术研发人员：重松惠嗣，
申请(专利权)人：日立环球储存科技荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[]