一种双垂直自旋阀制造技术

一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明专利技术的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁性存储
，特别是提供了一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构。该自旋阀用作计算机硬盘读出磁头，或用在磁随机存储器、传感器等设备中。
技术介绍
当今时代是信息时代，各行业的信息交流对信息的存储密度和稳定性提出了越来越高的要求。在过去的十几年中，信息存储技术尤其是磁记录技术得到了飞速的发展，特别是应用了巨磁电阻自旋阀薄膜材料制作的磁头，使得硬盘的面记录密度大幅提高。目前实验室纵向磁记录密度已经达到150Gb/in2，并向着下一个目标1Tb/in2进军。目前读出磁头主要是采用电流平行于平面构型的巨磁电阻(GMR)自旋阀薄膜器件(即CIP-SPV)。由于理论研究表明，如果继续使用CIP-SPV磁头的话，计算机硬盘的存储密度最多只能达到200-250Gb/in2就会趋向饱和。所以，电流垂直于平面巨磁电阻自旋阀(CPP-SPV)成为最具潜力的下一代读出磁头材料。相对于CIP-SPV，CPP-SPV的关键优势在于随着存储密度的提高，存储元件的尺寸大幅度减小，CIP-SPV的GMR输出信号也将随之减小，而CPP-SPV则正好相反，GMR输出信号反而增加，读出灵敏度进一步得到提高。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备双垂直自旋阀的方法，其特征在于：采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。

【技术特征摘要】
1.一种制备双垂直自旋阀的方法，其特征在于采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。2.一种用权利要求1所述方法制备的双垂直自旋阀，其特征在于具体结构为a、双垂直自旋阀的最底层为1～20纳米厚的金属铂，称为底电极层；b、从底往上第二层为一个钴/铂复合结构，它是由2～20层的金属钴和金属铂交替重叠而成，底层为金属钴，顶层为金属铂，其中金属钴层的厚度为0.1～0.4纳米，金属铂层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：于广华，姜勇，腾蛟，王立锦，张辉，朱逢吾，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]