畴壁位移检测系统磁光记录介质及其制造方法技术方案

技术编号:3062099 阅读:167 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种畴壁位移检测(DWDD)系统磁光记录介质将平台3和凹槽4形成为信号记录区。通过在平台3和凹槽4之间的边界壁表面5上照射退火光La改变畴壁位移改进时,通过在沿着边界壁表面5的记录磁道长度方向延伸的部分上形成的退火光扫描位置位移检测摆动部分7检测该退火光的位置。该退火光扫描该摆动部分7,因而产生了对应于摆动部分7周期的周期的振幅从而高灵敏度地检测和监测退火光扫描位置的微小变化。因此,在该DWDD系统磁光记录介质中,可以以高灵敏度检测平台3和凹槽4之间边界壁表面处退火光的扫描位置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术通常涉及一种磁光记录介质,尤其涉及一种畴壁位移检测(DWDD)系统磁光记录介质,其中磁光记录布置膜形成在具有平台和凹槽的基板上,平台和凹槽都被用作信号记录区,而且该记录介质基于DWDD系统使用再现系统,并涉及制造这种DWDD系统磁光记录介质的方法。
技术介绍
就磁光记录介质而言,特别是DWDD(畴壁位移检测)系统磁光记录介质能获得高密度记录,它因而被认为是重要的磁光记录介质。该DWDD系统磁光记录介质的再现系统是以其中磁记录标记由于伴随再现激光照射在磁光记录介质上产生的温度分布而尺寸放大,因而从磁光记录介质中读出放大的记录标记的系统为基础。依据这种布置,该记录标记被微型化直到尺寸小于该再现光的光衍射极限,因而可以增加线性记录密度以获得大记录容量。就该DWDD系统磁光记录介质而言,为了改善抖动和误码率,有必要实现畴壁的平滑位移。作为平滑位移畴壁的方法,有人提出这种方法,通过对该磁层退火使磁道间的磁层变为面内磁膜或非磁性膜,以免由相邻记录磁道产生的磁场影响畴壁平滑位移(例如,参见引用的专利参考1和2)。上述DWDD系统磁光记录介质中,为了更增加记录容量,要求其记录系统要基于所谓的平台和凹槽记录系统,其中平台和凹槽都被用作记录区。在那种情况下,畴壁必须是相对于平台和凹槽的记录区都平滑地位移。因此,在该平台和凹槽记录系统中,为了使畴壁令人满意地相对该两个记录区位移,如图1所示,通过对例如形成在基板101上的平台103和凹槽104之间的边界壁表面5的基本中心处照射退火光La使形成在记录介质基板101上的磁光记录布置膜102退火。在这种情况下,退火光La如图1中的箭头a所示向凹槽104侧或向平台103侧移动时,如图2中互相对比的实线曲线和虚线曲线所示,该实线曲线和虚线曲线显示了对于平台103和凹槽104的各自的记录区中的退火功率和退火处理后获得的误码率之间的关系,平台103和凹槽104中显示出最小误码率的最佳退火功率PBL和PBG变得彼此不同。简而言之,在平台103和凹槽104中可以同时减少误码率的功率余量很狭窄。因而获得的磁光记录介质使得平台和凹槽记录和再现特性彼此不同,这样就产生问题了,其中记录功率余量也不能被充分增加。由于种种理由比如平台和凹槽中磁光记录布置膜的特征、形状和尺寸,所以并不总是希望退火位置应选在边界壁表面的中心。另外,经常观察到例如在每个制造批时都要选择最佳退火位置。如上所述,为了同时改善平台和凹槽的记录区中的抖动和误码率,退火光要照射在沿着整个记录磁道的记录磁道长度方向的边界壁表面上、下边缘部份之间的最佳位置就变得非常必需。然后,作为在预定位置照射退火光的方法,有人提出基于用于普通光记录介质所用的光学拾波器的所谓三光束推挽检测(three-beampush-pull detection)法的跟踪伺服系统法。然而,依据这种方法,正如从随后将作的说明中将更加清晰地理解的那样,会产生这种问题,要检测边界壁上退火光位置的地方的灵敏度会很低。日本特开专利申请No.8-147777,段号 [引用的专利参考2]日本特开专利申请No.2002-319198,段号 、
技术实现思路
考虑到上述方面,本专利技术的目的是提供一种畴壁位移检测(DWDD)系统磁光记录介质,其中可以以高灵敏度检测退火光扫描平台和凹槽的边界壁表面的位置,以便通过同一退火处理在平台和凹槽中可以减少抖动和误码率。本专利技术的另一目的是提供一种制造上述DWDD系统磁光记录介质的方法。根据本专利技术的一方面,提供了一种畴壁位移检测系统磁光记录介质,其中在包括平台和凹槽的盘状基板上形成磁光记录布置膜,平台和凹槽都形成为信号记录区,基于畴壁位移检测系统记录和再现信号,并且其中在平台和凹槽之间的边界壁表面形成为变化部分,用于通过用沿着记录磁道长度方向的退火光照射平台和凹槽之间的边界壁表面来改善畴壁位移。该畴壁位移检测系统磁光记录介质包括在沿着该边界壁表面的该记录磁道长度方向的一个部分上形成的在该记录磁道宽度方向上摆动用于检测退火光扫描位置的位移的摆动部分。根据本专利技术的另一方面,提供了一种制造畴壁位移检测系统磁光记录介质的方法,其中在包括平台和凹槽的盘状基板上形成磁光记录布置膜,平台和凹槽都形成为信号记录区,基于畴壁位移检测系统记录和再现信号,并且其中在平台和凹槽之间的边界壁表面形成为变化部分,用于通过用沿着记录磁道长度方向的退火光照射平台和凹槽之间的边界壁表面来改善畴壁位移。该方法包括以下步骤准备盘状基板,在该盘状基板中在沿着该边界壁表面的该记录磁道长度方向的一个部分上形成在该记录磁道宽度方向上摆动用于检测退火光扫描位置的位移的摆动部分,而且在盘状基板上淀积磁光记录布置膜,退火光扫描和照射工艺,其中退火光照射在该平台和该凹槽之间的边界壁表面上以改变照射部分处的磁光记录布置膜,并通过检测所述退火光扫描和照射工艺中的所述退火光的返回光来检测所述退火光的照射位置,和通过所述摆动部分引起相当于所述摆动部分周期的周期的振幅出现在所述位置检测信号中。如上所述,根据本专利技术的畴壁位移检测系统磁光记录介质,用平台和凹槽之间边界壁表面上的照射退火光使磁光记录布置膜在退火光的基本上中心高温加热部分处变为非磁性或面内磁化膜,因而可以令人满意地转移畴壁。依据这种磁光记录介质,因为该摆动部分是形成在边界壁表面上,所以退火光扫描与该摆动部分的凹面和凸面交叉的边界壁表面,以提高扫描位置处检测信号的振幅,从而提高了检测灵敏度。附图说明图1是根据现有技术的磁光记录介质的横截面简图,将参考它解释退火光照射在边界壁表面的基本中心处的方法;图2是显示根据现有技术的退火功率和误码率之间关系的图表; 图3显示根据本专利技术的磁光记录介质的例子的横截面简图;图4显示根据本专利技术磁光记录介质的例子的磁光记录布置膜布置的示意图;图5显示根据本专利技术磁光记录介质的例子的摆动部份的平面图;图6是显示根据本专利技术磁光记录介质的例子的平面图;图7是参考其来解释在根据本专利技术制造方法中的激光退火的透视简图;图8A和8B分别是三光束伺服系统中中心激光的推挽输出(MPP)和基于侧面激光的差值推挽输出(DPP)的波形图;图9是显示退火光照射在预定设置位置上时获得的MPP输出的图表;图10是显示退火光从预定设置位置位移时获得的MPP输出的图表;图11是显示在退火光从预定设置位置位移时通过创造性的摆动部分产生的效果获得的MPP输出的图表。具体实施例方式下面将参考附图描述根据本专利技术实施例的畴壁位移检测(DWDD)系统磁光记录介质及其制造方法。应当理解本专利技术不限制于该实施例。图3是显示根据本专利技术实施例的DWDD系统磁光记录介质主要部分的简要横截面图。如图3所示,根据本专利技术的DWDD系统磁光记录介质包括具有形成在一个主表面上具有不平坦表面的盘状基板1,其中平台3形成在具有螺旋图案或同心环形图案的凹槽4和相邻凹槽4之间。例如,凹面和凸面之间的间距T可以选择为1.08μm,并且凹面和凸面之间的差值可以选择为55nm。在盘状基板1的不平坦表面上,形成了至少具有包括磁层的记录层和再现层的磁光记录布置膜2,该磁层沿着由平台3和凹槽4形成的不平坦表面形成。在该磁光记录布置膜2中,在平台3和凹槽4之间的边界壁表面5上,例如,沿着记录磁本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种畴壁位移检测系统磁光记录介质,其中在包括平台和凹槽的盘状基板上形成磁光记录布置膜,所述平台和凹槽都形成为信号记录区,基于畴壁位移检测系统记录和再现信号,并且其中在所述平台和所述凹槽之间的边界壁表面形成为变化部分,用于通过用沿着记录磁道长度方向的退火光照射所述平台和所述凹槽之间的边界壁表面改善畴壁位移,该畴壁位移检测系统磁光记录介质包括:在沿着所述边界壁表面的所述记录磁道长度方向的一个部分上形成的在所述记录磁道宽度方向上摆动用于检测退火光扫描位置的位移的摆动部分。

【技术特征摘要】
JP 2003-6-25 181299/031.一种畴壁位移检测系统磁光记录介质,其中在包括平台和凹槽的盘状基板上形成磁光记录布置膜,所述平台和凹槽都形成为信号记录区,基于畴壁位移检测系统记录和再现信号,并且其中在所述平台和所述凹槽之间的边界壁表面形成为变化部分,用于通过用沿着记录磁道长度方向的退火光照射所述平台和所述凹槽之间的边界壁表面改善畴壁位移,该畴壁位移检测系统磁光记录介质包括在沿着所述边界壁表面的所述记录磁道长度方向的一个部分上形成的在所述记录磁道宽度方向上摆动用于检测退火光扫描位置的位移的摆动部分。2.根据权利要求1的畴壁位移检测系统磁光记录介质,其中所述摆动部分形成在磁光记录介质的信号记录无效区中记录磁道长度方向两个端部中至少任何一个上。3.一种制造畴壁位移检测系统磁光记录介质的方法,在该畴壁位移检测系统磁光记录介质中,在包括平台和凹槽的盘状基板上形成磁光记录布置膜,所述平台和凹槽都形成为信号记录区,基于畴壁位移检测系统记录和再现信号,并且其中在所述平台和...

【专利技术属性】
技术研发人员:三木刚藤田五郎
申请(专利权)人:索尼株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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