磁光记录介质和其制造方法以及用于对其进行读出的方法技术

提供一种能够使用ＤＷＤＤ方法稳定地记录和读出的磁光记录介质。本发明专利技术的磁光记录介质包括光盘基片（１１）以及多层记录薄膜，多层记录薄膜必要包括在基片顶部连续形成的读出层（１３）、中间层（１４）和记录层（１５）。读出层具有比记录层更小的磁畴壁矫顽性。中间层包括其居里温度低于读出层和记录层的磁性层。只在光盘基片的凹槽（２ａ）中形成相应于记录／读出信息的记录／读出磁畴。相邻记录磁道区域之间的边界（３ａ）处的记录薄膜厚度小于记录磁道区域中心部分的记录薄膜厚度。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁光记录介质，采用由激光束辐射引起的温度升高记录和擦除在该介质上的信息，并且使用磁光效应从该介质读出所记录的信号；本专利技术还涉及该介质的制造方法以及用于读出该介质的方法和设备。
技术介绍
迄今为止，已提出了各种光学存储器，它使所记录的信息可通过在信息记录介质上辐照光束并检测从其反射的光读取；这样的光学存储器的例子包括以相位坑的形式记录信息的ROM型存储器、通过施加光束在记录薄膜上形成孔来记录信息的一次写入光学存储器、通过施加光束在记录薄膜中引起晶状相变来记录信息的相变光学存储器以及通过施加光束和磁场并由此改变记录层磁化方向来记录信息的磁光存储器。在这些光学存储器中，几乎一直由读出光的波长λ以及物镜的数值孔径(N.A.)来确定信号的读出分辨率，并且最小可检测坑间距限制为约λ/(2·N.A.)。由于减小读出光的波长或增加物镜的数值孔径是不容易的，所以对于通过改进记录介质或读取方法来增加信息记录密度方面已作了尝试。尤其对于磁光记录介质，已提出了各种策略来增加信息记录密度。例如，日本未审查专利公开号Hei 6-290496的专利申请揭示了一种技术，它通过顺序偏移进入读出光束点的磁畴壁并检测磁畴壁的偏移来达到超过由波长和物镜数值孔径确定的检测限制的读出分辨率。在这个技术中，如果以相邻信息磁道互相磁隔离的方式形成读出层、第一磁性层(其中偏移进入读出光束点的磁畴壁)，那么就会得到特别佳的读出信号。然而，为了在磁性层中的相邻信息磁道之间提供稳定的磁隔离，现有技术需要在信息磁道之间进行激光退火。然而，激光退火具有为耗时过程这一问题，并且需要一种能以更便捷的方法在相邻信息磁道之间提供磁隔离。另一方面，如果采用一种通过使用具有带深槽结构的平地—凹槽配置的光盘基片来达到相邻信息磁道间隔离的方法，那么可以除去激光退火的步骤，但是该方法会具有带深槽结构的平地-凹槽模式在通过注模法制造基片时难以转移以及由于深槽结构的光盘基片上的凹槽噪声增加这些问题。提出了本专利技术来解决以上关于现有技术的问题，并且本专利技术的目的是提供一种磁光记录介质以及对其进行读取的方法，它可以实现其记录标记尺寸小于信息记录/读出光点的衍射限制的信号的高速读取，它可以大大改进记录密度和传输速度，同时不需要激光退火并减小基片上的凹槽噪声。本专利技术还提供一种磁光记录介质，它具有的结构为，成为可重写区域的凹槽区域宽度为0.8微米或更小，并且平地和凹槽区域之间的高度差在20到80纳米范围内，并且平地区域的表面粗糙度为1.5纳米或更多；具有这样的结构，磁光记录介质可达到极佳的信号特性，它可以抑制在DWDD系统用于读出时由光点后部复制的重影信号。本专利技术还针对提供一种对这类磁光记录介质的读取方法。
技术实现思路
由以下所述的专利技术达到以上目的。根据权利要求1所述的本专利技术。提供一种磁光记录介质，包括基片和多层记录薄膜，多层记录薄膜必须包括在基片顶部连续形成并互相磁耦合的读出层、中间层以及记录层，其中记录层中形成的所记录磁畴复制到读出层中，并且通过在读出层偏移磁畴壁读出所记录信息，该介质的特征在于位于相邻记录磁道区域之间的边界部分的至少部分记录薄膜形成得比位于记录磁道区域中心部分的记录薄膜要薄。在权利要求2中所述的本专利技术涉及如权利要求1所述的磁光记录介质，其中至少在位于读出光束点内的所记录信息检测区域中，读出层具有比记录层更小的磁畴壁矫顽性，同时中间层具有比读出层和记录层更低的居里温度，以及相邻的记录磁道是相互磁隔离的。在本专利技术的磁光记录介质中，相邻磁道不需要应用退火就相互隔离。本专利技术提供能够实现使得短标记长度的信号可通过使用采用DWDD系统的磁光读出设备读出的磁光记录介质的效果。本专利技术还提供能够实现不需要退火并因此廉价以及便于制造且具有高CNR的磁光记录介质的效果。用语“连续地”表示在所指层之间交叠其他层。因此，用语“连续形成的”包括以读出层、中间层和记录层这样的顺序连续形成并在读出层和中间层之间或在中间层和记录层之间夹入另一层的情况，以及只以读出层、中间层和记录层这样的顺序连续形成的情况。用语“在位于读出光束点内的所记录信息检测区域中”意指通过由读出激光束辐射加热到读出温度(例如200℃或更高)的记录薄膜区域。在权利要求3中所述的本专利技术涉及如权利要求1或2所述的磁光记录介质，位于相邻记录磁道区域之间的边界部分的至少部分记录薄膜形成得比位于记录磁道区域中心部分的记录薄膜要薄超过20％。本专利技术提供能够实现适用于由DWDD系统读出的磁光记录介质的效果，由于相邻记录磁道无需应用退火而相互隔离。在权利要求4中所述的本专利技术涉及如权利要求1所述的磁光记录介质，其中在记录磁道上辐射光束点时，在记录磁道的横向上形成温度梯度。这使得形成最佳温度概况(最佳温度分布)成为可能，它用于在记录磁道中，尤其在凹槽内形成所记录的磁畴，以形成具有接近用于读出的光束点形状的记录标记形状的记录磁畴。这使得达到在记录和再现的时候具有较佳信号特性的磁光记录介质成为可能。在权利要求5中所述的本专利技术涉及如权利要求1所述的磁光记录介质，其中磁光记录介质包括平地和凹槽，并且其中在凹槽之间形成的平地处停止读出层的磁化，并且只在凹槽中把记录层中形成的记录磁畴复制到读出层中，并且通过在读出层偏移磁畴壁读出所记录的信息。在本专利技术中，在光盘基片上形成凹槽(凹进部分)和平地(凸起部分)，并且只有凹槽用作记录磁道区域。平地用于切断其相邻记录磁道区域间的磁耦合。本专利技术提供能够实现无需退火、适用于由DWDD系统读出以及廉价并便于制造的磁光记录介质的效果。通过把凹槽用作记录磁道区域，可以实现磁光记录介质，它适用于由DWDD系统读出并能够提供具有比在平地用作记录磁道区域时更高CNR的稳定读出输出。“凹槽”指的是在光盘基片上以凹进和凸起部分形成的记录薄膜的凹进部分(例如在附图说明图1中2a和2b所指的部分)，较靠近光盘基片表面形成凹槽。“平地”指的是在光盘基片上以凹进和凸起部分形成的记录薄膜的凸起部分(例如在图1中3a和3b所指的部分)，离开光盘基片表面较远形成平地。在权利要求6中所述的本专利技术涉及如权利要求5所述的磁光记录介质，其中平地和凹槽之间的高度差在λ/(20n)到λ/(3n)的范围内(λ是读出光的波长，而n是磁光记录介质的基片的折射率)。在权利要求7中所述的本专利技术涉及如权利要求5所述的磁光记录介质，其中平地和凹槽之间的高度差在20纳米到80纳米的范围内。在本专利技术中，在光盘基片上形成浅槽(凹进部分)和低地(凸起部分)，并且只有浅槽用作记录磁道区域。低地用于切断其相邻记录磁道区域间的磁耦合。在现有技术的通过采用平地/凹槽结构切断相邻记录磁道区域之间的磁耦合的这类高密度磁光记录介质中，缩短所记录信号的标记长度并增加凹槽深度以增加切断效应。在现有技术中，如果磁光记录介质是例如用于记录和再现1微米标记长度的信号的介质，那么必须以约50纳米的深度形成凹槽。如果把该设计方法应用于记录和再现0.2微米或更小标记长度的信号的磁光记录介质，那么平地和凹槽之间物理上需要提供120纳米或更大的高度差(凹槽深度)。如果平地和凹槽之间实际提供120纳米或更大的高度差，那么读出信号的输出电平会显著下降，从而难以保证足够的CNR。在本专利技术的磁光记录介质中，把平本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁光记录介质，包括基片和多层记录薄膜，多层记录薄膜包括在所述基片顶部连续形成并互相磁耦合的读出层、中间层以及记录层，其中所述记录层中形成的所记录磁畴复制到所述读出层中，并且通过在所述读出层偏移磁畴壁读出所记录信息，所述介质的特征在于：　　位于相邻记录磁道区域之间的边界部分的至少部分所述记录薄膜形成得比位于所述记录磁道区域中心部分的所述记录薄膜要薄。

【技术特征摘要】
JP 2000-5-31 163775/20001.一种磁光记录介质，包括基片和多层记录薄膜，多层记录薄膜包括在所述基片顶部连续形成并互相磁耦合的读出层、中间层以及记录层，其中所述记录层中形成的所记录磁畴复制到所述读出层中，并且通过在所述读出层偏移磁畴壁读出所记录信息，所述介质的特征在于位于相邻记录磁道区域之间的边界部分的至少部分所述记录薄膜形成得比位于所述记录磁道区域中心部分的所述记录薄膜要薄。2.按权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于至少在位于读出光束点内的所记录信息检测区域中，所述读出层具有比所述记录层更小的磁畴壁矫顽性，同时所述中间层具有比所述读出层和所述记录层更低的居里温度，以及所述相邻的记录磁道是相互磁隔离的。3.按权利要求1或2所述的磁光记录介质，其特征在于位于所述相邻记录磁道区域之间的所述边界部分的至少部分所述记录薄膜形成得比位于所述记录磁道区域中心部分的所述记录薄膜要薄超过20％。4.按权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于当在记录磁道上辐射所述光束点时，在所述记录磁道的宽度方向上形成温度梯度。5.按权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于所述磁光记录介质包括平地和凹槽，并且其中在所述凹槽之间形成的所述平地处停止所述读出层的磁化，并且只在所述凹槽中把所述记录层中形成的记录磁畴复制到所述读出层中，并且通过在所述读出层偏移所述磁畴壁读出所记录的信息。6.按权利要求5所述的磁光记录介质，其特征在于所述平地和所述凹槽之间的高度差在λ/(20n)到λ/(3n)的范围内(λ是读出光的波长，而n是所述磁光记录介质的基片的折射率)。7.按权利要求5所述的磁光记录介质，其特征在于所述平地和所述凹槽之间的高度差在20纳米到80纳米的范围内。8.按权利要求5所述的磁光记录介质，其特征在于所述平地是矩形、梯形或倒V字形。9.按权利要求5所述的磁光记录介质，其特征在于至少在所述凹槽间形成的所述平地的平坦部分或倾斜部分具有比记录信息信号所在的凹槽表面更大的表面粗糙度。10.按权利要求9所述的磁光记录介质，其特征在于所述凹槽间形成的所述平地的至少所述平坦部分或所述倾斜部分的表面粗糙度是1.5纳米或更大。11.按权利要求9所述的磁光记录介质，其特征在于用于所述记录信息信号的所述凹槽的表面粗糙度是1.5纳米或更小。12.按权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于形成记录磁畴所在的所述相邻记录磁道区域的磁道间距是1.0微米或更小。13.按权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于形成记录磁畴所在的凹槽宽度不小于0.2微米但不大于0.8微米。14.按权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于形成记录磁畴壁所在的凹槽之间形成的平地宽度不小于0.05微米但不大于0.3微米。15.按权利要求5所述的磁光记录介质，其特征在于形成磁畴所在的所述凹槽之间形成的所述平地包括其倾斜角不小于40度但不大于70度的倾斜部分。16.按权利要求5所述的磁光记录介质，其特征在于在所述平地上形成的所述记录薄膜部分中的磁各向异性小于所述凹槽中的磁各向异性。17.按权利要求5所述的磁光记录介质，其特征在于在所述平地上形成的所述记录薄膜部分经过热处理。18.按权利要求17所述的磁光记录介质，其特征在于通过辐射激光进行热处理的区域是在所述平地上形成的。19.按权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于光盘基片形成有预坑。20.按权利要求19所述的磁光记录介质，其特征在于每个所述预坑的深度在λ/(20n)到λ/(3n)的范围内(λ是读出光的波长，而n是所述磁光记录介质的基片的折射率)。21.按权利要求19所述的磁光记录介质，其特征在于每个所述预坑的宽度不小于0.2微米不大于0.8微米。22.按权利要求1所述的磁光记录介质，其特征在于进一步包括用于在所述读...

【专利技术属性】
技术研发人员：村上元良，川口優子，日野泰守，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]