光信息记录介质制造技术

一种光信息记录介质。在同时读出ＲＯＭ－ＲＡＭ信息时，可以稳定地再现ＲＡＭ信息。上述光信息记录介质具有：包括形成作为ＲＯＭ信号的相位凹坑的ＲＯＭ区域以及形成在与上述基板的上述ＲＯＭ区域对应的区域上的用于记录ＲＡＭ信号的光磁记录膜，上述ＲＯＭ区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为１０％～３７％，上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为１５％～２５％。作为一种实施方式，使上述相位凹坑的光学深度约为λ／８～λ／１０（其中，λ是用于记录或再现的激光的波长）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光信息记录介质。尤其涉及ROM-RAM可以同时再现的光信息记录介质。
技术介绍
现在，关于光磁盘存储器，在高密度存储、再现以及高速访问方面，正在进行积极地研究开发。图1是作为ISO规格的记录介质的一例的光磁盘的俯视图。导入部1和导出部2是由根据反射膜对形成在聚碳酸酯基板上的凹凸进行反射的原理的相位凹坑构成的ROM信息，其记录光盘规格等信息。通过读取该信息，装置对记录再现的条件进行控制。形成该ROM信息的相位凹坑(pits)的光学深度(凹坑的深度)被设定为再现时的光强度调制最大。一般被设定为70％以上的调制度(相对于没有形成纹沟(groove)和凹凸的平坦部的光强度的相位凹坑部的光强度变化的比率)。在导入部1和导出部2之间具有通过溅射装置形成光磁记录膜的用户区域3。用户可以自由地在该用户区域3上记录信息。图2是放大用户区域3的俯视图的一部分。其具有在隔着作为寻轨向导的纹沟4的纹面(land)5上形成首标部6的相位凹坑8；以及用户数据部7。根据扇区格式，首标部6的信息由扇区标记、VFO、ID等构成。另一方面，用户数据部7是隔着纹沟4的平坦的纹面5，记录光磁信号。通过利用激光对光磁记录膜进行加热，有助于磁化反转，并且，对应于信号磁场使磁化方向反转来进行光磁信号的记录。图3是表示沿着图2的半径方向、即沿着A-B线的剖面的概念构造图。由聚碳酸酯等的基板A、绝缘体膜B、TbFeCo等的光磁记录膜C、绝缘体膜D、Al膜E、以及作为保护层的UV硬化膜F叠层而成。另外，图3表示对图2的结构进行了与近年来的光磁盘相对应的修正的结构。即，在图3中，为了在纹沟4的区域中也能进行光磁记录，在半径方向上与纹面5的区域具有同样的宽度。在读出记录信息时，通过照射弱激光，激光的偏振面按照记录层磁化的方向，通过极性克尔效应而改变，根据此时的反射光的偏光成分的强弱来判断有无信号。由此，可以读出RAM信号。对生成这种光磁盘存储器的特征的研究、开发正在进行，例如，特开平6-202820号公报或者电视学会杂志论文Vol.46，No.10，pp1319～1324(1992)中已经公开了ROM(read only memory)-RAM(read accessmemory)可以同时再现的并行ROM-RAM光盘(以后称为光信息记录介质)。该ROM-RAM可以同时再现的光信息记录介质具有如图4所示的半径方向的剖面构造，作为一例，由聚碳酸酯等基板A、绝缘体膜B、TbFeCo等的光磁记录膜C、绝缘体膜D、Al膜E、以及作为保护层的UV硬化膜F叠层而成。在该构造的光信息记录介质中，如图5所示，ROM信息由相位凹坑PP固定记录，RAM信息由相位凹坑PP列上的光磁记录OMM记录。另外，图5中的半径方向的A-B线方向的剖面与图4一致。在图5所示的例子中，由于相位凹坑PP列成为寻轨向导，所以，没有设置如图2、图3所示的纹沟4。在同一记录面上具有这种ROM信息和RAM信息的光信息记录介质中，为了同时再现由相位凹坑PP构成的ROM(读出专用)信息和由光磁记录OMM构成的RAM(可以写入、改写)信息，存在许多课题。第一，要想使ROM信息和RAM信息同时稳定地再现，在读出ROM信号时，必须降低光强度调制。因此，在上述以往技术中，读出伴随着ROM信号读出时的光强度调制信号，并通过将其负反馈到(以下称为MPF“Modulated PowerFeedback”)驱动用的激光器中，来降低光强度调制信号。但是，在ROM信息的光强度调制度大的情况下，只根据该以往的技术是不充分的。即，在降低ROM信息的光强度调制方面，在过于降低该光强度调制的情况下，结果会降低ROM信息自身的再现容限。此处，作为与光磁有关的以往的技术，例如有特开昭61-60147号公报中记载的技术。在该技术中，利用光磁记录来进行记录再现的光磁盘具有螺旋状的纹沟。该结构在连续的螺旋状的纹沟中，根据是否具有其纹沟的一部分来形成地址。因此，由于必须具备用于除去一部分纹沟的装置，所以，不容易在基板上稳定地形成大致连续的纹沟。另外，有特开昭57-147139号公报中记载的技术。该技术的应用对象是，使用具有引导沟的在事先由相位信息记录了地址信息的基板上均匀涂敷了记录材料的光学记录磁盘，并且还向地址信息记录部中记录主信息进行再现的装置。在该装置中，特别在对主信息和记录信息进行分离方面，具有用各自不同的频率进行记录并进行带域分离的结构。因此，由于通过频带对地址信息和主信息进行分离，所以，在分离2个信号时，记录频率等的影响是避免不了的。另外，有特开昭63-55777号公报中记载的技术。在该技术中，以具有数据记录部和辅助数据记录部的光学记录介质为对象，公开了一种具有辅助数据记录部的再现单元和多个调制方式的选择单元，根据所选择的调制方式进行数据的记录的技术结构。但是该技术只是将辅助数据部从主数据部中区域性地分离开来，而没有提示出通过重叠记录ROM和RAM，并且再现ROM和RAM两方信息，可达到强化安全性等的效果。另外，有特开平11-283358号公报中记载的技术。该技术在光盘中，在导入部和导出部中设置了不能进行改写的压刻(embossing)数据部分和可以改写的数据部分。根据导入部或者导出部的可改写区域的信息，对数据区域的可/不可改写的切换进行识别。因此，由于基本上不禁止用户的改写，所以没有提示出可达到强化安全性等的效果。
技术实现思路
鉴于上述以往的技术，本专利技术人经过各种各样的研究，认识到关于在ROM信息读取中的光强度调制的降低，存在着适应值。所以，本专利技术的目的是根据该认识，提供一种在同时读出ROM-RAM信息时，能够稳定地再现RAM信息的光信息记录介质。另外，本专利技术的目的是提供一种在同时读出ROM-RAM信息时，能够降低作为ROM信息的相位凹坑边缘所产生的偏光噪声的光信息记录介质。另外，本专利技术的目的是提供一种具有能够同时读出上述ROM-RAM信息的构造，并可以应用于多种用途的光信息记录介质。为了达到上述本专利技术的目的，本专利技术第1实施方式的光信息记录介质，其特征在于，具有基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，其形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号；上述ROM区域中，至少在用户区域中的上述相位凹坑的调制度为10％～37％。为了达到上述本专利技术的目的，本专利技术第2实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第1实施方式的基础上，上述用户区域的调制度进一步为15％～25％。为了达到上述本专利技术的目的，本专利技术第3实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第1实施方式的基础上，上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再现的激光的波长)。为了达到上述本专利技术的目的，本专利技术第4实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第2实施方式的基础上，上述相位凹坑的凹坑宽度为寻轨间隔宽度的18％～24％。为了达到上述本专利技术的目的，本专利技术第5实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第2实施方式的基础上，在上述基板上的与形成作为上述ROM信号的相位凹坑的ROM区域不同的区域，还具有只记录RAM信号的区域。为了达到上述本专利技术的目的，本专利技术第6实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光信息记录介质，其特征在于，具有：基板，其具有形成作为ＲＯＭ信号的相位凹坑的ＲＯＭ区域；以及光磁记录膜，其形成在与上述基板的上述ＲＯＭ区域对应的区域上，用于记录ＲＡＭ信号；上述ＲＯＭ区域中，至少在用户区域中的上述 相位凹坑的调制度为１０％～３７％。

【技术特征摘要】
JP 2002-1-11 PCT/JP02/001581.一种光信息记录介质，其特征在于，具有基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，其形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号；上述ROM区域中，至少在用户区域中的上述相位凹坑的调制度为10％～37％。2.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，上述用户区域的调制度进一步为15％～25％。3.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再现的激光的波长)。4.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于，上述相位凹坑的凹坑宽度为寻轨间隔宽度的18％～24％。5.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于，在上述基板上的与形成作为上述ROM信号的相位凹坑的ROM区域不同的区域，还具有只记录RAM信号的区域。6.根据权利要求5所述的光信息记录介质，其特征在于，在只记录上述RAM信号的区域能够进行纹面·纹沟方式的记录。7.根据权利要求5所述的光信息记录介质，其特征在于，上述基板具有光盘形状，只记录上述RAM信号的光磁记录膜相对于上述ROM区域被配置成同心状或者漩涡状，并且，被配置在上述ROM区域的外侧或者内侧。8.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于，对于被记录在上述ROM区域中的上述ROM信息和被记录在上述光信息记录介质上的上述RAM信息，使用不同的记录调制方式。9.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于，在上述RAM信号的记录中使用磁场调制方式。10.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，在上述基板上还刻有引导沟，上述相位凹坑的检测光量大于等于只对上述引导沟的检测光能级的70％。11.一种光信息记录介质，其特征在于，具有基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，其用于将RAM信号记录在上述基板的上述ROM区域；将通过组合ROM信号和RAM信号而生成的误差修正信号，作为上述RAM信号记录在上述光磁记录膜上。12.一种光信息记录介质，其特征在于，具有基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：青山信秀，秋山良太，森本宁章，细川哲夫，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]