磁记录介质制造技术

一种具有由凹凸图案形成的记录层并且能获得稳定的磁头浮起特性的磁记录介质（１０），记录层（１２）由凹凸图案形成，在记录层（１２）的凹凸图案的凹部（１４）中填充有非磁性材料（１６），表面的凸部的面积除以表面凹部的面积的凹凸比率Ｒ与表面的凹凸的阶梯差Ｓ满足Ｓ≤３．６×Ｒ的关系。另外，将磁记录介质（１０）的表面算术平均粗糙度限制在０．３ｎｍ或其以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及记录层由凹凸图案形成的磁记录介质。
技术介绍
以前，硬盘等磁记录介质随着构成记录层的磁性颗粒的细微化、材料的改变、和磁头加工的细微化等改进，而面记录密度显著地提高，今后也同样期待面记录密度进一步提高。但是，由于磁头的加工极限，磁场的扩大造成的侧干扰、串音等问题显露出来，利用过去的改进方法提高面记录密度已达到极限，所以作为可进一步提高面记录密度的磁记录介质的候补措施，人们提出由规定的凹凸图案形成记录层的离散磁道介质、组成图案的介质磁记录介质(JP特开平9—97419号文献)。即，可以通过把记录信息记录在凹凸图案的凸部，来抑制凸部之间的侧干扰、串音等。另外，通过使记录层形成凹凸图案也可以获得防止磁头吸附在磁记录介质的表面上的效果。另一方面，如果在磁记录介质的表面上具有凹凸部，则往往无法获得稳定的磁头浮起特性。与此相应，人们考虑下述的方法通过在凹凸图案的记录层上形成非磁性材料膜来填充凹部，然后通过去除记录层上的剩余的非磁性材料对表面进行平坦化处理。作为形成非磁性材料的膜的方法，可采用在半导体制造的领域所用的溅射成膜技术。另外，作为通过去除记录层上的剩余的非磁性材料进行平坦化处理的方法，可采用在半导体制造的领域所用的CMP(Chemical MechanicalPolishing)加工技术。但是，由于将非磁性材料按照记录层的凹凸形状形成为凹凸形状的膜并使形成膜的非磁性材料在平坦化的步骤中一边全部去除，一边慢慢地使表面的凹凸部均匀，所以即使在将材料直至去除到记录层的顶面，也仍难于完全地使凹凸部均匀。另外，由于CMP法难于精密地对纳米等级的加工量(厚度)进行控制，在去除记录层上的非磁性材料后，也将记录层的一部分与非磁性材料一起去除，所以因两者的加工速度的差而增加了表面的阶梯差。即，即使是通过在凹凸图案的记录层上形成非磁性材料的膜来填充凹部后去除记录层上的剩余的非磁性材料，也仍难使表面完全平坦，在表面上往往残留反映记录层的凹凸图案的凹凸形状，因该凹凸形状而不能获得稳定的磁头浮起特性。
技术实现思路
本专利技术是针对上述的问题而提出的，把提供一种具有由凹凸图案形成的记录层并能获得稳定的磁头浮起特性的磁记录介质作为课题。本专利技术是通过，使表面的凸部的面积除以表面凹部的面积的凹凸比率R与表面的凹凸的阶梯差S满足规定的关系的构成来解决上述的课题的。近年来，磁头的平均浮起高度在10nm以下的磁记录再生装置已成为主流，在这样的磁记录再生装置中，为了获得良好的记录再生特性，而考虑根据磁头间距损失的关系将磁头的浮起高度的变化量的最大值抑制在3nm。通常，如果在磁记录中再生输出的变化在±1dB以内，就可良好地进行记录再生。如果将其换算为磁头的浮起高度的变化量，则在3nm以内。本专利技术人在构思本专利技术的过程中发现，凹凸比率R越小，磁头的浮起高度的变化量就越大，并且，凹凸的阶梯差S越大，该变化量就越小。据认为其原因是因为凹凸比率R越小(凸部的比率越小)，磁头受到正压力的面积越小，所以使磁记录介质与磁头之间的空气膜刚性降低，磁头的浮起高度的变化量增加。此外，对于凹凸的阶梯差S也有人认为，凹凸的阶梯差S越大，磁记录介质与磁头之间的空气膜刚性越小，磁头的浮起高度的变化量越大。本专利技术人进一步重新进行了深入研究而通过模拟方式发现，通过按照即使在不能完全使表面的凹凸部均匀的情况下，也能通过使凹凸比率R与表面的凹凸的阶梯差S满足规定的关系的构成来防止磁头与磁记录介质之间的间隙过小，并且可将磁头的浮起高度的变化量的最大值抑制在3nm以下。另外，因为当表面过于平坦时磁头容易吸附于磁记录介质的表面上，所以最好使表面的算术平均粗糙度在0.3nm或其以上。即，通过下述这样的本专利技术可解决上述的课题。(1)一种在基板由规定的凹凸图案形成上记录层的磁记录介质，其特征在于表面的凸部的面积除以表面凹部的面积的凹凸比率R与表面的凹凸的阶梯差S满足S≤15.7×R+5.7的关系。(2)根据上述第(1)项所述的磁记录介质，其特征在于上述表面的凹凸比率R与上述表面的凹凸的阶梯差S满足S≤3.6×R的关系。(3根据上述第(1)或(2)项所述的磁记录介质，其特征在于上述表面的算术平均粗糙度限制在0.3nm或其以上。(4)根据上述第(1)～(3)项中的任何一项所述的磁记录介质，其特征在于将上述记录层限定地形成在上述凹凸图案的凸部上。(5)根据上述第(1)～(4)项中的任何一项所述的磁记录介质，其特征在于在上述记录层的凹凸图案的凹部中形成非磁性材料。(6)根据上述第(5)项所述的磁记录介质，其特征在于使上述记录层的表面从上述非磁性材料的表面向厚度方向突出。(7)根据上述第(5)、(6)中的任何一项所述的磁记录介质，其特征在于上述非磁性材料是氧化物、氮化物和碳化物中的一种。(8)根据上述第(5)～(7)项中的任何一项所述的磁记录介质，其特征在于上述非磁性材料是具有非晶态结构的材料和细微结晶结构状态的材料中的一种。(9)根据上述第(5)～(8)项中的任何一项所述的磁记录介质，其特征在于上述非磁性材料以SiO2为主成分。另外，在本申请中，所谓“记录层由规定的凹凸图案形成的磁记录介质”是打算不但包括记录层分割为多个记录单元的磁记录介质，而且还包括按照一部分连续的方式记录层局部地分割的磁记录介质、象螺旋状的旋涡状的记录层那样在衬底上的一部分连续地形成记录层的磁记录介质、形成凸部和凹部这两者的连续的记录层的磁记录介质。此外，本申请中的所谓“磁记录介质”术语的含义不限于只把磁性用在在信息的记录、读取上的硬盘、软((floppy)注册商标)磁盘、磁带等，还包括磁和光并用的MO(Magnet Optical)光磁记录介质、磁和热并用的热辅助型的记录介质。还有，在本申请中，表面的凹凸的阶梯差S的单位为nm。再有，在本申请中，“算术平均粗糙度”的含义是指由JIS-B0601-2001定义的算术平均粗糙度。在这里，算术平均粗糙度为粗糙度曲线距中心线的偏差的绝对值的平均值由下述的公式表示Ra=1l∫0l|f(x)|dx]]>在这里，f(x)表示粗糙曲线，1表示粗糙度曲线的测定长度。另外，在本申请中，“凹凸图案的凸部”的含义是指与表面相垂直的剖面的凹凸形状的突出的部分。此外，在本申请中，“细微结晶的状态的材料”的含义是指在X射线衍射中不具有结晶性峰值的材料。按照本专利技术，由于磁头的浮起特性稳定，所以可获得良好的记录再生特性，并且可防止磁头的吸附。附图说明图1是以示意方式表示本专利技术的第1实施例的磁记录介质结构的侧面剖视图；图2是以进一步放大的方式表示该磁记录介质结构的侧面剖视图；图3是与本专利技术的第1，第2，第3实施例的磁记录介质有关的，将表面的凹凸部比R作为参数而表示通过模拟获得的表面的凹凸的阶梯差S与磁头的浮起高度的变化量之间关系的曲线图；图4是表示就上述磁记录介质通过滑动试验获得的表面的算术平均粗糙度与表面和磁头的摩擦系数之间关系的曲线图；图5是以放大方式表示本专利技术的第2实施例的磁记录介质结构的侧面剖视图；图6是以放大方式表示本专利技术的第3实施例的磁记录介质结构的侧面剖视图；图7是表示上述第1实施例的磁记录介质制造步骤的概要的流程图；图8是以示意方式表示该磁记录介质制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，是在基板上由规定的凹凸图案形成记录层的磁记录介质，其特征在于：表面的凸部的面积除以表面凹部的面积的凹凸比率Ｒ与表面的凹凸的阶梯差Ｓ满足Ｓ≤１５．７×Ｒ＋５．７的关系。

【技术特征摘要】
JP 2004-3-23 2004-0855271.一种磁记录介质，是在基板上由规定的凹凸图案形成记录层的磁记录介质，其特征在于表面的凸部的面积除以表面凹部的面积的凹凸比率R与表面的凹凸的阶梯差S满足S≤15.7×R+5.7的关系。2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于上述表面的凹凸比率R与上述表面的凹凸的阶梯差S满足S≤3.6×R的关系。3.根据权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于将上述表面的算术平均粗糙度限制在0.3nm或其以上。4.根据权利要求2所述的磁记录介质，其特征在于将上述表面的算术平均粗糙度限制在0.3nm或其以上。5.根据权利要求1～3中的任何一项所述的磁记录介质，其特征在于上述记录层限制形成在上述凹凸图案的凸部上。6.根据权利要求1～3中的任何一项所述的磁记录介质，其特征在于在上述记录层的凹凸图案的凹部中形成非磁性材料。7.根据权利要求5所述的磁记录介质，其特征在于在上述记录层的凹凸图案的凹部中形成非磁性材料。8.根据权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤邦恭，服部一博，
申请(专利权)人：TDK股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]