只读信息存储介质和从其再现数据的方法技术

一种只读信息存储介质，包括：　　　　数据区域，其存储用户数据；　　　　引入区域；和　　　　引出区域，　　　　其中，用于实现用途的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在其中用于数据再现所需的图样形成在引入区域和/或引出区域中，因此提高再现特性的高密度只读光学信息存储介质，以及一种从这种高密度只读光学信息存储介质再现数据的方法。
技术介绍
通常，信息存储介质如，例如，光盘被广泛地使用在用于以非接触方式记录/再现信息的光学拾取设备中。光盘根据其信息存储容量可分类为压缩盘(CD)或数字多功能盘(DVD)。可记录的光盘的例子包括650MB的CD-R、CD-RW、4.7GB的DVD+RW、DVD-RAM(随机访问存储器)、和DVD-R/RW(可重写)。此外，正在开发具有20GB或更大的记录容量的HD-DVD。如上所述，随着信息存储介质的容量的增加，记录在只读信息存储介质上的凹坑的长度和宽度降低。由于凹坑长度和凹坑宽度的这种减小，用于最小标记的信号变得很小，这使得测量调制度很困难。需要调制度测量来测量数据信号的记录和/或再现性能。例如，基于游程限制RLL(d，k)调制技术的调制度是I(d+1)/I(k+1)，其中，I表示在网眼图样(eye pattern)中的信号的强度。该网眼图样是示出数据信号的特性的曲线图。在游程限制(RLL)调制技术中，基于在值为1的两个比特之间存在多少值为0的比特来执行调制。RLL(d，k)表示在两个为1的比特之间的为0的比特的最小和最大数目分别是d和k。例如，RLL(1，7)表示在两个为1的比特之间的为0的比特的最小和最大数目分别是1和7。在RLL(1，7)调制技术中，如果一个为0的比特存在于为1的两个比特之间，则数据“1010101”被记录。于是，在为1的两个比特之间的长度是2T。如果7个为0的比特存在于两个为1的比特之间，则数据“10000000100000001”被记录，因此，在两个为1的比特之间的长度是8T。于此，T表示最小标记，即最小凹坑的长度。于是，在RLL(1，7)调制技术中，以在2T和8T之间的长度的范围内的凹坑和间隔的形式来记录数据。在RLL(2，10)调制技术中，以在3T和11T之间的长度的范围内的凹坑和间隔的形式来记录数据。在RLL(1，7)调制技术中，调制度被测量为I2/I8。在RLL(2，10)调制方法中，调制度被测量为I3/I11。图1示出传统只读信息存储介质的引入区域的结构。引入区域包括控制数据区100a、缓冲区100b、和信息区100d。控制数据区100a存储盘有关信息和复制保护信息。信息区100d存储关于驱动器或盘的状态的信息。引入区域还包括用于存储还没有被确定但以后将被加入的数据的保留区100c。如图1所示，传统只读信息存储介质不包括用于测量调制度的区域。因此，测量员必须直接从记录在用户数据区域中的数据的网眼图样来测量调制度。图2示出在基于RLL(1，7)调制技术的数据记录期间用于随机信号的网眼图样。在图2中，水平轴表示时间，垂直轴表示信号的强度(I)。在相关技术中，当使用图2示出的这种网眼图样来测量调制度时，测量员将示波器的光标移动到与2T长最小凹坑相应的信号图样的波形的波峰以测量I2，另外，将示波器的光标移动到与8T长的最大凹坑相应的信号图样的波形的波峰以测量I8，从而测量为I2/I8的调制度。然而，随着信息存储介质的记录容量的增加，最小凹坑的长度和宽度降低，于是，最小凹坑的网眼图样变得更小而更难准确地测量。因此，在这种传统调制度测量技术中，不同的测量员可能输出不同的测量结果，因此增加了错误。换言之，随着网眼图样的幅值的降低，测量员更可能将示波器光标移动到与最小凹坑的长度相应的信号图样的波形的波峰上的不同位置。因此，测量的调制度的准确度下降。随着信息存储介质的容量的增加，这个问题变得更严重。另外，随着在相邻凹坑之间的间隔的长度的降低，产生严重的串扰，这妨碍了调制度的准确测量。在数据再现时，上述的调制度测量是必须的。在数据再现时，系统自适应过程也是必须的。用于数据再现的这些要求必须被满足以实现平稳数据再现。
技术实现思路
本专利技术提供一种只读信息存储介质，在其中，数据再现所需的用于实现用途的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中，并且通过使用该图样来提高再现特性，以及一种从该只读信息存储介质再现数据的方法。将在接下来的描述中部分阐述本专利技术另外的方面和/或优点，还有一部分通过描述将是清楚的，或者可以经过本专利技术的实施而得知。根据本专利技术的一方面，提供了一种只读信息存储介质，该介质包括用户数据区域，其存储用户数据；引入区域；和引出区域。用于实现用途的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中。该图样可以是用于当使用数据记录调制技术记录数据时测量调制度的测试图样。可以以在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的至少一个最小凹坑和一个最大凹坑被记录在一个周期内的方式来记录测试图样。测试图样可以包括具有与最小和最大凹坑的长度不同的长度的凹坑。测试图样可包括在每个记录单位中交替的通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最小凹坑和最大凹坑。测试图样可以包括在每个记录单位中交替的第一和第二图样。第一图样可包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最小凹坑和具有与最小凹坑不同的长度的凹坑，第二图样可包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最大凹坑和具有与最大凹坑不同的长度的凹坑。在测试图样的再现中，可以使用微分相位检测(DPD)方法或推挽方法来执行跟踪。数据记录调制技术可以是RLL(d，k)调制技术。测试图样可以产生为0的信号特性曲线图的DC和。测试图样可包括(d+1)T凹坑的第一数据图样和(k+1)T凹坑的第二数据图样。第一和第二数据图样的整个长度可以是(d+1)和(k+1)的最小公倍数的2n倍(n是自然数)。图样的使用的用途可以是数据再现。用于用途的图样可以是用于非对称测量的图样。测试区可被包括在引入区域和引出区域中的至少一个中，并且用于用途的图样形成在测试区中。根据本专利技术的另一方面，提供了一种只读信息存储介质，包括数据区域，其存储用户数据；引入区域；引出区域。用于局部响应最大相似(PRML)自适应的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中。用于PRML自适应的图样根据PRML系统的目标通道和RLL(d，k)码的d的值来变化。当PRML(a，b，b，b，a)系统和RLL(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，用于PRML自适应的图样可以包括具有2T、3T长度至少一个和从5T到(k+1)T的范围内的长度的信号。当PRML(1，2，2，2，1)系统和RLL(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，用于PRML自适应的图样可包括具有3T和具有从5T到(k+1)T范围的至少一个的长度的信号。当PRML(a，b，b，a)系统和RLL(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，用于自适应的图样可以是2T/2T/4T/4T的图样。当PRML(a，b，a)系统和RLL(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，用于PRML自适应的图样可以是每个具有3T长度的信号的图样。当PRML系统和RLL(d，k)码用于数据再现时，用于PRML自适应的图样可以包括具有从2T到(k+1)T范围内的长度的信号中的至少一个。根据本专利技术的另一方面，提供了一种从包括用于存储用户数据的用户数据区域、引入区域和引出区域的只读信息存储介质再现数据的方法。该方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种只读信息存储介质，包括数据区域，其存储用户数据；引入区域；和引出区域，其中，用于实现用途的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中。2.如权利要求1所述的只读信息存储介质，其中，该图样是当使用数据记录调制技术记录数据时用于测量调制度的测试图样。3.如权利要求2所述的只读信息存储介质，其中，测试图样包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的至少一个最小凹坑和一个最大凹坑，并且该凹坑被记录在一个周期内。4.如权利要求3所述的只读信息存储介质，其中，测试图样包括具有与最小和最大凹坑的长度不同的长度的凹坑。5.如权利要求2所述的只读信息存储介质，其中，测试图样的周期相应于纠错码(ECC)块、扇区、和帧之一。6.如权利要求2所述的只读信息存储介质，其中，测试图样包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最小凹坑和最大凹坑，并且最小凹坑和最大凹坑在每个记录单位中交替。7.如权利要求2所述的只读信息存储介质，其中，测试图样包括在每个记录单位中交替的第一和第二图样，其中，第一图样包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最小凹坑和具有与最小凹坑不同的长度的凹坑，第二图样包括在通过数据记录调制技术产生的凹坑中的最大凹坑和具有与最大凹坑不同的长度的凹坑。8.如权利要求7所述的只读信息存储介质，其中，记录单位是纠错码(ECC)块、扇区、和帧之一。9.如权利要求2所述的只读信息存储介质，其中，当再现测试图样时，使用微分相位检测(DPD)方法和推挽方法之一来执行跟踪。10.如权利要求2所述的只读信息存储介质，其中，数据记录调制技术是游程限制(RLL)(d，k)调制技术。11.如权利要求10所述的只读信息存储介质，其中，测试图样包括至少一个具有(d+1)T长度的凹坑和一个具有(k+1)T长度的凹坑，并且该凹坑被包括在一个周期内。12.如权利要求10所述的只读信息存储介质，其中，测试图样包括至少一个具有(d+1)T长度的凹坑、一个具有(k+1)T长度的凹坑、和一个具有与(d+1)T和(k+1)T长度不同的长度的凹坑，并且该凹坑被包括在一个周期内。13.如权利要求11所述的只读信息存储介质，其中，一个周期是一个和两个记录单位之一。14.如权利要求13所述的只读信息存储介质，其中，记录单位是纠错码(ECC)块、扇区、和帧之一。15.如权利要求2所述的只读信息存储介质，其中，测试图样产生为0的信号特性曲线图的DC和。16.如权利要求10所述的只读信息存储介质，其中，测试图样包括(d+1)T凹坑的第一数据图样和(k+1)T凹坑的第二数据图样。17.如权利要求16所述的只读信息存储介质，其中，第一和第二数据图样的整个长度是(d+1)和(k+1)的最小公倍数的2n倍，其中，n是自然数。18.如权利要求1所述的只读信息存储介质，其中，图样的用途是数据再现。19.如权利要求1所述的只读信息存储介质，其中，该图样是用于非对称测量的图样。20.如权利要求1所述的只读信息存储介质，其中，测试区被包括在引入区域和引出区域中的至少一个中，并且该图样形成在测试区中。21.一种只读信息存储介质，包括数据区域，其存储用户数据；引入区域；和引出区域，其中，用于局部响应最大相似(PRML)自适应的图样形成在引入区域和引出区域的至少一个中。22.如权利要求21所述的只读信息存储介质，其中，该图样形成在形成在引入区域和引出区域的至少一个中的测试区中。23.如权利要求21所述的只读信息存储介质，其中，图样根据PRML系统的目标通道和游程限制(RLL)(d，k)码的d的值来变化。24.如权利要求21所述的只读信息存储介质，其中，当PRML(a，b，b，b，a)系统和游程限制(RLL)(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，图样包括至少一个2T、3T和从5T到(k+1)T的范围内的长度的信号。25.如权利要求21所述的只读信息存储介质，其中，对于PRML(a，b，b，b，a)系统和游程限制(RLL)(d，k)码(其中，d是1)，该图样包括至少三个分别具有2T、3T和5T的长度的信号。26.如权利要求25所述的只读信息存储介质，其中，该图样是2T/2T/3T/3T/5T/5T的图样。27.如权利要求21所述的只读信息存储介质，其中，当PRML(1，2，2，2，1)系统和游程限制(RLL)(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，图样包括具有3T长度的信号和具有从5T到(k+1)T范围内的长度的信号中的至少一个。28.如权利要求27所述的只读信息存储介质，其中，当PRML(1，2，2，2，1)系统和游程限制(RLL)(d，k)码(其中，d是1)用于数据再现时，图样是3T/3T/5T/5T的图样。29.如权利要求21所述的只读信息存储介质，其中，对于PRML(a，b，b，a)系统和游程限制(RLL)(d，k)码(其中，d是1)，图样是具有2T长度和从4T到kT范围内的长度的信号的组合。30.如权利要求29所述的只读信息存储介质，其中，当PRML...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坰根，沈载晟，高祯完，朴仁植，卢明道，金珍汉，朴昶敏，黄仁吾，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：