表面形成方法及装置、磁头及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有对规定结构体Ｒ进行表面形成处理的表面形成部的表面形成装置，其中，表面形成部是对结构体照射具有规定照射能量、并可向一定方向照射的能量束的照射部（１）。通过本发明专利技术的表面形成装置可得到不发生机械加工变质、均匀且高品质的结构体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面形成方法及装置，特别是关于一种不实施机械研磨而进行表面形成处理的表面形成方法及装置。并且，是关于通过所述表面形成处理制造的结构体及磁头，及其制造方法。
技术介绍
今年来，磁盘驱动装置(下称HDD)的记录密度飞快提高，并且，作为对具有高记录密度的磁盘进行数据读取的磁头元件被使用磁阻效应元件。例如，使用巨型磁阻效应元件(GMR元件)、隧道接合磁阻效应元件(TMR元件)等磁阻效应元件的磁头。并且，所述磁头一般是大致呈矩形状，其包含形成相对磁盘可飞行的飞行面的磁头滑块部(本体部)、形成在其端部上的记录部、以及构成包含所述磁阻效应元件部的读取部的磁头元件部(薄膜层积部)。在此，专利文献1揭示了一种所述磁头制造方法。下面，简单说明其方法，图8表示其局部制造方法。首先，从如图8(a)所示的以矩阵状形成有包含磁头滑块部与磁头元件部的磁头结构体R的晶片中，切出图8(b)及图8(c)所示的多个磁头结构体R排成一列的长形条状(下称长形条块B(bar block))晶片。并且，研磨该长形条块B的成为磁头飞行面(ABS面)的表面(磁盘的相对面)(图8(c)中的下表面侧)。通过该研磨处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对规定结构体进行表面形成处理的表面形成方法，其特征在于：　　　　所述表面形成处理是通过对所述结构体照射具有规定照射能量、并可向一定方向照射的能量束而进行的。

【技术特征摘要】
JP 2005-1-18 JP2005-0099431.一种对规定结构体进行表面形成处理的表面形成方法，其特征在于所述表面形成处理是通过对所述结构体照射具有规定照射能量、并可向一定方向照射的能量束而进行的。2.如权利要求1所述的表面形成方法，其特征在于所述表面形成处理是对包含多个所述结构体的晶片进行的；同时，所述方法包括基于通过所述表面形成处理的所述结构体的变化，特定不需要进行该表面形成处理的所述结构体的结构体特定工序；以及遮蔽对该特定的结构体照射的所述能量束的遮蔽工序。3.如权利要求2所述的表面形成方法，其特征在于所述结构体为磁头结构体；所述表面形成处理是通过设定构成所述磁头结构体的磁阻效应元件的元件长度而进行的。4.如权利要求3所述的表面形成方法，其特征在于所述结构体特定工序是基于通过所述表面形成处理的所述磁阻效应元件的元件高度的变化而特定所述磁头结构体。5.如权利要求4所述的表面形成方法，其特征在于所述结构体特定工序在所述磁阻效应元件的元件高度达到预先设定的基准高度时，特定包含该磁阻效应元件的所述磁头结构体。6.如权利要求5所述的表面形成方法，其特征在于所述基准高度具有规定范围。7.如权利要求3所述的表面形成方法，其特征在于所述结构体特定工序是基于通过所述表面形成处理的所述磁阻效应元件的特性变化而特定所述磁头结构体。8.如权利要求7所述的表面形成方法，其特征在于所述结构体特定工序是通过检测所述磁阻效应元件的电阻值并基于该电阻值的变化特定所述磁头结构体。9.如权利要求8所述的表面形成方法，其特征在于所述结构体特定工序在所述磁阻效应元件的电阻值达到预先设定的基准电阻值时，特定包含该磁阻效应元件的所述磁头结构体。10.如权利要求9所述的表面形成方法，其特征在于所述基准电阻值具有规定范围。11.如权利要求3、4、5、6、7、8或者9所述的表面形成方法，其特征在于所述表面形成处理是在所述遮蔽工序遮蔽对全部所述多个磁头结构体的所述能量束时结束。12.一种磁头制造方法，其特征在于包括切出包含多个磁头结构体的晶片的切出工序；用所述权利要求3至11所记载的表面形成方法对该切出的晶片进行表面形成处理的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤善映，中田刚，上田国博，
申请(专利权)人：新科实业有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]