可改善写入范围的磁性随机存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种可改善写入范围的磁性存储器，包括有一磁性穿隧接面组件与一调整层，磁性穿隧接面组件由一反铁磁层、一固定层、一穿隧能障绝缘层与一自由层组成，其中该反铁磁层、该固定层、该穿隧能障绝缘层与该自由层依序形成。调整层形成于磁性穿隧接面组件的一侧并与自由层接触。其中调整层的厚度为２０纳米（ｎｍ）以下，所使用的材料为钌（Ｒｕ）金属或含有钌的材料，本发明专利技术所公开的可改善写入范围的磁性存储器，得以改善自由层翻转一致性并且减小自由层的翻转场，以降低写入线（ｗｒｉｔｅ　　ｗｏｒｄ　　ｌｉｎｅ）所需提供的电流。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种可调整写入范围的磁性随机存储器，其特征在于，包括有：一磁性穿隧接面组件，包括有一反铁磁层、一固定层、一穿隧能障绝缘层与一自由层；以及一调整层，形成于该磁性穿隧接面组件的一侧，并与该自由层接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈威全，王泳弘，杨姗意，沈桂弘，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[]