用于畴扩展记录介质的读取控制制造技术

本发明专利技术涉及一种用于读取包括至少一个存储层和读出层的磁－光记录介质的读取方法和设备，其中，通过利用辐射功率进行加热并借助于外部磁场，将标记区域从该至少一个存储层复制到读出层，在读出层中生成导致读取脉冲的扩展畴。在读取操作期间确定指示记录介质读出特征中本地偏差的出现或强度的参数，然后，根据该已确定的参数控制辐射功率。可在读出操作期间，基于反射的功率、读出误差、或相位误差使用所提议的过程。从而，提供了可独立于复制窗口控制机构的快速有效的功率控制机构。而且，第一与第二存储层之间的串扰可通过保持读出温度接近于没有被读取的其它存储层的补偿温度来防止。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请涉及一种用于读取记录介质的方法和设备，例如单层或多存储层MAMMOS(磁放大磁光系统)盘。单层MAMMOS盘包括单个记录或存储层以及扩展或读出(read-out)层，而多层MAMMOS盘包括至少两个记录或存储层和一个扩展或读出层。在常规的磁-光存储系统中，记录的标记的最小宽度由衍射极限即由聚焦透镜的数值孔径(NA)和激光器波长来确定。宽度的缩小通常基于更短波长的激光器和更高NA的聚焦光学器件。在磁-光记录的期间，通过采用激光脉冲磁场调制(LP-MFM)，可以将最小位长缩短到光学衍射极限以下。在LP-MFM中，位转换(bit transition)通过场切换来确定，而温度梯度通过切换诸如激光器之类的辐射源来诱发。在畴(domain)扩展技术中，例如MAMMOS，在记录介质的读出期间，通过激光器加热并借助于外部磁场，将具有比衍射极限更小尺寸的写入的标记从存储层复制到读出层。由于该读出层的矫顽力低，所以复制的标记将会扩展到充满光点(optical spot)，并能用与标记大小无关的饱和信号电平来检测。外部磁场的反转会瓦解扩展畴。另一方面，存储层的空间不会被复制，而且不会发生扩展。因此，在这种情况下将检测不到信号。为了读出存储层中的位或畴，使用了光点的热剖面(thermalprofile)。当读出层的温度高于预定阈值时，磁畴由存储层被复制到磁-静态耦合的读出层。这是因为来自存储层的杂散场HS作为温度的函数而增加，而来自存储层的杂散场与该层的磁化成比例。磁化MS作为温度的函数而增加，因为温度范围正好高于其中有效磁化被降为零，从而存储层的杂散场也被降为零的补偿温度TC0。该特征由于稀土-过渡金属(RE-TM)合金的使用而产生，而(RE-TM)合金产生了两个具有相反方向的对抗磁化MRE(稀土分量)和MTM(过渡金属分量)。外部磁场的施加引起读出层中复制畴的扩展，以便给出与初始畴的大小无关的饱和检测信号。该复制处理是非线性的。在温度高于阈值时，磁畴从存储层耦合到读出层。由于温度高于阈值温度，所以将满足以下条件HS+Hext≥Hc(1)其中，HS是处于读出层的存储层杂散场，Hext是外加场，而HC是读出层的矫顽磁场。该复制发生的空间区域被称为“复制窗口”。复制窗口的尺寸W对于精确读出非常重要。当条件(1)未被满足(复制窗口的尺寸w＝0)时，根本就不发生复制。另一方面，过大的复制窗口将引起与相邻位(标记)的重叠，从而将导致另外的“干扰峰值”。复制窗口的尺寸取决于温度分布的准确形状(即，准确的激光功率，但也取决于周围温度)、外加磁场的强度，以及取决于可能表现出窄(或宽)范围变化的材料参数。读出处理中使用的激光功率应当高得足以能够复制。另一方面，高激光功率还增加了温度引入矫顽力分布与位模式杂散场分布的重叠。随着温度的增加，矫顽力HC降低，而杂散场增加。在该重叠变得非常大时，空间的正确读出不再可能，归因于相邻标记产生的错误信号。该最大和最小激光功率之间的差确定了功率余量，其随着位长的减少而强烈地减少。在MAMMOS中，外部场与记录的数据同步是关键的。可通过使用例如数据相关的场切换来实现精确的时钟恢复。而且，用于在高密度正确读出所允许的激光功率的范围是非常小的。然而，利用来自记录的数据的读出信号，读出激光功率的该灵敏度还可被用来实现精确的功率控制环，即动态复制窗口控制。这通过给激光功率添加小的调制分量(摆动)来实现，因而引起MAMMOS信号的定时移位。例如，通过锁定对这些移位的检测，在激光功率、外部场、或周围温度中的任何改变都可被校正，以便保持复制窗口恒定。通过此方法，可以进行精确且健壮的读出，允许比通过常规系统的更高密度。该增加/减低(摆动)可被施加有预定改变的模式，例如，伴有小幅度的周期模式。摆动导致复制窗口在尺寸上与摆动频率同步地增加或减小。当复制窗口的尺寸增大时，下一转换将比期望的早些出现。另一方面，在复制窗口的尺寸减小时，下一转换将会稍微延迟一点。这由相位误差幅度来指示。由于复制窗口的尺寸与读出参数非线性、平方根似地相关，所以该相位误差幅度是对读出参数的直接测量。为了获得可被用作复制窗口控制环的输入的绝对误差信号，该控制方法需要适宜的参考定值(setpoint)，其对应于最佳的读出参数，例如最佳的外部场和/或激光功率。通过使用双层盘，容量上已经实现了较大的进步(step)。在常规的磁-光系统中，已知有不同种类的双层方法。大多数情形下，两个存储层在物镜的聚焦深度之内，被很近地隔开(或甚至直接连接，即交换耦合)。不同层的读出基于克尔(Kerr)旋转与椭圆率的差值。例如，这样调整干扰层，即第一层只给出克尔旋转，而第二层只给出克尔椭圆率。有时，使用不同的波长来改善该效果。两层都读取的一种可替换的方法是一种多电平(level)方法根据不同层的数据，四个不同的信号电平(例如克尔旋转)被检测(++，+，-，--)。然而，介质电平(+，-)的信噪比较低。对于在不同层中进行记录，可能有多种选择。磁性能可被调整，从而一个层具有比其它层更高的居里(Curie)温度(Tc)。按照此方法，可以以较低的激光功率写低Tc的层而不影响高Tc的层。高激光功率时，两层都受到影响。可替换或组合以上方法，使用场灵敏度的差值。这里，外加磁场的符号和幅度确定了两层的切换。例如，第一层始终遵循场符号，而第二层在低于某种幅度时对抗场，在幅度足够大时遵循该场。按照此方法，两层都被写在单个通道(pass)中。为了获得该性能，第二层被交换耦合到另一磁层，例如PtCo多层或第一存储层。虽然双层MO肯定是可能的，但扩展到双层MAMMOS远非容易之事。在MAMMOS处理中，需要存储层和读出层。这些层总共至少有30-70nm厚，这使得来自该组层之下的读出层的信号传输，由于检测而过慢。文献WO99/39341和JP2002-298465公开了双层MAMMOS盘，用于在公用读出层中再现由第一和第二存储层的杂散场的组合所生成的多值信号。借助于适于将未读存储层加热到其补偿温度的激光功率，两存储层都可以连续无关地读取，从而确保只有已读的存储层的标记被复制到读出层。因此可通过选择对应的读出激光功率，来分别读出不同的存储层。该激光功率将是如此，即，使得未读层的温度开始接近其补偿温度，因此消除了任何对读出处理的杂散场的影响。如上所述，通过复制窗口控制程序，激光功率和施加的外部场将被小心地平衡，以使单层盘的读出处理能够有最高的存储密度。尽管需要严密的控制(一般在激光功率中约1％)，还存在相当一些空间以便平衡激光功率对抗外部场当场略微太低时，较高激光功率仍给出了正确的读出，反之亦然。然而，双层情形下是不同的，这是因为此刻存储层必须达到预定的绝对温度，尽管其处在约±10℃的容许界限内。理想地，每张盘和每个设备将具有完美匹配的性能，从而驱动器中的读取功率电平将对应不同存储层的补偿温度。然而由于多种原因并不是这种情况。除驱动光学器件的杂质(灰尘)，以及例如激光器的退化，光(反射、吸收)、热量(传导率、热容)、以及磁(TCO改变高达80K/以％的成分改变)性能可逐个盘地改变，并且改变贯穿盘的半径(厚度和/或成分的非均匀性)。读出参数的适当校准修正了驱动器、盘、以及盘半径之间的不同，并允本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于从包括至少一个存储层（Ｓ１，Ｓ２）和读出层（ＲＯ）的磁－光记录介质（１０）读取的读取设备，其中，通过利用辐射功率进行加热和借助于外部磁场，将标记区域从所述至少一个存储层复制到所述读出层，在所述读出层（ＲＯ）中生成导致读出脉冲的扩展畴，所述设备包括：－确定装置（２９０），用于确定指示所述记录介质（１０）读出特征中本地偏差的出现或强度的参数，以及－控制装置（２９０），用于根据所述已确定的参数来控制所述辐射功率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-9-10 03103337.61.一种用于从包括至少一个存储层(S1，S2)和读出层(RO)的磁-光记录介质(10)读取的读取设备，其中，通过利用辐射功率进行加热和借助于外部磁场，将标记区域从所述至少一个存储层复制到所述读出层，在所述读出层(RO)中生成导致读出脉冲的扩展畴，所述设备包括-确定装置(290)，用于确定指示所述记录介质(10)读出特征中本地偏差的出现或强度的参数，以及-控制装置(290)，用于根据所述已确定的参数来控制所述辐射功率。2.根据权利要求1的读取设备，其中，所述控制装置(290)适于独立于复制窗口控制执行辐射功率控制。3.根据权利要求2的读取设备，其中，所述复制窗口控制是基于场或基于功率的控制。4.根据权利要求1的读取设备，其中，所述确定装置(290)适于从至少一个下列数量中导出所述参数在所述记录介质(10)反射的辐射功率、从所述读出操作中获得的读出信号的误差率、以及在所述读出操作期间从复制窗口控制电路中获得的相位误差。5.根据权利要求4的读取设备，其中，所述确定装置(290)适于基于从所述反射的辐射功率、所述误差率、或所述相位误差导出的参数的加权平均值来确定所述参数。6.根据权利要求1的读取设备，其中，所述控制装置(290)适于用快速和慢速功率校正机构的混合来控制所述辐射功率。7.根据权利要求1的读取设备，其中，所述控制装置(290)适于在本地偏差检测之前，存储至少一个预定的读出参数值，并在检测到所述本地偏差结束时将所述值恢复为初始的...

【专利技术属性】
技术研发人员：CA弗舒伦，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]