用于双层记录介质的重现光束功率控制制造技术

本发明专利技术涉及一种用于读取磁光记录介质的方法和设备，所述介质包括第一存储层和第二存储层以及读出层，其中，通过利用辐射功率加热并借助于外部磁场将标记区域从所述第一或第二存储层复制到所述读出层，在所述读出层中产生导致读出脉冲产生的扩大磁畴。将所述辐射功率设定为用于从所述第一存储层进行读取的第一值和用于从所述第二存储层进行读取的第二值。在读取操作中确定指示所述第一和第二存储层之间的串扰的参数，之后，根据所述确定参数控制所述辐射功率。因此，可以通过保持读出温度靠近没有读取的另一存储层的补偿温度降低第一和第二存储层的串扰。本发明专利技术还涉及一种用在所述方法和设备中的记录介质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种多层记录介质，尤其涉及一种双层MAMMOS(磁畴扩大磁光系统)盘之类的双层记录介质，所述介质包括两层记录或存储层和一层扩大或读出层，本专利技术还涉及一种用于读取这种多层记录介质的方法和设备。在传统磁光存储系统中，记录标记的最小宽度由衍射极限决定，换句话说，由聚焦透镜的数值孔径(NA)和激光波长决定。宽度的减小通常与短波长激光器和高NA聚焦光学系统的使用有关。在磁光记录中，可以通过使用激光脉冲磁场调制(LP-MFM)将最小位长度降低到光学衍射极限以下。在LP-MFM中，位转移由激光器(或任何其它适当的辐射源)的切换引起的场的切换和温度梯度决定。在磁畴扩大技术中，与MAMMOS类似，在激光加热时并借助于外加磁场，将尺寸小于衍射极限的写标记从存储层复制到读出层。由于所述读出层的矫顽力较低，因此，复制标记将扩展以填充光点，采用饱和信号电平基本上可将所述复制标记检测出来(在记录介质的读出过程中)，所述饱和信号电平与标记尺寸无关。外部磁场的翻转摧毁了扩展磁畴。另一方面，存储层中的空间将不会被复制，因而没有扩大产生。因此，在这种情况下将不会检测到任何信号。为了读出存储层中的数据位或磁畴，使用了光点的热剖面。当读出层的温度高于预定阈值时，将磁畴从存储层复制到磁致静电耦合读出层。这是由于来自存储层的与所述层的磁化强度成比例的杂散场HS作为温度的函数递增。磁化强度MS作为温度的函数递增，所述温度为温度区域中正好高于有效磁化之处的补偿温度Tco的温度，从而，存储层的杂散场降为零。这种特性源于稀土-过渡金属(RE-TM)合金的使用，所述合金产生方向相反的两个反作用磁化强度MRE(稀土成分)和MTM(过渡金属成分)。外部磁场的使用引起读出层中被复制的磁畴扩展，以不管原始畴的尺寸如何都可以提供饱和检测信号。复制过程是非线性的。当温度高于阈值时，磁畴将从存储层耦合到读出层。对于高于阈值的温度，满足下述条件HS+Hext≥Hc(1)其中，HS是读出层中存储层的杂散场，Hext是外加场，Hc是读出层的矫顽场。复制发生的空间区域被称为“复制窗口”。复制窗口的大小W为了精确读出是严格受限的。当条件(1)不能满足(复制窗口尺寸W＝0)时，根本不会发生复制。另一方面，过大的复制窗口将导致与相邻数据位(标记)发生重叠，从而引起附加的“干扰峰”。复制窗口的大小与温度轮廓的确切形状(即，确切激光功率，以及环境温度)、外部施加磁场的强度以及可显示近程(或远程)变化的金属参数相关。读出过程中所使用的激光功率应足够高，以能够进行复制。另一方面，较高的激光功率还加重了温度引起的矫顽场轮廓与为图形的杂散场轮廓的重叠。矫顽力Hc随温度的增加而下降，杂散场随温度的增加而增加。当所述重叠变得过大时，将由于相邻标记产生了错误信号而不再能够正确读出空间内容。所述最大和最小激光功率之差决定了功率余量，所述功率余量随位长度的下降而急剧降低。在MAMMOS中，外场与记录数据的同步是至关重要的。可以通过使用例如与数据相关的场切换实现精确的时钟恢复。此外，高密度下正确读出所允许的激光功率范围相当小。然而，也可以利用读出激光功率这种敏感性实现精确功能控制环路，即，动态复制窗口控制，这种控制使用了来自记录数据的读出信号。上述操作可以通过将小调制分量(摆动)加入到激光功率中从而引起MAMMOS信号的定时位移而实现。例如，通过对这种位移的同步检测，激光功率、外场或环境温度的任何变化都可以被校正以保持复制窗口大小恒定。这样，可以获得精确而强壮的读出信号，从而可以实现远高于传统系统所达到的密度。这种增/减(摆动)可以预定义变化图形实现，例如，具有较小幅度的周期图形。所述摆动使复制窗口的尺寸与摆动频率同步的增大或减小。当复制窗口尺寸增大时，下一次转变将略早于期望时刻出现。另一方面，当复制窗口尺寸减小时，下一转变将略微延迟。所述情况可由相位误差幅度指示。所述相位误差幅度是由于复制窗口尺寸与读出参数的非线性类平方根相关性得到的对读出参数的直接量度。为了获得可用作复制窗口控制环路的输入的绝对误差信号，所述控制方法需要适当的参考设定值，其与如外场和/或激光功率之类的最佳读出参数相应。容量大幅度增长现已通过采用双层盘而获得。在传统磁光(MO)系统中，各种双层方案是已知的。在大多数情况下，两个存储层在物镜的聚焦深度内靠近(甚至直接相连，或交换耦合)。各层的读出基于克尔旋度和椭圆率之差。例如，调整干涉层，以使第一层仅给出克尔旋度，而第二层仅给出克尔椭圆率。有时也使用不同波长来增进所述效果。对两层进行读取的另一种方法是一种多层方式根据不同层中的数据，检测四个不同信号电平(例如，克尔旋度)(++、+、-、--)。然而，介质电平(+、-)的信噪比很低。不同层中的记录方式也可有几种选择。可以对磁性进行调节，以使第一层的居里温度(Tc)高于第二层。这样，可在不影响高Tc层的低激光功率下对低Tc层进行写入。两层均在高激光功率下受到影响。选择上述其中一种方法或将上述方法进行组合，利用了场灵敏度的差别。这里，所施加的磁场的符号和幅度决定了两层的切换。例如，第一层总是与场的符号一致，而第二层在其低于某个幅度时与场相反，在其幅度足够强时与场一致。这样，在一个传送过程中对两个层进行了写入。为了实现所述操作，第二层交换耦合到另一磁层，例如，PtCo多层或第一存储层。虽然双层MO无疑是可以实现的，但是，双层MAMMOS的扩展远非易事。在MAMMOS加工中，需要存储层和读出层。上述层的厚度之和至少为30-70nm，使得这组层之下的读出层的信号的透射对于精确检测而言过低。文献WO 99/39341和JP2002-298465公开了双层MAMMOS盘，所述盘用于再生普通读出层中第一和第二存储层的杂散场的组合所产生的多值信号。借助于将非读出存储层加入到其补偿温度的激光功率连续独立读取两个存储层，以确保仅将读出存储层的标记复制到读出层。因此，可以通过选择相应的读出激光功率对不同存储层分别读出。所述激光功率应为使没有进行读取的层的温度接近其补偿温度从而消除杂散场对读出过程影响的温度。如上所述，应通过复制窗口控制过程非常小心的平衡激光功率和所施加的外场，以在单层盘的读出过程中确保最高存储密度。尽管需要严密控制(典型的在激光功率中约为1％)，平衡激光功率和外场仍存在很大空间如果场略微过低，较高的激光功率仍能正确读出，反之亦然。然而，在双层的情况下，并非这种情况，这是由于存储层必须达到预定绝对温度，即使所述温度在约±10℃的较宽容许极限之内。在理想情况下，每张盘和每个驱动器都具有完美匹配的特性，从而，驱动器中的读出功率电平与不同存储层的补偿温度相应。然而，出于多种原因，事实上并非这种情况。除了驱动器光学系统的污染(灰尘)以及如激光器的老化之外，光学(反射率、吸收率)、热(传导率、热容量)和磁(Tco在％合成变化中变化率达到80K)特性可能随盘以及单盘的半径(在厚度和/或组成成分中的不均匀性)的不同而发生变化。对读出参数进行适当校准可校正驱动器、盘与盘半径之差，从而可允许更大的制造容差。然而，动态复制窗口控制是必不可少的，与所述控制在单存储层MAMMOS盘的读出过程所起到的作用相同，所述控制实现了最高密度下的强健读出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于从磁光记录介质（１０）中进行读取的读取设备，所述介质包括第一存储层（Ｓ１）和第二存储层（Ｓ２）以及读出层（ＲＯ），其中，通过利用辐射功率加热并借助于外部磁场将标记区域从所述第一或第二存储层复制到所述读出层，而在所述读出层（ＲＯ）中产生导致读出脉冲产生的扩大磁畴，所述设备包括：ａ）设定装置（２９０），用于将所述辐射功率设定为用于从所述第一存储层进行读取的第一值和用于从所述第二存储层进行读取的第二值；ｂ）确定装置（２９０），用于确定指示所述第一和第二存储层之间的串扰的参数；和ｃ）控制装置（２９０），用于根据所述确定参数控制所述辐射功率。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2003-9-10 03103336.81.一种用于从磁光记录介质(10)中进行读取的读取设备，所述介质包括第一存储层(S1)和第二存储层(S2)以及读出层(RO)，其中，通过利用辐射功率加热并借助于外部磁场将标记区域从所述第一或第二存储层复制到所述读出层，而在所述读出层(RO)中产生导致读出脉冲产生的扩大磁畴，所述设备包括a)设定装置(290)，用于将所述辐射功率设定为用于从所述第一存储层进行读取的第一值和用于从所述第二存储层进行读取的第二值；b)确定装置(290)，用于确定指示所述第一和第二存储层之间的串扰的参数；和c)控制装置(290)，用于根据所述确定参数控制所述辐射功率。2.根据权利要求1所述的读取设备，其中，所述确定装置(290)用于从检测到的写在所述第一存储层(S1)中的第一预定数据图形与写在所述第二存储层中所述第一预定数据图形之上的第二预定数据图形之间的相互关系确定所述参数。3.根据权利要求1所述的读取设备，其中，所述确定装置(290)用于从检测到的写在所述第一存储层(S1)中的第一预定数据图形的读出信号中的误差确定所述参数，所述误差由写在所述第二存储层中的第二预定数据图形引起，所述第一和第二预定数据图形彼此重叠写入。4.根据权利要求1所述的读取设备，其中，所述控制装置(290)用于响应写在所述记录介质上并规定了所述记录介质(10)的特性的信息控制由所述确定装置(290)控制确定的次数。5.根据权利要求4所述的读取设备，其中，所述特性规定了所述记录介质的均匀性。6.根据权利要求1所述的读取设备，其中，所述控制装置(290)用于响应早先使用信息跳过所述确定装置(290)执行的所述确定，并根据存储在所述记录介质(10)上的至少一个读出参数控制所述辐射功率。7.根据权利要求6所述的读取设备，其中，所述读取设备用于在读出误差率超过预定阈值时取消所述跳过操作。8.根据权利要求6或7所述的读取设备，其中，所述早先使用信息包括存储在所述读取设备中的至少一个记录介质标识或存储在所述存储介质(10)中的至少一个记录设备标识。9.根据权利要求8所述的读取设备，其中，所述早先使用信息与相应的时间和/或数据信息一同存储。10.根据权利要求1所述的读取设备，其中，所述确定和控制装置(290)用于执行所述参数确定和在所述记录介质的不同半径下的功率控制。11.根据上述任意一个权利要求所述的读取设备，其中，所述读取设备用于存储至少一个读出参数或描述作为所述记录介质(10)的半径的函数的至少一个读出参数的算法的多个变量。12.根据权利要求1所述的读取设备，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：CA弗舒伦，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]