【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于制造高密度浮雕结构的带有掩模层的光学母盘基片。这种浮雕结构可例如用作大量复制只读存储器(ROM)和预制凹槽一次写入(R)和可重写(RE)盘的压模。本专利技术还涉及一种制造这种高密度浮雕结构的方法。本专利技术还涉及使用经所述处理的光学母盘基片制造的光盘。
技术介绍
已经专利技术通过提高物镜的数值孔径和减小激光波长能够使光记录载体的数据容量不断演变地增加。总的数据容量已经从650M字节(CD，NA＝0.45，λ＝780nm)增加到4.7G字节(DVD，NA＝0.65，λ＝670nm)再到蓝光光盘(BD，NA＝0.85，λ＝405nm)的25G字节。光学记录载体可以是一次写入型的(R)、可重写型的(RE)和只读存储器型的(ROM)。ROM盘的最大优点是能以低成本大量复制，因此能够以低成本发布诸如音频、视频和其它数据的内容。这种ROM盘例如是带有微小复制凹坑(孔)的聚碳酸酯基片。复制的盘中的凹坑典型的可通过注射成型或类似种类的复制工艺来制造。在这种复制工艺中使用的压模的制造过程已知为母版制作法。在传统的母版制作法中，使用调制的聚焦激光束照射旋涂在...
【技术保护点】
一种母盘基片，包括基片层（１０）和沉积在基片层上的记录叠层，所述记录叠层包括： －掩模层（１２）； －夹在所述掩模层和基片之间的界面层（１１）； 所述掩模层包括用于形成表示编码数据图案的标记和间隔的记录材料，所述标记的形成是通过聚焦激光束进行热变进行的并且所述标记具有与未记录的材料不同的相态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2004-4-15 04101564.51.一种母盘基片，包括基片层(10)和沉积在基片层上的记录叠层，所述记录叠层包括-掩模层(12)；-夹在所述掩模层和基片之间的界面层(11)；所述掩模层包括用于形成表示编码数据图案的标记和间隔的记录材料，所述标记的形成是通过聚焦激光束进行热变进行的并且所述标记具有与未记录的材料不同的相态。2.如权利要求1所述的母盘基片，其中所述记录材料是生长主导相变材料，所述材料是包括包含Ge、Sb、Te、In、Se、Bi、Ag、Ga、Sn、Pb、As的材料组中的至少两种材料的合金。3.如权利要求1所述的母盘基片，其中所述记录材料是Sb-Te合金材料，尤其是掺有Ge和In的Sb2Te。4.如权利要求1所述的母盘基片，其中所述记录材料是是Sn-Ge-Sb合金材料，尤其是合成物Sn18.3-Ge12.6-Sb69.2。5.如权利要求1所述的母盘基片，其中所述掩模层(12)具有在从2nm到50nm的范围内的厚度，优选在5和40nm之间的厚度。6.如权利要求1所述的母盘基片，其中所述界面层(11)是由包含ZnS-SiO2、Al2O3、SiO2、Si3N4的介电材料组中的材料制成的。7.如权利要求1所述的母盘基片，其中所述界面层(11)包括从酞菁、花青和AZO染料的组中选择的至少一种有机染料。8.如权利要求1所述的母盘基片，其中所述界面层(11)包括从基于重氮萘醌抗蚀剂的组中选择的一种有机光致抗蚀剂。9.如权利要求1所述的母盘基片，其中所述界面层(11)的厚度在从5nm到200nm的范围内，尤其是在20和110nm之间。10.如权利要求1所述的母盘基片，其中所述记录叠层还包括在距基片最远的一侧与掩模层(12)相邻的保护层(81)。11.如权利要求10所述的母盘基片，其中所述保护层(81)的厚度在2和50nm之间，尤其是在5和30nm之间。12.如权利要求10所述的母盘基片，其中所述保护层(81)是由包含ZnS-SiO2、Al2O3、SiO2、Si3N4、Ta2O的介电材料组制成的。13.如权利要求10所述的母盘基片，其中所述保护层(81)包括有机材料，尤其是从基于重氮萘醌抗蚀剂的组或从诸如PMMA的可溶解有机材料组中选择的有机材料。14.如权利要求1或10所述的母盘基片，其中所述记录叠层还包括在所述基片层和所述界面层(11)之间的第二界面层(82)。15.如权利要求14所述的母盘基片，其中所述第二界面层...
【专利技术属性】
技术研发人员：ER梅恩德斯，RA洛赫，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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