在能够获得更高记录密度的磁记录介质中，提供一种具有更高矫顽磁力和更低噪音的磁记录介质及其制造方法、以及磁记录和再现装置。该磁记录介质的特征在于，至少包括：非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，以及所述非磁性内涂层的至少一层由ＷＶ型多组分体心立方晶体合金构成。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于硬盘驱动器等的磁记录介质、该磁记录介质的制造方 法以及磁记录和再现装置。
技术介绍
硬盘驱动器(HDD)是一种磁记录和再现装置，它当前已经达到100G 比特/平方英寸的记录密度，据说在未来记录密度还会以30%的年增长率增 长。因此，磁记录头的m和适用于高记录密度的磁记录介质的itA得以 推进。人们希望能够增加用于硬盘驱动器的磁记录介质的记录密度，从而 改进矫顽磁力以及减小介质噪音。通过溅射工艺将金属膜层叠到磁记录介 质基底上形成的结构是当前用于硬盘驱动器的磁记录介质的主流。广泛采 用铝基底和玻璃基底作为磁记录介质基底。铝基底是镜面抛光的铝镇^^金， 其中通过化学镀将Ni-P型合金膜形成在该基底上达大约10微米厚度，其 中表面被进一步镜面抛光。无定形玻璃和结晶玻璃是适用于玻璃基底的两 种玻璃。对于每种玻璃基底，采用经过镜面抛光的玻璃基底。当前，在通常用于硬盘驱动器的磁记录介质中，在非磁性基底上依次 沉积非磁性内涂层(Cr、 Cr型合金等等、Ni-Al型合金)、非磁性中间层(Co-Cr， Co-Cr-Ta型合金等等)、磁性层(Co-Cr-Pt-Ta， Co-Cr-Pt-B型 合金等等)和保护层(碳等等)，其中包括液体润滑剂的润滑层形成在该 非磁性基底上。Co-Cr-Pt-Ta， Co-Cr-Pt-B合金等等用作该磁性层，其中包括Co作为 主要成分。Co合金具有密排六方结构(hep结构)，它具有易磁化轴C轴。 可以采用平面内记录和垂直记录来作为磁记录介质的记录方法，其中Co 合金通常用于磁性膜。在平面内记录的情况下，Co合金的C轴取向为平 行于该非磁性基底，而在垂直介质的情况下，Co合金的C轴取向为垂直 于该非磁性基底。因此，在平面内记录的情况下，Co合金优选取向在(10 0 ) 平面或(11 0)平面中。为了增加磁记录介质的记录密度，需要减小介质噪音。下面的非专利 文献1描述了一个理论>&式，该理论公式表明，使Co合金的平均晶粒直 径以及粒度分布更小是减小介质噪音的有效方法。下面的非专利文献2描 述了，通过使Co合金的平均晶粒直径以及粒度分布更小，介质噪音减小， 以及提供了适用于高记录密度的磁记录介质'通过这种方式，让Co合金 的平均晶粒直径以及粒度分布更小对于减小介质噪音是重要的因素。由于 Co合金能够外延生长在Cr合金上，所以容易想到，形成Co合金膜有助 于使Co合金的平均晶粒直径以及粒度分布更小。之前已经有报道称，添加多种元素到Cr可以改进它的特性。下面的 专利文献1描述了添加Ti到Cr中是有效的。下面的专利文献2描述了添 加V到Cr中是有效的。下面的专利文献3描述了添加Mo和W到Cr中 是有效的。下面的专利文献4和专利文献5描述了通过将Cr作为主要成 分而附加成分不同的两个层来构造内涂层是有效的。在下面的专利文献6 中，描述了将氧和氮添加到Cr为主要成分的非磁性内涂层是有效的。专利文献1曰本未审查专利申请，首次公开号No.Sho 63-197018专利文献2美国专利No.4652499专利文献3日本未审查专利申请，首次公开号No.Sho 63-18741专利文献4曰本未审查专利申请，首次公开号No.Hei7-7342专利文献5日本未审查专利申请，首次爿^开号No.2000-322专利文献6曰本未审查专利申请，首次公开号No.Hd 11-28323专利文献7欧洲专利No.0704839专利文献8日本未审查专利申请，首次公开号No.2003-1232非专利文献1J.Appl.Phys.Vol.87,pp.5365-5370非专利文献2J.Appl.Phys.Vol.87，pp.5407-5409
技术实现思路
如上所述，Cr合金主要用作非磁性内涂层。作为通过改进非磁性内涂 层来减小介质噪音的方法，已经采用微粉化平均晶粒直径、改进Cr合金 的取向以及与Co合金匹配的晶格的方法。由于用于非磁性内涂层的Cr合 金将Cr作为主要成分，所以其特性主要源自Cr的内在特性。因此，磁记 录介质的非磁性内涂层的设计范围变窄。已经提出在非磁性内涂层利用Cr合金的许多尝试。在专利文献7中 提出，通过利用具有B2结构的合金(AlNi、 AlCo、 AlFe等等)作为非磁 性内涂层，使得碌性膜的粒度变小，能够改进噪音。然而，由于难以通过 Al-Ni合金获得大矫顽磁力，以及难以通过利用Al-Co合金获得大矫顽磁 力角形比，所以再现输出变小，因此，不利于实现高记录密度.在专利文献8中提出，通过在例如MgO的氧化物取向控制膜上沉积 Mo、 W或MoTi合金，能够改进噪音。然而，Mo或W的元素物质或者 例如MoTi和WTi的合金在减小噪音方面作用有限，并且不能获得超过 50G比特/平方英寸的记录密度。实现本专利技术能够解决上述问题，本专利技术的目的之一是，提供一种能够 获得更高记录密度的磁记录介质、 一种具有更高矫顽磁力和更低噪音的磁 记录介质、及其制造方法，以及磁记录和再现装置。为了解决上述问题，本专利技术的专利技术人经过认真的调查研究和大量努力， 实现了本专利技术，其中发现，通过利用WV型合金或MoV型合金作为非磁 性内涂层能够改进磁记录和再现装置的特性。也就是说，本专利技术涉及以下 内容。(1) 一种磁记录介质，至少包括非磁性内涂层、非磁性中间层、磁 性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，其中所述非磁 性内涂层的至少一层由多组分体心立方晶体合金构成，该合金包括由Cr 和V构成的A组元素中的至少一种元素、由Mo和W构成的B组元素中 的至少一种元素、以及由Nb、 Ta和Ti构成的C组元素中的至少一种元 素。(2) —种磁记录介质，至少包括非磁性内涂层、稳定层、非磁性中 间层、非磁性耦合层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁 性基底上，以及所述稳定层反铁磁性耦合到所述磁性层，其中所述非磁性 内涂层的至少一层由多组分体心立方晶体合金构成，该合金包括由Cr 和V构成的A组元素中的至少一种元素、由Mo和W构成的B组元素中 的至少一种元素、以及由Nb、 Ta和Ti构成的C组元素中的至少一种元 素。(3 )根据权利要求1或权利要求2所述的磁记录介质，其中在所述非 磁性内涂层中采用的多组分体心立方晶体合金中，选自于A组的元素具有 10至60at。/。的总含量，选自于B组的元素具有10至80at。/。的总含量，以 及选自于C组的元素具有10至60at %的总含量。(4) 根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的磁记录介质，其中 在所述非磁性内涂层中采用的多组分体心立方晶体合金具有体心立方结 构，以及晶格常数是3.05至3.20A.(5) 根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的磁记录介质，其中 所述非磁性中间层包括以下至少一种元素金属或合金CoCr合金、CoCrPt 合金、Ru、 Ru合金、Re和Re合金。(6) 根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的磁记录介质，其中 所述非磁性耦合层包括以下至少一种元素金属或合金Ru、 Rh、 Ir、 Cr、 Re、 Ru合金、Rh合金、Ir合金、Cr合金和Re合金，以及所述非磁性耦 合层的厚度为0.5至1.5纳米。 (7)根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的磁记本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种磁记录介质，至少包括：非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，其中所述非磁性内涂层的至少一层由多组分体心立方晶体合金构成，该合金包括：由Ｃｒ和Ｖ构成的Ａ组元素中的至少一种元素、由Ｍｏ和Ｗ构成的Ｂ组元素中的至少一种元素、以及由Ｎｂ、Ｔａ和Ｔｉ构成的Ｃ组元素中的至少一种元素。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-2-25 050878/2005;JP 2005-3-22 082053/2005;1.一种磁记录介质，至少包括非磁性内涂层、非磁性中间层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性基底上，其中所述非磁性内涂层的至少一层由多组分体心立方晶体合金构成，该合金包括由Cr和V构成的A组元素中的至少一种元素、由Mo和W构成的B组元素中的至少一种元素、以及由Nb、Ta和Ti构成的C组元素中的至少一种元素。2. —种磁记录介质，至少包括非磁性内涂层、稳定层、非磁性中间 层、非磁性耦合层、磁性层和保护层，它们按照递升的顺序层叠在非磁性 基底上，以及所述稳定层反铁磁性地耦合到所述磁性层，其中所述非磁性内涂层的至少一层由多組分体心立方晶体合金构成， 该合金包括由Cr和V构成的A组元素中的至少一种元素、由Mo和W 构成的B组元素中的至少一种元素、以及由Nb、 Ta和Ti构成的C组元 素中的至少一种元素。3. 根据权利要求1或权利要求2所述的磁记录介质，其中在所述非磁 性内涂层中采用的多组分体心立方晶体合金中，选自于A组的元素具有10 至60at%的总含量，选自于B组的元素具有10至80at%的总含量，以及 选自于C组的元素具有10至60at%的总含量。4. 根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的磁记录介质，其中在 所述非磁性内涂层中采用的多组分体心立方晶体合金具有体心立方结构， 以及晶格常数是3.05至3.20A。5. 根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的磁记录介质，其中所 述非磁性中间层包括以下至少一种元素金属或合金CoCr合金、CoCrPt 合金、Ru、 Ru合金、Rc和Rc合金o6. 根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的磁记录介质，其中所 述非磁性耦合层包括以下至少一种元素金属或合金Ru、 Rh、 Ir、 Cr、 Re、 Ru合金、Rh合金、Ir合金、Cr合金和Re合金，以及所述非磁性耦 合层的厚度为0.5至1.5纳米。7. 根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：大泽弘，清水谦治，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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