磁记录介质和磁存储设备制造技术

一种磁记录介质，其包括：基底；记录层，形成在所述基底上，具有沟槽图案；以及保护层，形成在所述记录层上，填充所述沟槽图案，其中规定所述记录层具有保留伺服数据的伺服部分和保留记录数据的记录轨道部分，并且其中，在所述伺服部分处的所述保护层的第一膜的厚度比在所述记录轨道部分处的所述保护层的第二膜的厚度大１ｎｍ到１０ｎｍ的厚度范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图案化伺服类型的磁记录介质，其伺服部分图案化，响应 是否提供了磁物质或是否形成了沟槽，本专利技术还涉及设置有该磁记录介质 的存储设备。
技术介绍
由于近年来诸如个人计算机的信息装备的显著的功能改善，用户处理 的信息量极大地增长。在此环境下，需要记录密度比传统可利用的存储设 备的那些高得多的存储设备和具有较高集成度的半导体设备。 存在作为实施在该存储设备中部件的磁记录介质。作为适用于提高记 录密度的目的的最近的磁记录介质，开发了其中记录轨道被物理地分开的 离散轨道类型的图案化介质(DTR介质)。该DTR介质的示例在 JP-A-7-085406中公开。此DTR介质通过形成在基底上的记录轨道部分上的软磁物质构成，在 其上形成铁磁物质图案，形成非磁性物质以填充记录轨道部分之间的空间， 并且在铁磁物质图案和非磁性物质上形成保护层。基本地，此配置也适用 于伺服部分。在传统配置中的DTR介质的伺服部分中，依赖于是否形成磁性物质来 形成伺服图案。因此，通常执行DC退磁以不使用伺服轨道写入器。相反， 在记录轨道层上写入数据中，通过使用磁头写入数据。因此，在伺服部分中写入伺服数据后，在通过使用磁头写入记录数据 中，存在这样的问题被写入到伺服轨道上的伺服数据被磁头覆盖了。为了解决此问题，当形成在伺服部分和记录轨道上的保护层变厚时，还存在 这样的问题或者归因于磁性间隔不能通过磁头将记录数据写入到记录轨 道上，或者在重新产生被写入到记录轨道上的记录数据中，回放信号被削 弱了。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供了一种磁记录介质，其包括基底；记录 层，形成在所述基底上，具有沟槽图案；以及保护层，形成在所述记录层 上，填充所述沟槽图案，其中规定所述记录层具有保留伺服数据的伺服部 分和保留记录数据的记录轨道部分，并且其中，在所述伺服部分的所述保 护层的第一膜厚度比在所述记录轨道部分的所述保护层的第二膜厚度大 lnm到10nm的厚度范围。附图说明附图中图1是根据本专利技术的实施例的磁记录介质的部分横截面视图2是示出制造磁记录介质的步骤的视图3是示出制造磁记录介质的步骤的视图4是示出制造磁记录介质的步骤的视图5是示出制造磁记录介质的步骤的视图6是示出制造磁记录介质的步骤的视图7是示出制造图1中的磁记录介质的步骤的视图8是示出制造磁记录介质的步骤的视图；以及图9是示例磁存储设备的示意性配置的相关透视图。具体实施例方式将参照附图描述本专利技术的实施例。图1是示出DTR介质的伺服部分和轨道部分中的图案的示例的横截面 视图。铁磁体2经由软磁层(未示出)形成在基底以上在记录轨道部分和伺服部分处。铁磁体层2在记录轨道部分中用作保留记录数据的记录层，而 铁磁体层2在伺服部分中用作保留伺服数据的记录层。软磁层执行磁头的 功能的一部分，使得传递从例如单极头的磁头应用的记录磁场，以磁化铁 磁体层2作为垂直磁记录层，在水平方向返回到磁头。软磁层能够施加陡 峭(sharp)和足够垂直的磁场到记录层并因此提高记录/播放效率。作为基底1的材料，能够使用例如Al合金基底、具有氧化表面的陶瓷、 碳、硅单晶基底、镀有NiP等的这些基底的任何一个等。作为玻璃基底， 存在非晶玻璃和晶化玻璃，并且碱石灰玻璃和硅铝酸盐玻璃能够用作非晶 玻璃。还有，作为晶化玻璃，能够使用锂晶化玻璃。作为陶瓷基底，能够 使用含有普通氧化铝、氮化铝、氮化硅等作为主要成分的烧结合金、它们 的纤维加强的合金等。作为基底，能够使用金属基底或在其表面上通过电 镀方法或溅射方法形成有NiP层的非金属基底。作为软磁层的材料，能够使用含有Fe、 Ni、 Co的材料。作为典型的材 料，能够列出FeCo合金(例如FeCo、 FeCoV等)、FeNi合金(例如FeNi、 FeNiMo、 FeNiCr、 FeNiSi等)FeAl合金或FeSi合金(例如FeAl、 FeAlSi、 FeAlSiCr、 FeAlSiTiRu、 FeAlO等)、FeTa合金(例如FeTa、 FeTaC、 FeTaN 等)、及FeZr合金(例如FeZrN等)。还有，能够使用含有60%或更多的铁 的诸如FeAlO、 FeMgO、 FeTaN、 FeZrN等的晶体结构的或在基体(matrix)中分布有微晶颗粒的颗粒结构的材料。还有，作为软磁层的另外的材料， 能够使用含有Co和Zr、 Hf、 Nb、 Ta、 Ti及Y中的至少一种的Co合金。 期望Co合金中Co的含量在80X。当通过溅射方法形成膜时，该Co合金 容易具有非晶态，并且此Co合金显示出非常优越的软磁性，因为它没有晶 体磁性各向异性、晶体缺陷、及颗粒边界。还有，通过使用非晶软磁物质， 能够获得介质的噪声减小。作为优选的非晶软磁物质，例如，能够列出CoZr 合金、CoZrNb合金、CoZrTa合金等，并且优选地，能够形成约120nm厚 的CoZrNb层。在软磁层下面能够设置底层以改善软磁层的结晶度或与基底的粘附 性。作为下层材料，能够使用Ti、 Ta、 W、 Cr、 Pt，或含有它们的合金或这 些材I4的氧化物或氮化物。能够在软磁层和记录层之间设置由非磁性物质 制成的中间层。中间层具有两个作用阻挡软磁层和记录层之间的交换键合相互作用和控制记录层的结晶度。作为中间层的材料，能够使用Ru、 Pt、 Pd、 W、 Ta、 Cr、 Si、或含有它们的合金或这些材料的氧化物或氮化物。为了防止尖峰噪声，软磁层可以分成多层并且然后可以通过在它们之 间分别插入0.5至1.5nm厚的Ru层将这些层反铁磁键合。还有，诸如CoCrPt、 SmCo、 FePt等的具有面内各向异性的硬磁膜或诸如IrMn、 PtMn等的反铁 磁物质制成的针层(pin layer)可以交换键合到软磁层。此时，为了控制交 换键合强度，铁磁膜(例如Co膜)或非磁性膜(例如Pt膜)可以堆叠在 Ru层上或下。作为铁磁层2的材料，可以考虑具有Co作为主要成分并含有至少Pt 并还含有氧化物的材料。作为磁氧化物，尤其是氧化硅或氧化钛是优选的。优选地，磁性粒子(具有磁性的晶体粒子)应当散布在铁磁层2中用 于垂直磁记录。优选地，磁性粒子应当具有柱状结构以垂直通过垂直磁记 录层。利用此结构，能够改善垂直磁记录层的磁性粒子的对准和结晶度， 并且因此能够获得适于高密度记录的信/噪比(S/N比)。为了得到以上柱状 结构，含有的氧化物的量是重要的。优选地，含有的氧化物的量应当设定 为Co、 Cr、 Pt的总量的3mol^或更高，但12mol。/^或更低。更优选地，含 有的氧化物的量应当设定为5molX或更高，但10mol^或更低。垂直磁记 录层中含有的氧化物的量的以上范围是优选的的原因是氧化物在形成该 层中沉积在磁性粒子附近并且磁性粒子能够被隔离和使得更细。当含有的 氧化物的量超过以上范围时，氧化物仍然保持在磁性粒子中，损坏了磁性 粒子的对准和结晶度并且氧化物也沉积在磁性粒子上或下，并且因此不形 成垂直地通过垂直磁记录层的磁性粒子的柱状结构。还有，当含有的氧化 物的量低于以上范围时，磁性粒子被不充分地分开和小型化，并且因此在 记录和播放数据中噪声增加了并且不能获得适于高密度记录的信/噪比(S/N 比)。优选地，垂直磁记录层中含有的Cr的量应当设置为0%或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，其包括：基底；记录层，形成在所述基底上，由沟槽图案围绕；以及保护层，形成在所述记录层上，以填充所述沟槽图案，其中，所述记录层包括在保留伺服数据的伺服部分和保留记录数据的记录轨道部分中，以及其中，在所述伺服部分处的所述保护层的厚度比在所述记录轨道部分处的所述保护层的厚度大１ｎｍ到１０ｎｍ的范围。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-14 128318/20071、一种磁记录介质，其包括基底；记录层，形成在所述基底上，由沟槽图案围绕；以及保护层，形成在所述记录层上，以填充所述沟槽图案，其中，所述记录层包括在保留伺服数据的伺服部分和保留记录数据的记录轨道部分中，以及其中，在所述伺服部分处的所述保护层的厚度比在所述记录轨道部分处的所述保护层的厚度大1nm到10nm的范围。2、 如权利要求1所述的介质，其中，所述保护层包括选自包含Ni、 Nb、 Cu、 Hf、 Zr、 Cr、 Ru、 Pt、 Pd、 Ti、 Ta、 Mo、及W的组的金属材料 和所述金属材料的合金。3、 一种磁存储设备，包括 磁记录介质，其中记录有数据；以及 浮置在所述磁记录介质上并且访问所述数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：白鸟聪志，镰田芳幸，木村香里，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[]