磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备技术

本发明专利技术涉及一种磁记录介质及制造磁记录介质的方法、以及磁记录设备。根据本发明专利技术实施例的一方面，磁记录介质包括：基板；形成于该基板之上的第一粒状层，该第一粒状层具有多个第一磁性粒子和使所述多个第一磁性粒子分离的Ｓｉ氧化物。该磁记录介质还包括形成于该第一粒状层之上的第二粒状层，该第二粒状层具有多个第二磁性粒子和使所述多个第二磁性粒子分离的Ｔｉ氧化物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用于硬盘驱动器及其他设备的磁记录介质、用于制造 该磁记录介质的方法，以及包括该磁记录介质的磁记录设备。
技术介绍
日本特开专利第2001-155321号及第2005-353256号公报中披露了涉及 磁记录介质、制造该种介质的方法以及磁记录设备的技术的实例。随着磁记录设备的存储量的增加，设置于磁记录设备内部的磁记录介质 的面记录密度也随之增加。磁记录设备的记录方法主要划分为纵向记录法及 垂直磁记录法。由于受记录磁场的增加的影响以及由于热波动而使记录位消 失，人们认为纵向记录法中的记录密度接近于它的极限值。相反地，由于记 录位在高记录密度下在理论上是稳定的，因此垂直磁记录法正在应用于实际 使用中。最近提出的垂直磁记录介质包括作为记录层一部分的所谓的粒状层，以 用于降低噪音。在粒状层中，磁性粒子通过例如氧化物或氮化物的非磁性绝 缘体彼此分开。为实现抵抗热波动并获得可写性，提出的另一种垂直磁记录 介质包括与粒状层磁性耦合的层，该层具有的各向异性磁场Hk小于粒状层 的各向异性磁场，并且矫顽力附近的标准化磁化曲线的斜率a大于粒状层的 标准化磁化曲线的斜率a。此处使用的术语标准化磁化曲线指的是标准 化为饱和磁化强度的磁化曲线。近来，还需要更高的S/N的比值。然而，很难通过现有的技术来获得满 意的高S/N的比值。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种具有高矫顽力及低噪音的磁记录介 质，用于制造该磁记录介质的方法，以及包括该磁记录介质的磁记录设备。根据本实施例的一方面，磁记录介质包括基板；形成于该基板之上的第 一粒状层，该第一粒状层具有多个第一磁性粒子和使所述多个第一磁性粒子 分离的Si氧化物；以及形成于该第一粒状层之上的第二粒状层，该第二粒状 层具有多个第二磁性粒子和使所述多个第二磁性粒子分离的Ti氧化物。附图说明图1为根据一实施例的垂直磁记录介质的截面图2为说明如何使用根据一实施例的垂直磁记录介质的示意图3为硬盘驱动器(HDD)的内部结构的示意图4为矫顽力的图表；图5为矫顽力附近的标准化磁化曲线的斜率的图表； 图6为S/N的比值的图表；图7为低频再现输出量(reproduction output)的图表； 图8为写入磁芯宽度的图表；及 图9为可写性(writability)的图表。具体实施例方式以下将参照附图详细地说明实施例。图1为根据一实施例的垂直磁记录 介质的截面图。如图1所示，第一软磁性层1、非磁性分隔层(nonmagnetic separating layer) 2以及第二软磁性层3依次设置于平圆形(discoidal)的非磁性基板 10上。第一软磁性层1、非磁性分隔层2以及第二软磁性层3构成软衬层11。非磁性基板10的实例包括塑料基板、微晶玻璃基板、钢化玻璃基板、 硅基板以及铝合金基板。第一软磁性层1和第二软磁性层3可具有包含Fe、 Co和/或Ni的非晶 或微晶结构。该结构还可包含W、 Hf、 C、 Cr、 B、 Cu、 Ti、 V、 Nb、 Zr、 Pt、 Pd和/或Ta。第一软磁性层1和第二软磁性层3的实例包括FeCoNbZr 层、CoZrNb层、CoNbTa层、FeCoZrNb层、FeCoZrTa层、FeCoB层、FeCoCrB 层、NiFeSiB层、FeAlSi层、FeTaC层、FeHfC层、以及NiFe层，每层具有 非晶或微晶结构。特别地，考虑到记录磁场的集中(concentration)，第一6软磁性层1和第二软磁性层3优选为饱和磁化强度Bs至少为1.0T的软磁性 材料层。第一软磁性层1以及第二软磁性层3通过电镀、DC溅射、RF溅射、 脉冲DC溅射、气相沉积或化学气相沉积(CVD)方法形成。在DC溅射中， 室(chamber)内可具有约为0.5Pa压力的Ar气氛，且可施加约为lkW的电功 率。第一软磁性层1和第二软磁性层3的厚度可在10—100nm范围内，优选 地在30-60nm范围内。第一软磁性层1和第二软磁性层3的厚度在这些下限 以下可能具有不佳的读写特性。此外，第一软磁性层1和第二软磁性层3的 厚度在这些上限以上可能导致大规模生产的设备的规模的增加或成本的大 量增加。非磁性分隔层2可为由Ru或Ru合金形成的非磁性金属层。非磁性分隔 层2也可通过电镀、DC溅射、RF溅射、脉冲DC溅射、气相沉积或CVD 方法形成。在DC溅射中，室内可具有约为0.5Pa压力的Ar气氛，且可施 加约为150W的电功率。非磁性分隔层2的厚度(例如，大约在0.5-lnm范 围内)设计成使得第一软磁性层1与第二软磁性层3形成逆平行磁耦合 (antiparallel magnetic coupling)。更特别地是，第一软磁性层1与第二软磁 性层3的磁化方向彼此相反，且第一软磁性层1与第二软磁性层3之间形成 反铁磁耦合。如S. S. P. Parkin, Phy. Rev. Lett. 67, 3598 (1991)中所记载的， 非磁性分隔层2可由例如Re、 Cr、 Rh、 Ir、 Cu、或V材料形成。非磁性衬层(中间层)4形成于软衬层11上。非磁性衬层4将软衬层 11与下文所述的垂直磁记录层12磁性地分离。非磁性衬层4可为Ru层或 Ru合金层。非磁性衬层4也可通过电镀、DC溅射、RF溅射、脉冲DC溅射、 气相沉积或CVD方法形成。在DC溅射中，室内可具有约为8Pa压力的Ar 气氛，且可施加约为lkW的电功率。非磁性衬层4的厚度可约为20nm。如 日本特开专利第2005-353256号公报中所记载，非磁性衬层4可由两个或两 个以上的子层组成。此外，可在软衬层11与非磁性衬层4之间设置(disposed) 籽晶层(Ta层、NiCr层等)，以改善非磁性衬层4的晶体取向以及控制非 磁性衬层4的晶粒尺寸。Si氧化物粒状层5、 Ti氧化物粒状层6以及连续的膜形成的磁性层7依 次设置于非磁性衬层4上。Si氧化物粒状层5、 Ti氧化物粒状层6以及磁性 层7组成垂直磁记录层12。Si氧化物粒状层(第一粒状层)表示包括多个第一磁性粒子的层，所述第一磁性粒子在面内方向的平均直径约为2—10nm，且Si氧化物将多个第一 磁性粒子彼此分离，多个第一磁性粒子在Si氧化物中总体上为分散的。Ti 氧化物粒状层(第二粒状层)表示包括多个第二磁性粒子的层，所述第二磁 性粒子在面内方向的平均直径约为2—10nm，且Ti氧化物将多个第二磁性粒 子彼此分离，多个第二磁性粒子在Ti氧化物中总体上为分散的。在Si氧化物粒状层5中，Si氧化物置于CoCrPt粒子(磁性粒子)之间。 换言之，CoCrPt粒子通过Si氧化物彼此分离。因此，Si氧化物粒状层也可 称为CoCrPt-Si02层。在Ti氧化物粒状层6中，Ti氧化物置于CoCrPt粒子 之间。换言之，CoCrPt粒子通过Ti氧化物彼此分离。因此，Ti氧化物粒状 层也可称为CoCrPt-Ti02层。Si氧化物粒状层5以及Ti氧化物粒状层6也可 通过电镀、DC溅射、RF溅射、脉冲DC溅射、气相沉积或CVD方法形成。 在通过DC溅射而形成Si氧化物粒状层5时，室内可具有约为5Pa压力的 Ar气氛，且可施加约为100W的电功率。在通过DC溅射而形成Ti氧化物 粒状层6时，室内可具有约本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，其包括：　　　　基板；　　　　第一粒状层，其形成于该基板之上，该第一粒状层具有：　　　　多个第一磁性粒子和　　　　Ｓｉ氧化物，其使所述多个第一磁性粒子分离；以及　　　　第二粒状层，其形成于该第一粒状层之上，该第二粒状层具有：　　　　多个第二磁性粒子和　　　　Ｔｉ氧化物，其使所述多个第二磁性粒子分离。

【技术特征摘要】
JP 2007-5-15 2007-1296271.一种磁记录介质，其包括基板；第一粒状层，其形成于该基板之上，该第一粒状层具有多个第一磁性粒子和Si氧化物，其使所述多个第一磁性粒子分离；以及第二粒状层，其形成于该第一粒状层之上，该第二粒状层具有多个第二磁性粒子和Ti氧化物，其使所述多个第二磁性粒子分离。2. 如权利要求1所述的磁记录介质，其中，该磁记录介质还包括形成 于所述第二粒状层之上的磁性层。3. 如权利要求1所述的磁记录介质，其中，该第二粒状层的厚度与饱和 磁化强度的乘积比所述第一粒状层的厚度与饱和磁化强度的乘积大。4. 如权利要求1所述的磁记录介质，其中，比例t,Msi / (^Msi + t2Ms2) 为0.1至0.3，其中，tiMsi为该第一粒状层的厚度t,与该第一粒状层的饱和磁化强度MSl的乘积，t2MS2为该第二粒状层的厚度12与该第二粒状层的饱和磁化强度M&的乘积。5. 如权利要求2所述的磁记录介质，其中，该磁记录介质还包括 复合粒状层，其具有该第一粒状层及该第二粒状层；其中，该复合粒状层的各向异性磁场比该磁性层的各向异性磁场大，且 在该复合粒状层的标准化磁化曲线中的矫顽力处的斜率比该磁性层的标准 化磁化曲线中的矫顽力处的斜率小。6. 如权利要求1所述的磁记录介质，其中，该第一磁性粒子包含Co-Cr-Pt入A 口血o7. 如权利要求l所述的磁记录介质，其中，该第二磁性粒子由包含选自 Pt、 B、 Cu和Ta构成的群组的至少其中之一的Co-Cr合金组成。8. 如权利要求2所述的磁记录介质，其中，该磁记录介质还包括 软衬层，其位于该基板与该第一粒状层之间；记录层，其包括该第一粒状层、该第二粒状层和该磁性层；以及非磁性衬层，用以将该软衬层与该记录层磁性地分离。9. 如权利要求8所述的磁记录介质，其中，该非磁性层包含Ru。10. 如权利要求8所述的磁记录介质，其中，该软衬层包含选自Fe、 Co 及Ni构成的群组的至少其中之一，并且还包含选自W、 Hf、 C、 Cr、 B...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻村良作，贝津功刚，涡卷拓也，冈本岩，菊池晓，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]