改善高压器件非对称端鸟嘴状缺陷的方法技术

本发明专利技术公开了一种改善高压器件非对称端鸟嘴状缺陷的方法，包括：在Si基底上形成氧化硅，打开STI窗口，形成STI；沉积氮化硅；去除部分氮化硅和氧化硅开打HVOX窗口；在HVOX窗口去除部分STI和Si基底；生长HVOX；去除剩余氮化硅；涂覆光刻胶并打开鸟嘴状缺陷窗口；进行离子注入；去除光刻胶，去除剩余氧化硅。本发明专利技术通过离子注入，破坏Si

【技术实现步骤摘要】
改善高压器件非对称端鸟嘴状缺陷的方法


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种改善高压器件非对称端鸟嘴状缺陷的方法。

技术介绍

[0002]HVOX(高阈值电压氧化层)工艺采用的是硅氧化生成一层厚厚的氧化层作为栅极。现有高压栅氧是采用炉管扩散工艺生长，裸露的硅均与氧发生反应，同时在高温下，氧原子会向Si层内部渗透氧化，而这种方式导致生成的氧化膜会由于挤压而在HV CMOS器件非对称端形成类似于鸟嘴的缺陷。
[0003]现有的HVOX工艺因Si氧化量大,进而工艺时间较长，导致SiO2侧向生长，生成鸟嘴缺陷，如图1所示。该种缺陷会影响后续Gate的平坦度，极限情况下会造成Gate断线，进而使器件失效。此外，“鸟嘴”的出现会占据一定的有源区面积，而且在小尺寸下，会引发漏电流问题。

技术实现思路

[0004]在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善高压器件非对称端鸟嘴状缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在Si基底上形成氧化硅，打开STI窗口，形成STI；S2，沉积氮化硅；S3，去除部分氮化硅和氧化硅开打HVOX窗口；S4，在HVOX窗口去除部分STI和Si基底；S5，生长HVOX；S6，去除剩余氮化硅；S7，涂覆光刻胶并打开鸟嘴状缺陷窗口；S8，进行离子注入；S9，去除光刻胶，去除剩余氧化硅。2.如权利要求1所述的改善高压器件非对称端鸟嘴状缺陷的方法，其特征在于：步骤S2中，沉积氮化硅的厚度范围是500埃～2000埃。3.如权利要求1所述的改善高压器件非对称端鸟嘴状缺陷的方法，其特征在于：步骤S3中，通过刻蚀去除部分氮化硅和氧化硅开打HVOX窗口。4.如权利要求1所述的改善高压器件非对...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢磊，何志斌，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：