偏置电位产生装置制造方法及图纸

一种用于产生作为偏置电位的多个电位，并且通过在偏置电位和待机电位之间进行切换产生这些电位中的每一个的偏置电位产生装置，包括：　　　　电位恢复电路，用于将产生的电位从待机电位恢复到偏置电位；以及　　　　驱动控制电路，用于控制电位恢复电路的驱动操作；　　　　其中，为每一个产生的电位设置电位恢复电路。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于为驱动电路产生偏置电位以便驱动液晶板等的偏置电位产生装置，更具体地说，涉及一种在省电(power save)模式关闭并且能够快速地从省电模式快速地恢复到操作模式的偏置电位产生装置。
技术介绍
近年来，对于在便携式电子设备中构造液晶板的需求已经逐步增加，因此，非常需要降低液晶显示板的功率消耗。在用于驱动液晶板的液晶驱动装置中，可以通过省电操作，有效地降低功率消耗，在省电模式中，停止输出电路，并且在不显示图像的消隐周期期间，将稳定电流降低到零。此外，为了促使功率消耗的降低，需要经常地执行省电操作。在对液晶驱动装置执行省电操作时，需要从省电模式快速地恢复到操作模式。然而，在传统的液晶驱动装置中，偏置电位还不能够以充分高的速率恢复。根据作为形成液晶驱动装置的电路装置之一的偏置电位产生装置，可以特别明显地认识到该问题。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的是提供一种能够快速地恢复偏置电位的偏置电位产生装置。依据本专利技术的一个方面，提出了一种偏置电位产生装置，产生作为偏置电位的多个电位，并且在偏置电位和待机电位(standby potential)之间对产生的每一个电位进行切换。依据本专利技术的另一方面，提出了一种偏置电位产生装置，包括电位恢复电路，用于将产生的电位从待机电位恢复到偏置电位；以及驱动控制电路，用于控制电位恢复电路的驱动操作，其中，为每一个偏置电位设置电位恢复电路。结果，可以确保为每一个偏置电位执行电位恢复操作，从而可以缩短恢复时间。驱动控制电路用于依据脉冲波形信号，控制电位恢复电路的驱动操作，优选的是，该驱动控制电路包括振荡电路，用于产生时钟信号以便产生脉冲波形信号。按照这种方式，可以取消用于将时钟信号从外部信号源输入到偏置电位产生装置的终端(terminal)。优选的是，依据本专利技术的偏置电位产生装置还包括驱动时间设置电路，用于任意地设置电位恢复电路的驱动时间。然后，可以适当地调整用于快速地恢复偏置电位产生电路所需要的电位恢复电路的驱动时间，其中所述的电位恢复电路的驱动时间可能会随着温度或者电源电压(source voltage)而改变。因此，即使在电源电压或者温度经历变化的情况下，也可以快速地将所有的偏置电位恢复到适当的电平(just level)。下面将描述用于调整驱动时间的特定配置。具体地说，驱动控制电路用于依据脉冲波形信号，控制电位恢复电路的驱动操作，并且所述的驱动时间设置电路包括用于输出脉冲波形信号的脉冲波形的宽度的设置值的寄存器。优选的是，偏置电位产生电路还包括电流设置电路，用于任意地设置在恢复偏置电位时的用于电位恢复电路的恢复电流。通过这样做，可以最佳地调整用于快速地恢复偏置电位产生装置所需要的恢复电流。因此，即使在电源电压或者温度经历变化的情况下，也可以快速地将所有的偏置电位恢复到适当的电平。下面将描述用于调整驱动电流的特定配置。具体地说，电位恢复电路包括用于产生恢复电流的相互并联的多个MOS晶体管，并且电流设置电路向每一个MOS晶体管分别提供导通控制信号。电位恢复电路包括相互串联的多个MOS晶体管，其中使晶体管栅极电位和漏极电位相互短路，以便产生阈值电压。优选的是，通过改变MOS晶体管的数量，可以任意地设置用于将产生的电位从待机电位恢复到偏置电位的电位恢复电路的恢复电压。通过这样做，可以按照需要设置恢复电压。按照这种方式，即使在电源电压或者温度发生改变的情况下，也可以将所有的偏置电位快速地恢复到适当的电平。优选的是，偏置电位产生装置还包括参考电位产生电路，用于产生等于偏置电位的参考电位，在参考电位产生电路中，在产生的电位到达参考电位前的一段时间内，驱动电位恢复电路，并且当产生的电位到达参考电位时，停止驱动电位恢复电路。通过这样做，即使在源电位或者温度发生改变的情况下，也可以快速地恢复所有的偏置电位。电位恢复电路可以配置恢复电位产生电路，用于产生具有与偏置电位相同的电位的恢复电位，其中，当将产生的电位从待机电位恢复到偏置电位时，使产生的电位与恢复电位短路。通过这样做，即使在电源电压或者温度发生改变的情况下，也可以将所有的偏置电位快速地恢复到适当的电平，而与在从关状态恢复到开状态时的电位恢复电路的驱动时间无关。如以上所述，依据本专利技术，可以快速地将偏置电位恢复到适当的电平。同时，可以取消用于从外部信号源向偏置电位提供时钟信号的终端。此外，考虑到可以将恢复电流和恢复电压设置为任意值，即使在诸如电源电压的条件发生改变时，也可以依据电位恢复电路的容量(capacity)的改变，快速地并且最佳地恢复偏置电位。附图说明通过理解以下所描述的并且在所附权利要求中所阐明的特定实例，本专利技术的其他目的将变得显而易见。同时，本领域的技术人员通过实施本专利技术，将会认识到在本说明书中未描述的本专利技术的许多优点。图1是示出依据本专利技术的第一优选实施例的偏置电位产生装置的配置的电路图。图2是示出依据本专利技术的第一优选实施例的偏置电位产生装置的操作的时序图。图3是示出依据本专利技术的第二优选实施例的偏置电位产生装置的配置的电路图。图4是示出依据本专利技术的第二优选实施例的偏置电位产生装置的操作的时序图。图5是示出依据本专利技术的第三优选实施例的偏置电位产生装置的配置的电路图。图6是示出依据本专利技术的第四优选实施例的偏置电位产生装置的配置的电路图。图7是示出依据本专利技术的第五优选实施例的偏置电位产生装置的配置的电路图。图8是示出依据本专利技术的第六优选实施例的偏置电位产生装置的配置的电路图。图9是示出采用本专利技术的偏置电位产生装置的基本配置的电路图。具体实施例方式下面将参考附图，描述本专利技术的优选实施例。首先，参考图9，将说明包括依据本专利技术的偏置电位产生装置的基本配置的液晶驱动装置。图9是示出包括与偏置电位产生装置组合在一起的具有n个输出的驱动输出电路的液晶驱动装置的电路图。在液晶驱动装置内配置偏置电位产生装置30包括P沟道MOS晶体管2、5和7、N沟道MOS晶体管4、6、9和10、电阻器3、反相器8、以及控制电路31。偏置电位产生装置30输出构成在每一个液晶驱动放大器31(1)到31(n)中的恒流源的P沟道MOS晶体管的栅极电位的偏置电位VIASP、以及构成在每一个液晶驱动放大器31(1)到31(n)中的恒流源的N沟道MOS晶体管的栅极电位的偏置电位VIASN。数字32(1)到32(n)及33(1)到33(n)表示布线电容(wiring capacitance)。下面将说明在具有以上提到的偏置的偏置电位产生装置中从省电模式中进行恢复所执行的操作。首先，在对液晶的驱动操作期间，省电信号PS未启动(低电平)，因而P沟道MOS晶体管7和N沟道MOS晶体管9是截止的，而N沟道MOS晶体管4是导通的。同时，控制电路31将快速恢复信号RT转变为未启动状态(低电平)，其中所述的快速恢复信号RT被施加到N沟道MOS晶体管10的栅极电位。依据时钟输入CLK和初始的快速恢复信号RTO，在脉冲波中形成快速恢复信号RT。由快速恢复信号RT使N沟道MOS晶体管10截止(未激活)。在这种情况下，P沟道MOS晶体管2、电阻器3、以及N沟道MOS晶体管4协同工作以便产生偏置电位VIASP。按照相似地方式，P沟道MOS晶体管5和N沟道MOS晶体管6协同工作本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：西和义，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：