电流驱动电路和显示器制造技术

提出了一种电流驱动电路，所述电流驱动电路设置有偏压产生器和电流输出单元；其中所述偏压产生器设置有：ｐ沟道ＭＯＳ晶体管、ｐ沟道ＭＯＳ晶体管和参考电流源；以及电流输出单元设置有：ｐ沟道ＭＯＳ晶体管、开关装置、ｐ沟道ＭＯＳ晶体管和输出端子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电流驱动电路和显示器，更具体地，涉及一种有机EL元件的电流驱动电路和显示器。
技术介绍
由于在有机EL元件中的发射光的亮度由驱动电路确定，因此，在其中多个有机EL元件按照矩阵排列的显示器中，与电压驱动器相比，电流驱动器能够更好地消除发射光亮度的变化。通常，从如图1所示的结构作为有机EL元件的电流驱动电流。图1是现有技术的电流驱动电路的电路图。如图1所示，现有技术的电流驱动电路设置有p沟道MOS晶体管M01、p沟道MOS晶体管M11、参考电流源I1、开关装置SW1和输出端子O1；有机EL元件Z1与输出端子O1连接，作为负载。此外，p沟道MOS晶体管M01和p沟道MOS晶体管M11构成了电流镜像电路，由此，由参考电流源I1产生的电流IREF从高电平电源VDD返回，并且通过开关装置SW1提供给与输出端子O1连接的有机EL元件Z1。开关装置SW1诸如由p沟道MOS晶体管构成，并且由一位灰度数据信号D1进行通/断控制。当开关装置SW1接通时，将电流驱动电路的指定返回电流作为驱动电流IOUT提供给有机EL元件Z1，由此，有机EL元件Z1发光；而当开关装置SW1断开时，驱动电流IOUT变为0，并且有机EL元件Z1熄灭。在日本专利待审公开No.2001-042827的图7中公开了采用双极性晶体管的相似结构。然而，图1所示的现有技术实例的电流驱动电路是其中将开关装置SW1连接在作为电流镜像电路的输出端子的输出端子O1和p沟道MOS晶体管M11的漏极端子之间的结构。结果，当开关装置SW1处于断开状态时，开关装置SW1的节点A和节点B之间的电压实质上等于高电平电源VDD上的电压VDD和“地”即低电平电源之间的电压差。换句话说，电压差处于接近电压VDD的极其高的电平，因此，当开关装置SW1从断开状态变为接通状态时，引起了关于产生了大浪涌电流的问题。作为另一问题，在图1所示的现有技术实例的电流驱动电流中使用基本电流镜像电路阻碍了高精度返回电流的获取。
技术实现思路
考虑到上述问题实现了本专利技术，并且本专利技术的目的是提供一种电流驱动电路，该电流驱动电路能够获得高精度的驱动电流并抑制浪涌电流的发生，此外，还提供了一种设置有这样的电流驱动电路的显示器。本专利技术的电流驱动电路设置有电流镜像电路；电流源，用于将参考电流输入施加到所述电流镜像电路；开关装置，向所述开关装置施加所述电流镜像电路的输出电流；以及共栅共漏放大电路，用于提供所述开关装置的输出电流作为驱动电流。此外，本专利技术的电流驱动电路设置有偏压产生器，包括第一晶体管，其栅极端子和漏极端子连接在一起；第二晶体管，其源极端子与所述第一晶体管的所述漏极端子相连，并且栅极端子和漏极端子连接在一起；以及电流源，使参考电流流到所述第二晶体管；以及电流输出单元，包括第三晶体管，其栅极端子与所述第一晶体管的所述栅极端子相连；第四晶体管，其栅极端子与所述第二晶体管的所述栅极端子相连；以及开关装置，所述开关装置设置在所述第三晶体管的漏极端子和所述第四晶体管的源极端子之间。另外，还可以设置有多个所述电流输出单元；以及多个端子，所述端子与多个电流输出单元的第四晶体管中每一个晶体管的每一个漏极端子相连。多个电流输出单元中的每一个可以提供已经加权的电流作为输出。还可以设置本专利技术的的多个电流驱动电路、以及与多个电流驱动电路的第四晶体管的漏极端子相连的端子。多个电流驱动电路中的每一个可以提供已加权的电流作为输出。开关装置可以由控制信号接通和断开。控制信号可以是显示器的灰度(graduation)数据信号。开关装置可以是MOS晶体管。开关装置可以是包括多个开关装置的开关组，并且所述开关组对显示器的灰度数据信号进行解码。还可以设置与所述第三晶体管的源极端子相连的开关装置。还可以设置与所述第一晶体管的源极端子相连并且总是处于接通状态的开关装置。本专利技术的显示器设置有按照矩阵排列的有机EL元件；电流驱动电路和扫描电路，用于使驱动电流流到所述有机EL元件；以及信号处理电路，用于接收图像数据信号作为输入，向所述电流驱动电路提供灰度数据信号作为输出，并且向所述扫描电路提供扫描控制信号作为输出；以及设置有上述电流驱动电路作为所述电流驱动电路。因此，本专利技术可以实现一种电流驱动电路，能够获得高精度的驱动电流，此外，能够抑制浪涌电流的发生，并且可以实现设置有这样的电流驱动电路的显示器。参考附图，从以下描述中，本专利技术的上述和其他目的、特征和优点将变得显而易见，所述附图示出了本专利技术的实例。附图说明图1是现有技术的电流驱动电路的电路图；图2是现有技术的电流驱动电路的操作的示意图；图3是本专利技术的第一实施例的电流驱动电路的电路图；图4是本专利技术的第一实施例的电流驱动电路的操作的示意图；图5是第二实施例的电流驱动电路的电路图；图6是本专利技术的第三实施例的电流驱动电路的电路图；图7是本专利技术的第四实施例的显示器的电路图；图8是本专利技术的第五实施例的电流驱动电路的电路图；图9是本专利技术的第六实施例的电流驱动电路的电路图；图10是图9的详细电路图； 图11是图10所示的解码操作的示意图；图12是本专利技术的第七实施例的电流驱动电路的电路图。具体实施例方式下面将参考附图来描述本专利技术的实施例。首先，参考图3，描述本专利技术的第一实施例的电流驱动电路的结构。图3是本专利技术的第一实施例的电流驱动电路的电路图。如图3所示，本专利技术的第一实施例的电流驱动电路设置有偏压产生器10和电流输出单元11。偏压产生器10设置有p沟道MOS晶体管M01、p沟道MOS晶体管M02和参考电流源I1。p沟道MOS晶体管M01的源极端子与高电平电源VDD连接，并且p沟道MOS晶体管M01和栅极端子和p沟道MOS晶体管M01的漏极端子连接在一起。p沟道MOS晶体管M02的源极端子与p沟道MOS晶体管M01的漏极端子相连，并且p沟道MOS晶体管M02的栅极端子和p沟道MOS晶体管M02的漏极端子连接在一起。参考电流源I1连接在p沟道MOS晶体管M02和充当低电平电源的“地”之间，并且向p沟道MOS晶体管M02提供恒定电流IREF。电流输出单元11设置有p沟道MOS晶体管M11、开关装置SW1、p沟道MOS晶体管M12和输出端子O1。p沟道MOS晶体管M11的源极端子与高电平电源VDD相连，并且p沟道MOS晶体管M11的栅极端子与p沟道MOS晶体管M01的栅极端子相连。p沟道MOS晶体管M12的栅极端子与p沟道MOS晶体管M02的栅极端子相连，并且p沟道MOS晶体管M12的漏极端子与输出端子O1相连。开关装置SW1设置在p沟道MOS晶体管M11的漏极端子和p沟道MOS晶体管M12的源极端子之间。换句话说，作为开关装置SW1的通/断路径的一端的节点A与p沟道MOS晶体管M11的漏极端子相连，并且作为开关装置SW1的通/断路径的另一端的节点B与p沟道MOS晶体管M12的源极端子相连。开关装置SW1诸如由p沟道MOS晶体管构成，该p沟道MOS晶体管的源极—漏极路径是开关装置SW1的通/断路径，并且将一位灰度数据信号D1施加到该p沟道MOS晶体管的栅极端子。开关装置SW1由作为通/断控制信号的灰度数据信号D1接通和切断。然后，有机EL元件Z1作为负载连接在输出端子O1和“地”之间。下面进行与操作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电流驱动电路，包括：电流镜像电路；电流源，用于将参考电流输入施加到所述电流镜像电路；开关装置，向所述开关装置施加所述电流镜像电路的输出电流；以及共栅共漏放大电路，用于提供所述开关装置的输出电流作为驱动电流 。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：米山辉，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]