驱动控制电路及具有该电路的压电喷射阀制造技术

本实用新型专利技术公开了一种驱动控制电路及具有该电路的压电喷射阀，属于点胶技术领域，所述驱动控制电路包括电源模块、控制模块、第一和第二功率器件，所述第一和第二功率器件的输出端分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片，所述控制模块的一个输出端同时连接所述第一和第二功率器件的输入端，所述控制模块的输出端和第一功率器件的输入端之间设置有第一光耦合器，所述控制模块的输出端和第二功率器件的输入端之间设置有第二光耦合器，所述第一光耦合器和第二光耦合器分别在高、低电平下工作。与现有技术相比，本实用新型专利技术具有速度快、精度高的特点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及点胶技术，特别是指一种驱动控制电路及具有该电路的压电喷射阀。
技术介绍
流体点胶技术是微电子封装等领域中的一项关键技术，这项技术正逐渐从传统的接触式点胶方式转化为能高度自动化操作的无接触式点胶方式。典型的无接触式点胶技术采用的装置包括机械喷射阀和压电喷射阀，其中，机械喷射阀是基于电气动的原理研制的，结构复杂，而压电喷射阀则是利用压电材料的逆压电效应设计的流体点胶装置，其具有结构简单、喷射频率高的特点，而且压电喷射阀喷射的胶点能够小至um级，在喷胶过程中能够达到非常高的精度，因此，压电喷射阀的在点胶领域中得到了广泛的应用。目前，现有技术的压电喷射阀的驱动中，为了驱动压电喷射阀点胶阀，控制方式采用控制模块产生两路反相脉冲驱动信号控制两路功率器件(通常采用MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管))交替为压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片供电，来实现点胶控制。在这种点胶方式中，由于电路元器件的延迟和干扰等因素，控制模块产生的两路反相脉冲驱动信号在同步时容易出现交叉控制，因此，常加入死区时间来避免这一现象，但是，在高速点胶时，加入死区时间带来的延迟会使点胶速度、精度降低，影响点胶效果。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种速度快、精度高的驱动控制电路及具有该电路的压电喷射阀。>为解决上述技术问题，本技术提供技术方案如下：一种驱动控制电路，包括电源模块、控制模块、第一和第二功率器件，所述第一和第二功率器件的输出端分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片，所述控制模块的一个输出端同时连接所述第一和第二功率器件的输入端，所述控制模块的输出端和第一功率器件的输入端之间设置有第一光耦合器，所述控制模块的输出端和第二功率器件的输入端之间设置有第二光耦合器，所述第一光耦合器和第二光耦合器分别在高、低电平下工作。进一步的，所述第一光耦合器的内部发光二极管的正极连接所述控制模块的输出端，所述第一光耦合器的内部发光二极管的负极接地；所述第二光耦合器的内部发光二极管的正极接电源正极，所述第二光耦合器的内部发光二极管的负极连接所述控制模块的输出端。进一步的，所述第一光耦合器的内部发光二极管的正极和所述控制模块的输出端之间设置有第一稳压二极管；所述第二光耦合器的内部发光二极管的负极和所述控制模块的输出端之间设置有第二稳压二极管。进一步的，所述第一功率器件和第二功率器件分别为第一MOSFET和第二MOSFET，其中：所述第一MOSFET的栅极连接所述第一光耦合器的输出端，所述第一MOSFET的漏极接电源正极，所述第一MOSFET的源极和栅极分别经电阻后连接所述第二MOSFET的漏极，所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的漏极分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；所述第二MOSFET的栅极连接所述第二光耦合器的输出端，所述第二MOSFET的源极和栅极分别经电阻后接地，所述第二MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的地分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。进一步的，所述驱动控制电路还包括第一恒流源放电回路和/或第二恒流源放电回路，所述第一恒流源放电回路包括第一滑动变阻器、第一运算放大器和第三MOSFET，所述第二恒流源放电回路包括第二滑动变阻器、第二运算放大器和第四MOSFET，其中：所述第一滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，所述第一滑动变阻器的滑动端经电阻后连接所述第一运算放大器的同相输入端，所述第一运算放大器的输出端连接所述第三MOSFET的栅极，所述第一运算放大器的反相输入端经电阻后连接所述第三MOSFET的源极，所述第一运算放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，所述第三MOSFET的源极经电阻后接地，所述第三MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；所述第二滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，所述第二滑动变阻器的滑动端经电阻后连接所述第二运算放大器的同相输入端，所述第二运算放大器的输出端连接所述第四MOSFET的栅极，所述第二运算放大器的反相输入端经电阻后连接所述第四MOSFET的源极，所述第二运算放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，所述第四MOSFET的源极经电阻后接地，所述第四MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。进一步的，所述驱动控制电路还包括第一输出保护模块和/或第二输出保护模块，所述第一输出保护模块包括第一光耦隔离器和第一运算比较器，所述第二输出保护模块包括第二光耦隔离器和第二运算比较器，其中：所述第一光耦隔离器的两个输入端分别连接所述第一MOSFET的源极和所述第二MOSFET的漏极，所述第一光耦隔离器的正极输出端接电源正极，负极输出端连接所述第一运算比较器的反相输入端，所述第一运算比较器的同相输入端连接有第一参考电压，所述第一运算比较器的输出端连接所述第一MOSFET的栅极；所述第二光耦隔离器的两个输入端分别连接所述第二MOSFET的源极和所述第二MOSFET的地，所述第二光耦隔离器的正极输出端接电源正极，负极输出端连接所述第二运算比较器的反相输入端，所述第二运算比较器的同相输入端连接有第二参考电压，所述第二运算比较器的输出端连接所述第二MOSFET的栅极。进一步的，所述控制模块还连接有控制按键和液晶显示器。进一步的，所述电源模块包括D/A转换器、集成脉宽调制芯片、两个推挽三极管、DC-DC变压器、整流电路和滤波电路，其中：所述D/A转换器的输入端连接所述控制模块的输出端，所述D/A转换器的输出端连接所述集成脉宽调制芯片的输入端；所述集成脉宽调制芯片的输出端分别连接所述两个推挽三极管的基极上；所述两个推挽三极管的发射极相连后接地；所述DC-DC变压器为三输入两输出变压器，所述两个推挽三极管的集电极分别连接所述DC-DC变压器的两端的输入端，所述DC-DC变压器的中间输入端接电源正极同时经电容后接地，所述DC-DC变压器的输出端经所述整流电路和滤波电路后输出升压后的直流电压。一种压电喷射阀，包括上述的驱动控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种驱动控制电路，包括电源模块、控制模块、第一和第二功率器件，所述第一和第二功率器件的输出端分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶瓷片，其特征在于，所述控制模块的一个输出端同时连接所述第一和第二功率器件的输入端，所述控制模块的输出端和第一功率器件的输入端之间设置有第一光耦合器，所述控制模块的输出端和第二功率器件的输入端之间设置有第二光耦合器，所述第一光耦合器和第二光耦合器分别在高、低电平下工作。

【技术特征摘要】
1.一种驱动控制电路，包括电源模块、控制模块、第一和第二功率
器件，所述第一和第二功率器件的输出端分别用于驱动连接压电喷射阀上
成对设置的压电陶瓷片，其特征在于，所述控制模块的一个输出端同时连
接所述第一和第二功率器件的输入端，所述控制模块的输出端和第一功率
器件的输入端之间设置有第一光耦合器，所述控制模块的输出端和第二功
率器件的输入端之间设置有第二光耦合器，所述第一光耦合器和第二光耦
合器分别在高、低电平下工作。
2.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第一光
耦合器的内部发光二极管的正极连接所述控制模块的输出端，所述第一光
耦合器的内部发光二极管的负极接地；
所述第二光耦合器的内部发光二极管的正极接电源正极，所述第二光
耦合器的内部发光二极管的负极连接所述控制模块的输出端。
3.根据权利要求2所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第一光
耦合器的内部发光二极管的正极和所述控制模块的输出端之间设置有第
一稳压二极管；
所述第二光耦合器的内部发光二极管的负极和所述控制模块的输出
端之间设置有第二稳压二极管。
4.根据权利要求3所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第一功
率器件和第二功率器件分别为第一MOSFET和第二MOSFET，其中：
所述第一MOSFET的栅极连接所述第一光耦合器的输出端，所述第
一MOSFET的漏极接电源正极，所述第一MOSFET的源极和栅极分别经
电阻后连接所述第二MOSFET的漏极，所述第一MOSFET的漏极和所述
第二MOSFET的漏极分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶
瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；
所述第二MOSFET的栅极连接所述第二光耦合器的输出端，所述第
二MOSFET的源极和栅极分别经电阻后接地，所述第二MOSFET的漏极

\t和所述第二MOSFET的地分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压
电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。
5.根据权利要求4所述的驱动控制电路，其特征在于，所述驱动控
制电路还包括第一恒流源放电回路和/或第二恒流源放电回路，所述第一恒
流源放电回路包括第一滑动变阻器、第一运算放大器和第三MOSFET，所
述第二恒流源放电回路包括第二滑动变阻器、第二运算放大器和第四
MOSFET，其中：
所述第一滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，所述第一滑动变
阻器的滑动端经电阻后连接所述第一运算放大器的同相输入端，所述第一
运算放大器的输出端连接所述第三MOSFET的栅极，所述第一运算放大
器的反相输入端经电阻后连接所述第三MOSFET的源极，所述第一运算
放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，所述第三MOSFET的源
极经电阻后接地，所述第三MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷
射阀上成对设置的压电陶瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；
所述第二滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，所述第二滑动变<...

【专利技术属性】
技术研发人员：岳朋朋，张淑兰，崔宏超，
申请(专利权)人：北京派和科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11